吳品鈞

Wu, Pin-Jiun・工學院・加速器光源科技與應用碩士學位學程

碩士平均畢業時長

3.19 年

中位數 2.62 年・4 人

博士平均畢業時長

5.18 年

中位數 5.18 年・1 人

收錄論文

6 篇

102–113 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

太陽能電池光電子能譜X光繞射solar cellX-ray diffractionX光吸收光譜二氧化鉿X-ray Absorption SpectroscopyHfO2XPS碳化矽SiO2/SiC介面MOS電容介面缺陷密度離子注入後退火時依介電層崩潰Silicon carbide (SiC)SiO₂/SiC interfaceMOS capacitorLOCal Oxidation of Silicon Carbon (LOCOSiC)interface state densitypost-ion-implantation annealingtime-dependent dielectric breakdown (TDDB)gate oxide test structureand size effect.同步輻射分子束磊晶synchrotron radiationX-ray photoelectron spectroscopymolecular beam epitaxyX光光電子能譜第一原理之模擬計算X-ray Photoemission SpectroscopyFirst Principle Calculation鍺熱製程二氧化鋯germaniumthermal processesGeO volatilizationZrO2磷酸鋰鐵銅銦鎵硒鋰電池M1位置縱深分佈掃描式光電子能譜LiFePO4CIGSLi-ion battery

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	離子注入後退火溫度及局部氧化隔離技術之尺寸效應對4H型碳化矽上之閘極氧化層之時依介電層崩潰研究 A Study on the Post-Ion-Implantation Annealing and Local Oxidation Technology of Size Effect on the Time-Dependent-Dielectric-Breakdown of Gate Oxide on 4H-SiC 加速器光源科技與應用碩士學位學程・共同指導：崔秉鉞碳化矽、SiO2/SiC介面、MOS電容、介面缺陷密度、離子注入後退火、時依介電層崩潰、Silicon carbide (SiC)、SiO₂/SiC interface、MOS capacitor、LOCal Oxidation of Silicon Carbon (LOCOSiC)、interface state density、post-ion-implantation annealing、time-dependent dielectric breakdown (TDDB)、gate oxide test structure、and size effect.	碩士	108	2025-02-11	5.53 年
110	以同步輻射光電子能譜探索光伏半導體元件特性及硒化銦之磊晶動力學研究 Characterization of Photovoltaic Semiconductor Devices by Synchrotron Radiation Photoelectron Spectroscopy and the Growth Mechanism of InSe 電子物理系所・共同指導：周武清同步輻射、光電子能譜、太陽能電池、X光繞射、分子束磊晶、synchrotron radiation、X-ray photoelectron spectroscopy、solar cell、X-ray diffraction、molecular beam epitaxy	博士	103	—	無法計算
106	利用同步加速器光源技術研究基板溫度及通氧脈衝時間於二氧化鉿高介電材料的晶體及電子特性之效應 Effects of Deposition Temperature of Substrate and Oxygen Pulse Time on Crystalline and Electronic Properties of HfO2 High-k Dielectrics Studied by Synchrotron Radiation Techniques 電子物理系所・共同指導：周武清 X光繞射、X光光電子能譜、X光吸收光譜、第一原理之模擬計算、二氧化鉿、X-ray Diffraction、X-ray Photoemission Spectroscopy、X-ray Absorption Spectroscopy、First Principle Calculation、HfO2	碩士	105	2018-07-29	1.99 年
106	熱製程對鍺金屬絕緣層半導體元件上閘極介電質品質影響之研究 A Study on the Effect of Thermal Processes on Gate Dielectric Quality in Ge MIS device 電子研究所・共同指導：崔秉鉞鍺、熱製程、二氧化鉿、二氧化鋯、germanium、thermal processes、XPS、GeO volatilization、HfO2、ZrO2	碩士	103	2017-10-17	3.21 年
105	利用同步輻射光源技術研究薄膜太陽能與鋰電池材料的晶體結構與電子特性 Crystalline Structure and Electronic Properties of Thin-Film Solar Cell and Li-ion Battery Materials Studied by Synchrotron-Based Techniques 電子物理系所・共同指導：周武清磷酸鋰鐵、銅銦鎵硒、鋰電池、太陽能電池、M1位置、縱深分佈、X光吸收光譜、掃描式光電子能譜、LiFePO4、CIGS、Li-ion battery、solarcell、M1 site、depth profile、X-ray absorption spectroscopy、SPEM	博士	100	2016-10-06	5.18 年
102	熱效應對於銅銦鎵硒硫太陽能電池元件界面元素擴散之研究 Thermal effect on elemental diffusion of ZnO/CdS/CIGSSe solar cell at/near the heterojunction interface 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：謝文峰太陽能電池、銅銦鎵硒硫、光電子能譜、熱處理、界面、擴散、Solar cell、CIGSSe、XPS、Thermal treated、Interface、diffusion	碩士	101	2014-08-12	2.03 年