古慶順

Ching-Shun Ku・工學院・工學院加速器光源科技與應用學位學程

碩士平均畢業時長

1.99 年

中位數 1.98 年・4 人

收錄論文

5 篇

102–107 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

氧化鋅磊晶ZnOEpitaxialatomic layer deposition高(111)優選方向奈米雙晶銅膜殘留應力電鍍溫度電鍍波形residual stresshighly (111)-oriented nanotwinned Cubath temperaturesplating waveforms高電子遷移率電晶體氮化鎵同步輻射勞厄繞射缺陷密度偏應力X光激發螢光High Electron Mobility TransistorGaNSynchrotron radiationLaue diffractionDislocation densityDeviatoric stressX-ray Excited Optical Luminescence表面聲波元件SAW原子層沉積法發光二極體LEDP型氧化鋅薄膜原子層沈積系統P-type ZnO thin films

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
107	調節高(111)優選方向奈米雙晶銅膜殘留應力 Tuning residual stress in highly (111)-oriented nanotwinned Cu 材料科學與工程學系所・共同指導：陳智高(111)優選方向奈米雙晶銅膜、殘留應力、電鍍溫度、電鍍波形、residual stress、highly (111)-oriented nanotwinned Cu、bath temperatures、plating waveforms	碩士	106	2019-08-02	2.00 年
107	利用同步加速器奈米 X 光束探測高電子遷移率電晶體異質結構的晶體結構與光學性質 Using synchrotron nano-beam X-ray to probe the crystal structure and its optical properties for HEMT heterostructure 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：周武清高電子遷移率電晶體、氮化鎵、同步輻射、勞厄繞射、缺陷密度、偏應力、X光激發螢光、High Electron Mobility Transistor、GaN、Synchrotron radiation、Laue diffraction、Dislocation density、Deviatoric stress、X-ray Excited Optical Luminescence	碩士	106	2019-07-29	1.99 年
103	氧化鋅成長在藍寶石基板之表面聲波元件特性研究 Surface Acoustic Wave Device Properties of ZnO Grown on Sapphire 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：周武清表面聲波元件、氧化鋅、磊晶、SAW、ZnO、Epitaxial	碩士	102	2015-07-27	1.98 年
102	利用原子層沉積儀成長鋁摻雜氧化鋅磊晶薄膜 Epitaxial Al-doped ZnO Thin Films by Using In-situ Doping Atomic Layer Deposition 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：周武清原子層沉積法、氧化鋅、磊晶、發光二極體、atomic layer deposition、ZnO、epitaxial、LED	碩士	101	2014-07-27	1.98 年
102	臨場摻雜原子層沉積法成長P型氧化鋅薄膜 In situ doping p-type ZnO thin film prepared by atomic layer deposition 工學院加速器光源科技與應用學位學程・共同指導：陳智 P型氧化鋅薄膜、原子層沈積系統、P-type ZnO thin films、Atomic layer deposition	碩士	101	—	無法計算