吳建宏

Wu, Chien-Hung・電機學院・台聯大光電博士學位學程、電子研究所

博士平均畢業時長

5.35 年

中位數 6.11 年・5 人

收錄論文

6 篇

101–111 學年度

全校中位數（供對照）

博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

銦鎵鋅氧突觸裝置synaptic device可靠度reliabilityIGZO電阻式記憶體突觸漸進切換Hopfield 神經網絡RRAMgradual switchingHNN憶阻器神經形態計算多級傷害感受器Memristorneuromorphic computingmultilevelnociceptor四氟化碳電阻式非揮發式記憶體carbon tetrafluorideindium gallium zinc oxideresistive non-volatile memory中子束技術電晶體Neutral Beam TechnologyTransistor雙重電漿處理大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積系統內氫電漿處理中性離子束再氧化效應電壓變溫可靠度Dual Plasma TreatmentAP-PECVDin-situ hydrogen Plasma TreatmentNeutral Beam Re-oxidationBias Temperature Instabilities透明導電膜大氣常壓電漿氧化鋅薄膜電晶體Transparent conductive oxideAtmospheric pressure plasmaZnOThin Film Transistor

想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
111	用於人工智慧之突觸式電阻記憶體的元件設計、製造和特性之研究 Device Design, Fabrication and Characterization of Synaptic Memristors for Artificial Intelligence Applications 台聯大光電博士學位學程・共同指導：張國明電阻式記憶體突觸、漸進切換、突觸裝置、Hopfield 神經網絡、RRAM、gradual switching、synaptic device、HNN	博士	105	2023-08-02	7.00 年
111	用於非揮發性儲存和神經形態應用的電阻式隨機存取記憶體 Resistive-RAM for Non-Volatile Storage and Neuromorphic Applications 台聯大光電博士學位學程・共同指導：張國明憶阻器、突觸裝置、神經形態計算、多級、傷害感受器、Memristor、synaptic device、neuromorphic computing、multilevel、nociceptor	博士	105	2023-05-01	6.75 年
109	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化銦鎵鋅層於電阻式記憶體元件之電性及可靠度研究 Research of Electrical Characteristics and Reliability in RRAM Device Based on IGZO layer Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：張國明、荊鳳德四氟化碳、銦鎵鋅氧、電阻式非揮發式記憶體、可靠度、carbon tetrafluoride、indium gallium zinc oxide、resistive non-volatile memory、reliability	博士	107	2021-06-17	2.88 年
108	利用常壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧電晶體元件之可靠度研究 Research of Reliability in Transistor Device Based on IGZO Fabricated by AP-PECVD 電子研究所・共同指導：張國明、荊鳳德中子束技術、銦鎵鋅氧、電晶體、可靠度、Neutral Beam Technology、IGZO、Transistor、Reliability	博士	106	—	無法計算
104	低溫製程技術處理於低溫多晶矽薄膜電晶體及大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備銦鎵鋅氧薄膜電晶體之探討 Investigation on High Performance of Poly-Si and AP-PECVD Fabricated In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors with Low Temperature Technology 電子工程學系電子研究所・共同指導：張國明雙重電漿處理、大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積系統、內氫電漿處理、中性離子束再氧化效應、電壓變溫可靠度、Dual Plasma Treatment、AP-PECVD、in-situ hydrogen Plasma Treatment、Neutral Beam Re-oxidation、Bias Temperature Instabilities	博士	101	2016-08-04	4.01 年
101	利用大氣常壓電漿輔助化學氣相沉積製備氧化鋅系透明電極與氧化鋅/銦鎵鋅氧薄膜電晶體應用之特性研究 Study on Characterizations of ZnO-Based Transparent Electrodes and ZnO/IGZO Thin-Film Transistors Prepared by AP-PECVD 電子工程學系電子研究所・共同指導：張國明透明導電膜、大氣常壓電漿、氧化鋅、薄膜電晶體、銦鎵鋅氧、Transparent conductive oxide、Atmospheric pressure plasma、ZnO、Thin Film Transistor、IGZO	博士	95	2012-09-10	6.11 年