IEEEFellow
光電學院・光電系統研究所
碩士平均畢業時長
1.99 年
中位數 1.99 年・1 人
收錄論文
1 篇
101–101 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
低操作電壓非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體Low-Operating-VoltageInGaZnOThin Film Transistors
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 101 | Low-Operating-Voltage InGaZnO Thin Film Transistors with LaAlO3/SiO2 Gate Dielectrics 光電系統研究所・共同指導：荊鳳德、OpticalSocietyofAmericaFellow 低操作電壓、非晶態氧化銦鎵鋅、薄膜電晶體、Low-Operating-Voltage、InGaZnO、Thin Film Transistors | 碩士 | 100 | 2013-07-29 | 1.99 年 |