郭治群

Guo, Jyh-Chyurn・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

3.00 年

中位數 2.54 年・27 人

博士平均畢業時長

9.45 年

中位數 9.45 年・2 人

收錄論文

37 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

毫米波可靠度Reliability物理不可複製函數垂直式電阻式記憶體異質整合D頻帶D-band電阻式記憶體Resistive Random-Access Memory (RRAM)物聯網Internet of Things (IoT)FinFETmm-wave記憶體內運算人工智慧Neural Network阻變式閘極電晶體Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)低雜訊放大器轉換增益Millimeter-waveconversion gain變壓器transformerMultilevelPhysical Unclonable Function (PUF)鰭式電晶體鰭式場效電晶體deembedding終端應用邊緣運算Compute-In-MemoryArtificial IntelligenceEdge Computing多階操作Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)Heterogeneously integrationMultilevel Operation差動式電容性中和混頻器電磁模擬low noise amplifierdifferentialcapacitive neutralizationmixerEM simulationV頻帶傳輸線

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	毫米波元件優化以及具備佈局與溫度相關效應之創新等效電路模型應用於毫米波CMOS低雜訊電路模擬與設計 mm-Wave Devices Optimization and New Equivalent Circuit Model with Layout and Temperature Dependent Effects for mm-wave CMOS Low Noise Circuits Simulation and Design 電機資訊國際博士學位學程低溫、去嵌入、D-band 低雜訊放大器、等效電路模型(ECM）、額外雜訊、本質雜訊、佈局相依效應(LDE)、矽基板損耗效應、多指 nMOSFET、毫米波、溫度相依效應(TDE)、Cryogenic、deembedding、D-band LNA、equivalent circuit model (ECM)、excess noise、intrinsic noise、layout dependent effect (LDE)、lossy Si substrate、MF nMOSFET、mm-wave、temperature dependent effect (TDE)	博士	107	2026-06-30	7.91 年
114	運用三維垂直電阻式記憶體實現記憶體內運算架構 The Implementation of 3D Vertical RRAM-Based Compute-In-Memory Macro 電子研究所記憶體內運算、垂直式電阻式記憶體、人工智慧、神經網絡、終端應用、邊緣運算、Compute-In-Memory、3D Vertical Resistive Random-Access Memory、Artificial Intelligence、Neural Network、Edge Applications、Edge Computing	碩士	112	2026-01-29	2.50 年
114	低操作電壓四層垂直式 RRAM 陣列之設計與晶片實現 Design and Chip Implementation of a Low Operating Voltage Four-Layer Vertical RRAM Array 電子研究所・共同指導：莊紹勳垂直式電阻式記憶體、阻變式閘極電晶體、異質整合、多階操作、可靠度、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)、Heterogeneously integration、Multilevel Operation、Reliability	碩士	112	2026-01-29	2.50 年
114	鰭式場效電晶體為基礎的低電壓垂直結構鐵電記憶體的設計與實現 The Design and Implementation of a Low Voltage FinFET-based Vertical Ferroelectric-Gate RAM 電子研究所電阻層級變異性、高溫保持與循環可靠度、鐵電閘極記憶體、三維垂直結構鐵電穿隧接面記憶體、AND型陣列異質整合、四位元存取、High-temperature retention and cycling reliability、Resistance-state variability、Quad-level cell storage、AND-type array heterogeneous integration、Ferroelectric-gate Random Access Memory、FG-RAM	碩士	112	2026-01-29	2.50 年
114	毫米波 CMOS 低雜訊放大器結合降頻混頻器設計應用於 D-頻帶接收機 mm-wave CMOS Low Noise Amplifier with Down-conversion Mixer Design for Applications in D-band Receivers 電子研究所毫米波、接收機、D頻帶、低雜訊放大器、差動式、電容性中和、增益擴張、混頻器、轉換增益、電磁模擬、Millimeter-wave、receiver、D-band、low noise amplifier、differential、capacitive neutralization、gain expansion、mixer、conversion gain、EM simulation	碩士	112	2026-01-28	2.49 年
114	毫米波CMOS壓控振盪器設計及驗證應用於6G無線通訊收發機 mm-Wave CMOS Voltage Controlled Oscillator Design and Verification for Applications in 6G Wireless Transceiver 電子研究所毫米波、V頻帶、D頻帶、壓控振盪器、開關式電容、粗調、微調、變壓器、傳輸線、MOM電容、調頻範圍、相位雜訊、millimeter wave、V-band、D-band、voltage-controlled oscillator、switchable capacitor、coarse tuning、fine tuning、transformer、transmission line、MOM capacitor、tuning range、phase noise	碩士	110	2026-01-28	4.49 年
114	16奈米鰭式場效電晶體為基礎的垂直結構電阻式記憶體的設計與實現 The Design and Implementation of a 16nm FinFET-based Vertical Resistive-Gate RAM 電子研究所・共同指導：莊紹勳阻變式閘極鰭式電晶體、三維垂直結構的電阻式隨機存取記憶體、異質整合、多組態、變異度、可靠度、虛擬傳輸模型、RG-RAM、Vertical Structure of Resistive Random Access Memory (VRRAM)、Heterogeneous Integration、Multilevel、Variability、Reliability、Virtual Source Model	碩士	111	2025-09-10	3.11 年
113	毫米波CMOS低雜訊放大器與降頻混頻器設計及驗證應用於D-band無線通訊接收機 mm-Wave CMOS Low Noise Amplifier and Down-Conversion Mixer Design and Verification for Applications in D-band Wireless Receiver 電子研究所毫米波、D頻帶、低雜訊放大器、降頻器、振盪器、變壓器、傳輸線、MOM電容、高增益、線性度、雜訊、Low-noise amplifier、down-conversion mixer、oscillator、millimeter-wave、transformer、D-band、high gain、transmission line、MOM capacitor	碩士	110	2025-05-22	3.81 年
113	以28奈米電阻式閘極記憶體實現記憶體內運算晶片 The Implementation of a 28nm Resistive-Gate RAM-Based Compute-In-Memory Macro 電子研究所・共同指導：莊紹勳電阻式記憶體、電阻式閘極電晶體、記憶體內運算、神經網路、人工智慧、邊緣運算、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Resistive-Gate RAM、Compute-In-Memory (CIM)、Neural Network、Artificial Intelligence (AI)、Edge Computing	碩士	111	2025-02-12	2.54 年
113	以28奈米HKMG CMOS技術建構單一編程記憶體為基礎的物理不可複製函數 OTP-Based Physical Unclonable Function on 28nm High-k Metal-gate CMOS Technology 電子研究所單一編程記憶體、物理不可複製函數、介電質熔絲崩潰、動態密鑰生成、固態硬碟、加密、解密、One-Time Programmable Memory (OTP)、Physical Unclonable Function (PUF)、Dielectric Fuse Breakdown Mechanism、Dynamic Key Generation、Solid-State Drive (SSD)、Encryption、Decryption	碩士	111	2025-02-12	2.54 年
113	運用特定阻變閘極結構實現三維垂直電阻式記憶體 Implementation of 3D Vertical RRAM with a Unique Resistive-Gate Architecture 電子研究所・共同指導：莊紹勳垂直式電阻式記憶體、阻變式閘極電晶體、異質整合、多階操作、可靠度、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)、Heterogeneously integration、Multilevel Operation、Reliability	碩士	111	2025-02-12	2.54 年
113	CMOS D-頻帶升頻混頻器與E-頻帶倍頻器設計應用於毫米波發射機 CMOS D-band Up-conversion Mixer and E-band Doubler Design for Applications in mm-Wave Transmitter 電子研究所毫米波、D頻段升頻混頻器、E頻段倍頻器、二次諧波、轉換增益、負電阻補償、奈米CMOS製程、微帶線、變壓器、線性度、CMOS、mm-wave、D-band up-conversion mixer、E-band frequency doubler、conversion gain、linearity、negative resistance compensation、microstrip line、transformer	碩士	109	2025-02-10	4.53 年
113	毫米波CMOS低雜訊放大器與功率放大器設計應用於D-頻帶收發機 mm-Wave CMOS Low Noise Amplifier and Power Amplifier Design for Applications in D-band Transceiver 電子研究所毫米波、收發機、D頻帶、低雜訊放大器、功率放大器、差動式、電容性中和、功率增益、飽和輸出功率、最大功率附加效率、混頻器、轉換增益、電磁模擬、等效電路模型、Millimeter-wave、transceiver、D-band、low noise amplifier、power amplifier、differential、capacitive neutralization、power gain、PSAT、PAE、mixer、conversion gain、EM simulation、equivalent circuit model	碩士	110	2025-02-10	3.53 年
113	採用阻變式閘極電晶體陣列實現高密度三態內容可定址記憶體 Realizing High-Density Ternary Content Addressable Memory with Resistive-Gate Transistor Array 電子研究所電阻式記憶體、阻變式閘極電晶體、三態內容可定址記憶體、物聯網、記憶體內搜尋、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Resistive-Gate RAM、Ternary Content Addressable Memory (TCAM)、Internet of Things (IoT)、In-Memory-Search (IMS)	碩士	110	—	無法計算
112	垂直結構的電阻式記憶體陣列與CMOS平台的整合 The Integration of a Vertical Resistance Random Access Memory Array with CMOS Platform 電子研究所・共同指導：莊紹勳電阻式記憶體、垂直式電阻式記憶體、側壁式、對稱操作、多阻態、可靠度、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Sidewall Design、Symmetrical Operation、Multilevel、Reliability	碩士	110	2024-02-01	2.50 年
112	以16奈米鰭式電晶體實現記憶體運算架構 The Implementation of a 16 nm FinFET-Based Compute-In-Memory Macro 電子研究所・共同指導：莊紹勳記憶體內運算、動態隨機存取記憶體、鰭式電晶體、神經網路、人工智慧、終端應用、Compute-In-Memory、Embedded Dynamic Random-Access Memory、FinFET、Neural Network、Artificial Intelligence、Edge Application	碩士	110	2024-01-29	2.49 年
112	毫米波CMOS等效電路模型具備閘極阻抗與佈局效應用於準確模擬高頻效能以及雜訊 mm-Wave CMOS Equivalent Circuit Modeling with Gate Impedance and Layout Dependent Effects for Accurate Simulation of High Frequency Performance and Noise 電子研究所去寄生效應、等效電路模型、閘極阻抗、佈局優化、耗損式基板模型、毫米波、雜訊參數、雜散寄生電阻電感電容、Deembedding、equivalent circuit model、gate impedance、layout optimization、lossy substrate model、mm-Wave、noise parameter、parasitic RLC	碩士	108	2023-08-31	4.08 年
111	一種運用16奈米鰭式電晶體平台製作的一次性編程三態可定址記憶體加密平台 A Cryptographic Platform Implemented by OTP-based TCAM in 16 nm FinFET Technology 電子研究所・共同指導：莊紹勳鰭式場效電晶體、一次性編程、三態可定址記憶體、加密系統、物聯網、Cryptographic Platform、FinFET、Internet of Things (IoT)、One Time Programming (OTP)、Ternary Content Addressable Memory (TCAM)	碩士	108	—	無法計算
111	以40奈米CMOS技術實現一次性編程物理不可複製函數應用於人工智慧物聯網之身分驗證 Identity-authentication of AIoT Devices through OTP-based Physical Unclonable Function Implemented on 40nm CMOS Platform 電子研究所・共同指導：莊紹勳人工智慧物聯網、守門員平台、物理不可複製函數、一次性編程記憶體、鰭式電晶體、反熔絲崩潰、介電質熔絲崩潰、Artificial Intelligence of Things (AIoT)、Goalkeeper platform、Physically-unclonable Function (PUF)、One-time Programmable (OTP) memory、Anti-fuse breakdown、Dielectric fuse breakdown	碩士	108	—	無法計算
110	以40 nm CMOS技術實現通用安全函數功能晶片 The Chip Implementation of Universal-Security-Function (USF) on a 40 nm CMOS Technology 電子研究所・共同指導：莊紹勳通用安全函數、物理不可複製函數、真隨機亂數產生器、單一電晶體單元、記憶體陣列、Universal Security Function、Physical Unclonable Function、True Random Number Generator、1T unit-cell、memory array	碩士	108	2021-11-29	2.33 年
110	以第一原理與量子傳輸理論來計算在汲源極與閘極電壓下之二硫化鉬/金屬側接觸 First-principles and Quantum-transport Calculations of the Biased and Gated MoS2/Metal Side Contacts 電子研究所・共同指導：林炯源二維材料、第一原理、量子傳輸、接觸電阻、費米能階扎釘效應、First-principles、Quantum-transport、2D Material、Contact Resistance、Fermi Level Pinning	碩士	108	2021-09-26	2.15 年
110	利用鰭式電晶體之變異性實現物理不可複製函數 The Implementation of Physical Unclonable Function (PUF) Based on FinFET Variation 電子研究所・共同指導：莊紹勳鰭式場效電晶體、電性變異、隨機缺陷擾動、虛擬傳輸模型、物理不可複製函數、物聯網、FinFET、Process Induced Variations、Stress Induced Variations、Virtual Source Model、Physical Unclonable Function (PUF)、Internet of Things (IoT)	碩士	108	—	無法計算
110	利用阻變式閘極鰭式場效電晶體陣列實現物理不可複製函數 The Implementation of Physical Unclonable Function (PUF) on a Resistive-Gate FinFET Memory Array 電子研究所・共同指導：莊紹勳阻變式閘極鰭式電晶體、電阻式記憶體、異質整合、多組態、可靠度、物理不可複製函數、物聯網、RG-FinFET、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Heterogeneous Integration、Multilevel、Reliability、Physical Unclonable Function (PUF)、Internet of Things (IoT)	碩士	108	—	無法計算
110	以改良的氧化鋯鉿鐵電鰭式記憶體來實現可靠的多位元操作 Improved HfZrO2 Fe-FinFET Memory to Realizing Highly-Reliable Multi-bit Operation 電子研究所・共同指導：莊紹勳內嵌式鐵電記憶體、HZO鐵電鰭式電晶體、界面層、提升極化量、可靠度、embedded ferroelectric memory、HZO Fe-FinFET、interfacial layer、polarization improvement、reliability	碩士	108	—	無法計算
110	以16奈米鰭式場效電晶體實現接面熔絲崩潰型單次編程記憶體晶片之設計與製作 The Design and Fabrication of One Time Programmable Memory with Junction Fuse Mechanism Implemented on 16nm FinFET Process 電子研究所・共同指導：莊紹勳單次/多次編成記憶體、鰭式電晶體、接面熔斷崩潰、內嵌式記憶體、低編程電壓、one-time/multiple-time-programmable(OTP/MTP) memory、FinFET、junction fuse breakdown、embedded memory、low programming voltage	碩士	108	—	無法計算
107	高頻特性分析與模擬應用於28奈米多閘nMOSFETs 包含元件佈局效應 High Frequency Characterization and Simulation for 28nm Multi-finger nMOSFETs with Layout Dependent Effects 電機資訊國際學程多指MOSFET、有效的流动性、布局依赖效果、高频分析、截止频率、最大振荡频率、Multi finger MOSFETs、Effective mobility、Layout Dependent Effects、High Frequency Analysis、Cut-off frequency、Maximum oscillation frequency	碩士	104	2019-02-17	3.55 年
107	完整的寄生RLC萃取方法與等效電路模型之建立應用於多閘指與多環狀元件中包括佈局與技術微縮效應之高頻特性與雜訊分析與模擬 A Comprehensive Parasitic RLC Extraction Method and Equivalent Circuit Model for High Frequency and RF Noise Analysis and Simulation in Multi-finger and Multi-ring nMOSFETs with Layout Dependent and Technology Scaling Effects 電子研究所射頻元件、多閘指元件、高頻特性優化、高頻元件建模、RF devices、Multi-finger device、High frequency performance	碩士	104	2019-01-28	3.49 年
107	應用氧化鋯鉿鐵電特性達低功耗負電容砷化鎵銦鰭式電晶體特性之研究 Negative Capacitance InGaAs FinFETs with Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide for Ultra Low Power Applications 電子研究所・共同指導：張翼砷化鎵銦、鐵電、氧化鋯鉿、負電容、鰭式場效電晶體、InGaAs、ferroelectric、HZO、negative capacitive、NC-FinFETs	碩士	105	2018-12-26	2.40 年
107	單晶片整合數位MEMS溫度計與溫度補償之實時時鐘於1P6M ASIC CMOS MEMS 製程 Monolithic Integration of Digital MEMS Thermometer and temperature compensated RTC on 1P6M ASIC compatible CMOS MEMS process 電子研究所・共同指導：溫瓌岸微機電、溫度計、實時時鐘、MEMS、thermometer、RTC	碩士	105	2018-11-05	2.26 年
106	奈米CMOS元件模型與參數萃取方法應用於包含佈局與溫度效應之高頻模擬與射頻雜訊分析 Nanoscale CMOS Devices Modeling and Parameters Extraction Methods for High Frequency Simulation and RF Noise Analysis containing Layout and Temperature Dependent Effects 電子研究所射頻、多閘指、溫度、佈局、RF、muti-finger、temperature、layout	碩士	104	2018-07-26	2.98 年
106	應用於奈米MOSFET之新式方法以準確萃取元件本質RF與AC效能參數以及等效電路模型用於高頻特性與雜訊模擬 New Methods for Accurate Extraction of Intrinsic RF and AC Performance and Equivalent Circuit Models for High Frequency and RF Noise Simulation in Nanoscale MOSFETs with Various Layouts 電子研究所元件本質RF與AC效能參數萃取、等效電路模型用於高頻特性與雜訊模擬、Extraction of Intrinsic RF and AC Performance	碩士	104	2018-07-26	2.98 年
106	新式方法以萃取本質寄生RLC與小訊號等效電路模型應用於三端與四端奈米多閘指金氧半場效電晶體之高頻與雜訊模擬 New Methods for Intrinsic Parasitic RLC Extraction and Small signal Equivalent Circuit Models for High Frequency and RF Noise Simulation in 3T and 4T Nanoscale Multi-finger MOSFETs 電子研究所多閘指電晶體、萃取寄生電阻、小訊號等效電路模型、高頻模擬、雜訊模擬、Multi-finger MOSFETs、Parasitic RLC Extraction、Small signal Equivalent Circuit Models、High Frequency Simulation、RF Noise Simulation	碩士	103	2018-07-25	3.98 年
104	奈米Si CMOS元件模型與參數萃取方法應用於包含佈局與應力工程效應之高頻模擬與雜訊分析 Nano Si CMOS Devices Modeling and Parameters Extraction Methods for Layout Dependent Effects and Strain Engineering in High Frequency Simulation and Noise Analysis 電子工程學系電子研究所閃爍雜訊、高頻雜訊、佈局依賴效應、等效寬度、多閘指、雜散電容、閘極電阻、flicker noise、RF noise、layout dependent effect、effective width、multifinger、parasitic capacitance、gate resistance	博士	94	2016-07-27	10.99 年
103	元件參數萃取與解析式模型以探討奈米CMOS元件佈局效應對於直流與高頻特性影響 Parameters Extraction and Analytical Models for Layout Dependent Effects in DC and HF Characteristics of Nanoscale CMOS Devices 電子工程學系電子研究所元件佈局效應、門檻電壓、元件參數萃取、淺溝槽隔離層應力、等效載子遷移率、解析式模型、高頻特性、layout dependent effects、threshold voltage、device parameters extraction、STI stress、effective mobility、analytical model、high frequency characteristics	碩士	102	2015-05-30	1.83 年
103	元件佈局相關之寄生效應和參數萃取方法應用於奈米射頻CMOS模擬及雜訊分析 Layout Dependent Parasitic and Device Parameters Extraction Methods for RF CMOS Simulation and Noise Analysis in Nano Si CMOS Technology 電子工程學系電子研究所隨機電報雜訊、源極電阻萃取、高頻雜訊、RTN、Rs Extraction、RF Noise	碩士	100	2015-01-29	3.50 年
103	低功耗CMOS超寬頻與毫米波低雜訊放大器之分析與設計 Low Power CMOS Ultra-Wide-Band and Millimeter-Wave Low Noise Amplifiers Analysis and Design 電子工程學系電子研究所超寬頻、V頻帶、UWB、V band	碩士	100	—	無法計算
100	四埠射頻金氧半電晶體與共用源汲極主動區之新型串疊結構的小訊號等效電路模型 Small Signal Equivalent Circuit Models Development and Verification for Four-port RF MOSFET and New Cascode Structure with Merged Source Drain Diffusion 電子工程學系電子研究所射頻金氧半電晶體、小訊號等效電路、RF MOSFET、RF modeling、Small Signal Equivalent Circuit、Cascode Structure	碩士	97	2011-12-16	3.37 年