莊紹勳

Chung, Steve S.・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.49 年

中位數 2.21 年・41 人

博士平均畢業時長

1.89 年

中位數 1.89 年・1 人

收錄論文

50 篇

101–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

電阻式記憶體可靠度FinFETReliability鰭式電晶體RRAM物理不可複製函數異質整合隨機電報雜訊RTNMultilevelResistive Random-Access Memory (RRAM)低功耗CMOSTrigate垂直式電阻式記憶體Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)Heterogeneous Integration記憶體內運算神經網路人工智慧Neural NetworkEmbedded Memory鰭式場效電晶體物聯網Internet of Things (IoT)介電質熔絲崩潰Anti-fuse breakdownRG-FinFET非揮發性記憶體Dielectric Breakdown二氧化鉿low power阻變式閘極電晶體多階操作Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)Heterogeneously integrationMultilevel Operation阻變式閘極鰭式電晶體多組態虛擬傳輸模型Virtual Source Model內嵌式記憶體終端應用Artificial IntelligenceEdge Application反熔絲崩潰Dielectric fuse breakdownPhysical Unclonable Function隨機缺陷擾動

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	低操作電壓四層垂直式 RRAM 陣列之設計與晶片實現 Design and Chip Implementation of a Low Operating Voltage Four-Layer Vertical RRAM Array 電子研究所・共同指導：郭治群垂直式電阻式記憶體、阻變式閘極電晶體、異質整合、多階操作、可靠度、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)、Heterogeneously integration、Multilevel Operation、Reliability	碩士	112	2026-01-29	2.50 年
114	16奈米鰭式場效電晶體為基礎的垂直結構電阻式記憶體的設計與實現 The Design and Implementation of a 16nm FinFET-based Vertical Resistive-Gate RAM 電子研究所・共同指導：郭治群阻變式閘極鰭式電晶體、三維垂直結構的電阻式隨機存取記憶體、異質整合、多組態、變異度、可靠度、虛擬傳輸模型、RG-RAM、Vertical Structure of Resistive Random Access Memory (VRRAM)、Heterogeneous Integration、Multilevel、Variability、Reliability、Virtual Source Model	碩士	111	2025-09-10	3.11 年
113	以28奈米電阻式閘極記憶體實現記憶體內運算晶片 The Implementation of a 28nm Resistive-Gate RAM-Based Compute-In-Memory Macro 電子研究所・共同指導：郭治群電阻式記憶體、電阻式閘極電晶體、記憶體內運算、神經網路、人工智慧、邊緣運算、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Resistive-Gate RAM、Compute-In-Memory (CIM)、Neural Network、Artificial Intelligence (AI)、Edge Computing	碩士	111	2025-02-12	2.54 年
113	運用特定阻變閘極結構實現三維垂直電阻式記憶體 Implementation of 3D Vertical RRAM with a Unique Resistive-Gate Architecture 電子研究所・共同指導：郭治群垂直式電阻式記憶體、阻變式閘極電晶體、異質整合、多階操作、可靠度、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Resistive-Gate Random Access Memory (RG-RAM)、Heterogeneously integration、Multilevel Operation、Reliability	碩士	111	2025-02-12	2.54 年
112	鐵電穿隧接面記憶體陣列的實現 The Implementation of a Ferroelectric Tunneling Junction Memory Array 電子研究所・共同指導：李佩雯鐵電穿隧接面記憶體、內嵌式記憶體、異質整合、多組態操作、可靠度、Ferroelectric Tunneling Junction (FTJ)、Embedded Memory、Heterogeneous Integration、Multilevel、Reliability	碩士	110	2024-07-09	2.94 年
112	垂直結構的電阻式記憶體陣列與CMOS平台的整合 The Integration of a Vertical Resistance Random Access Memory Array with CMOS Platform 電子研究所・共同指導：郭治群電阻式記憶體、垂直式電阻式記憶體、側壁式、對稱操作、多阻態、可靠度、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Vertical Resistance Random Access Memory (VRRAM)、Sidewall Design、Symmetrical Operation、Multilevel、Reliability	碩士	110	2024-02-01	2.50 年
112	以16奈米鰭式電晶體實現記憶體運算架構 The Implementation of a 16 nm FinFET-Based Compute-In-Memory Macro 電子研究所・共同指導：郭治群記憶體內運算、動態隨機存取記憶體、鰭式電晶體、神經網路、人工智慧、終端應用、Compute-In-Memory、Embedded Dynamic Random-Access Memory、FinFET、Neural Network、Artificial Intelligence、Edge Application	碩士	110	2024-01-29	2.49 年
111	一種運用16奈米鰭式電晶體平台製作的一次性編程三態可定址記憶體加密平台 A Cryptographic Platform Implemented by OTP-based TCAM in 16 nm FinFET Technology 電子研究所・共同指導：郭治群鰭式場效電晶體、一次性編程、三態可定址記憶體、加密系統、物聯網、Cryptographic Platform、FinFET、Internet of Things (IoT)、One Time Programming (OTP)、Ternary Content Addressable Memory (TCAM)	碩士	108	—	無法計算
111	以40奈米CMOS技術實現一次性編程物理不可複製函數應用於人工智慧物聯網之身分驗證 Identity-authentication of AIoT Devices through OTP-based Physical Unclonable Function Implemented on 40nm CMOS Platform 電子研究所・共同指導：郭治群人工智慧物聯網、守門員平台、物理不可複製函數、一次性編程記憶體、鰭式電晶體、反熔絲崩潰、介電質熔絲崩潰、Artificial Intelligence of Things (AIoT)、Goalkeeper platform、Physically-unclonable Function (PUF)、One-time Programmable (OTP) memory、Anti-fuse breakdown、Dielectric fuse breakdown	碩士	108	—	無法計算
111	採用阻變閘極鰭式電晶體的神經網路高效能推論處理器 An Energy Efficient Inference Processor of Neural Network Based on Resistive-gate FinFET 人工智慧技術與應用碩士學位學程・共同指導：侯拓宏近記憶體運算、記憶體內運算、電阻式記憶體、電阻式閘極鰭式電晶體、神經網路、人工智慧、終端應用、Near Memory Computing、Computing in Memory (CIM)、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、RG-FinFET、Neural Network、Artificial Intelligence、Edge Application	碩士	109	—	無法計算
110	以40 nm CMOS技術實現通用安全函數功能晶片 The Chip Implementation of Universal-Security-Function (USF) on a 40 nm CMOS Technology 電子研究所・共同指導：郭治群通用安全函數、物理不可複製函數、真隨機亂數產生器、單一電晶體單元、記憶體陣列、Universal Security Function、Physical Unclonable Function、True Random Number Generator、1T unit-cell、memory array	碩士	108	2021-11-29	2.33 年
110	利用鰭式電晶體之變異性實現物理不可複製函數 The Implementation of Physical Unclonable Function (PUF) Based on FinFET Variation 電子研究所・共同指導：郭治群鰭式場效電晶體、電性變異、隨機缺陷擾動、虛擬傳輸模型、物理不可複製函數、物聯網、FinFET、Process Induced Variations、Stress Induced Variations、Virtual Source Model、Physical Unclonable Function (PUF)、Internet of Things (IoT)	碩士	108	—	無法計算
110	利用阻變式閘極鰭式場效電晶體陣列實現物理不可複製函數 The Implementation of Physical Unclonable Function (PUF) on a Resistive-Gate FinFET Memory Array 電子研究所・共同指導：郭治群阻變式閘極鰭式電晶體、電阻式記憶體、異質整合、多組態、可靠度、物理不可複製函數、物聯網、RG-FinFET、Resistive Random-Access Memory (RRAM)、Heterogeneous Integration、Multilevel、Reliability、Physical Unclonable Function (PUF)、Internet of Things (IoT)	碩士	108	—	無法計算
110	以改良的氧化鋯鉿鐵電鰭式記憶體來實現可靠的多位元操作 Improved HfZrO2 Fe-FinFET Memory to Realizing Highly-Reliable Multi-bit Operation 電子研究所・共同指導：郭治群內嵌式鐵電記憶體、HZO鐵電鰭式電晶體、界面層、提升極化量、可靠度、embedded ferroelectric memory、HZO Fe-FinFET、interfacial layer、polarization improvement、reliability	碩士	108	—	無法計算
110	以16奈米鰭式場效電晶體實現接面熔絲崩潰型單次編程記憶體晶片之設計與製作 The Design and Fabrication of One Time Programmable Memory with Junction Fuse Mechanism Implemented on 16nm FinFET Process 電子研究所・共同指導：郭治群單次/多次編成記憶體、鰭式電晶體、接面熔斷崩潰、內嵌式記憶體、低編程電壓、one-time/multiple-time-programmable(OTP/MTP) memory、FinFET、junction fuse breakdown、embedded memory、low programming voltage	碩士	108	—	無法計算
109	阻變式閘極電阻式記憶體的多階儲存單元操作 The Multi-Level Operation of One-Transistor Resistive Random-Access Memory with Gate-Resistance Switching 電子研究所電阻式記憶體、多階儲存單元操作、1T1R、RRAM、Multi-Level	碩士	107	2020-09-03	2.09 年
109	阻變式閘極鰭式場效電晶體陣列於亂數產生器之應用 Gate Resistance Switching FinFET Array for True-Random-Number Generator Application 電子研究所阻變式閘極鰭式場效電晶體、電阻式記憶體、非揮發性記憶體、亂數產生器、RG-FinFET、RRAM、NVM、TRNG	碩士	107	2020-09-01	2.09 年
108	一種新穎物理不可複製函數晶片的實現 A New Architecture of Physical-unclonable-function Chip and Its Implementations 電子研究所反熔絲崩潰、物理不可複製函數、介電質熔絲崩潰、單次可編程記憶體、一次性密碼、機器學習、Anti-fuse Breakdown、Physically-unclonable Function、Dielectric Breakdown、One-time Programmable Memory、One-time Password、Machine Learning	碩士	106	2020-06-04	2.84 年
108	運用多階層式電阻式記憶體實現類神經網路運算 The Implementation of Neuromorphic Computing Network By Multiple Levels Resistance Random Access Memory 電子研究所類神經網路、電阻式記憶體、深度學習、neuromorphic computing、RRAM、deep learning	碩士	104	2020-01-13	4.45 年
108	阻變式閘極非揮發性記憶體於類神經網路之應用 Resistance-Gate Switching Nonvolatile Memory for Neuromorphic Network Application 電子研究所電阻式記憶體、類神經網路、非揮發性記憶體、RRAM、Neuromorphic Network、NVM	碩士	106	2020-01-06	2.43 年
108	改良型高性能鰭式電晶體結構及3奈米技術節點的預測 Improved High Performance FinFET and Its Prediction Down to 3nm Technology Node 電子研究所鰭式電晶體、寄生電容、半導體電腦輔助設計、技術節點預測、FinFET、parasitic capacitance、TCAD、prediction for technology nodes	碩士	106	2019-10-25	2.23 年
108	閘極浮接介電質反熔絲崩潰型單次編程記憶體晶片之設計與製作 The Design and Fabrication of One Time Programmable Memory with Gate Floating Anti-Fuse Breakdown 電子研究所閘極浮接、介電質反熔絲崩潰、單次編程記憶體、Gate Floating、Anti-Fuse Breakdown、One Time Programmable Memory	碩士	106	2019-10-16	2.21 年
108	低電壓低功耗之鰭式穿隧電晶體設計 The Design of Tunneling FET with Fin Structure for Low Voltage and Low Power Applications 電子研究所低電壓、低功耗、鰭式穿隧電晶體、Low Voltage、Low Power Applications、FinTFET	碩士	105	—	無法計算
107	高性能空氣隔離與空氣側壁鰭式電晶體之設計與製作 The Design and Fabrication of FinFET with Both Air Trench Isolation and Air Spacer 電子研究所鰭式電晶體、寄生電阻、空氣側壁、FinFET、air spacer、parasitic resistance	碩士	105	2019-09-01	3.08 年
107	運用鰭式場效電晶體變異性建構物理不可複製函數與亂數產生器 The Construction of Physical Unclonable Function (PUF) and True-Random-Number Generator (TRNG) Based on FinFET Variation 電子研究所物理不可複製函數、真亂數產生器、鰭式場效電晶體、變異性、隨機電報雜訊、Physical Unclonable Function、rue-Random-Number Generatorrue-Random-Number Generator、FinFET、Variation、random telegraph noise	碩士	105	2019-07-23	2.97 年
107	採用矽鍺材料設計的低電壓垂直通道穿隧場效電晶體 Design of Low Voltage Vertical Channel-Tunnel FET (VC-TFET) Using Ge/SiGe Materials 電機資訊國際學程新穎穿隧式場效電晶體、穿隧式場效電晶體、鍺/矽鍺材料、直立式通道、Novel Tunnel FET、TFET、Ge/SiGe、vertical Channel	碩士	105	2019-05-09	2.77 年
107	阻變式閘極非揮發性記憶體的設計與最佳化 The Design and Optimization of the One Transistor Resistance Switching Nonvolatile Memory 電子研究所非揮發性記憶體、電阻式記憶體、鰭式電晶體、1T1R記憶體陣列、Non-Volatile Memory、Resistance Random Access Memory、Fin Field-Effect Transistor、1T1R Memory Array	碩士	104	2018-11-19	3.30 年
107	新世代介電質熔絲崩潰型單次編程記憶體晶片之設計與製作 The Design and Fabrication of Next Generation One Time Programmable Memory Based on the Dielectric Fuse Breakdown 電子研究所介電質熔絲崩潰、單次編程記憶體、嵌入式記憶體、dielectric fuse breakdown、one-time-programmable memory、embedded memory	碩士	105	2018-09-05	2.09 年
106	新穎高性能鰭式電晶體結構及其高頻特性分析 A New Architecture of FinFET for High Performance and the Analysis on Its RF Characteristics 電子研究所鰭式電晶體、射頻、電阻、FinFET、RF、resistance	碩士	104	2018-01-10	2.44 年
106	14奈米鰭式電晶體自熱效應的新穎溫度量測方法及其對傳輸機制之影響 A New Temperature Measurement Technique of the Self-Heating Effect in 14nm FinFET and Its Impact on the Transport Mechanism 電子研究所自熱效應、可靠度、傳輸理論、電晶體溫度、self-heating effect、transport、temperature	碩士	104	2017-09-04	2.09 年
106	一種新穎的鰭式電晶體可程式神經陣列在人工神經網路的應用 A New FinFET-based Field Programmable Synapse Array (FPSA) for Artificial Neural Network Applications 電子研究所鰭式電晶體、人工神經網路、機器學習、FinFET、Artificial Neural Network、Machine-learing	碩士	104	2017-09-04	2.09 年
105	利用介電層熔斷崩潰之電阻式記憶單元設計新穎的內嵌式可重寫單次寫入唯讀記憶體 A Novel ReWritable One-Time-Programming Memory Realized by Dielectric-fuse of RRAM for Embedded Applications 電子研究所一次編程唯讀記憶體、電阻式記憶體、介電層熔斷崩潰、OTP、RRAM、Dielectric breakdown	碩士	103	2016-09-04	2.09 年
104	三維電晶體由製程與長時間操作導致電特性變異之多面向探討 Various Aspects of the Process and Stress Induced Variabilities in Tri-gate Transistors 電子工程學系電子研究所三維金氧半互補式電晶體、製程所致之電特性變異、長時間操作所致之電特性變異、雜質隨機分佈擾動、隨機缺陷擾動、隨機電報雜訊、表面粗糙擾動、邊線不平整擾動、功函數擾動、驅動電流擾動、電路和系統擾動、3D CMOS Devices、Process-induced Variabilities、Long-term-stress-induced Variabilities、Random-dopant-fluctuation(RDF)、Random-trap-fluctuation(RTF)、Random-telegraph-noise(RTN)、Surface- roughness-variation (SRV)、Line-edge-roughness(LER)、Work-function-fluctuation、Drain-current-variation、Circuit-and-system-level variation	博士	103	2016-06-23	1.89 年
104	高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討 New Understandings on the Correlation Between Work-function Fluctuation and Vth Variation in HKMG CMOS Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：汪大暉高介電氧化層、介面偶極、功函數變異、氧化層缺陷、偏壓溫度不穩定性、互補式電晶體、high-k dielectric、interfacial dipole、work function variation、oxide trap、bias temperature instability、CMOS	碩士	102	2015-09-09	2.11 年
104	雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化 The Design and Optimization of a Low Power Bi-layer Resistance RAM 電子工程學系電子研究所・共同指導：汪大暉電阻式記憶體、低功耗、雙介電層、三氧化二鋁、二氧化鉿、RRAM、low power、bi-layer、Al2O3、HO2	碩士	102	2015-09-09	2.11 年
104	運用介電層熔斷崩潰機制設計新穎的單次寫入唯讀記憶體 A One-Time-Programmable Array Based on a New Dielectric Fuse Breakdown Mechanism 電子工程學系電子研究所單次寫入唯讀記憶體、互補式電晶體、熔斷、介電層崩潰、隨機電報雜訊、可靠度、OTP、CMOS、fuse、dielectric breakdown、RTN、Reliability	碩士	102	2015-09-08	2.10 年
103	互補式面穿隧場效電晶體之結構設計與低功耗電路應用探討 Design of the Complementary Face-Tunneling FET for Ultra-low Power Applications 電子工程學系電子研究所穿隧電晶體、面穿隧、閘極-源極電容、反向器、靜態隨機儲存記憶體、低功耗、TFET、Face Tunneling、Gate to Drain Capacitance、inverter、SRAM、Low Power	碩士	102	2015-08-12	2.03 年
103	淺溝渠隔離氧化層對三維閘極電晶體的可靠性影響 The Impact of the Shallow Trench Isolation on the Reliability of Trigate MOSFET 電子工程學系電子研究所淺溝渠隔離氧化層、三閘極電晶體、可靠度、負偏壓溫度不穩定度、shallow trench isolation、Trigate、reliability、NBTI	碩士	98	2015-07-30	5.99 年
103	探討金屬高介電層互補式金氧半電晶體崩潰的新穎方法 A New Methodology on the Investigation of Dielectric Breakdown in High-K Metal-Gate CMOS Devices 電子工程學系電子研究所高介電材料、二氧化鉿、氧化層崩潰、隨機電報機雜訊、high K metal gate、CMOS、TDDB、RTN	碩士	101	2014-09-03	2.09 年
103	三維金氧半電晶體基本邏輯閘電路的變異性模型 A Circuit Level Variability Model of Basic Logic Circuits in Trigate CMOS Devices 電子工程學系電子研究所變異性、三維電晶體、variation、trigate、transport theory	碩士	101	2014-09-03	2.09 年
103	雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與導通機制探討 The Design and Fabrication of Low Power Bi-layer RRAM and the Study of Its Conduction Mechanism 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、低功耗、氮氧化鉿、RRAM、low power、HfON	碩士	101	2014-09-03	2.09 年
102	由實驗方法分析三維金氧半電晶體的彈道傳輸特性 Experimental Determination of the Ballistic Transport Characteristics of Nanoscale Trigate MOSFETs 電子工程學系電子研究所三維電晶體、鰭式電晶體、三柵極電晶體、彈道傳輸、實驗方法、Trigate、finFET、ballsitic transport、experimental	碩士	100	2013-09-02	2.09 年
102	閘極漏電流的變異對三維金氧半電晶體的影響 The Impact of the Gate Current Variation on the Trigate MOSFETs 電子工程學系電子研究所閘極漏電的變異、金氧半電晶體、gate current variation、MOSFET	碩士	100	2013-08-30	2.08 年
102	U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之耐久性及資料保存探討 The Investigation of Endurance and Data Retention for U-Shaped MTP SONOS Flash Memory 電子工程學系電子研究所快閃式記憶體、耐久性、資料保存、Flash Memory、SONOS、Endurance、Retention	碩士	100	2013-08-30	2.08 年
102	二氧化鉿電阻式記憶體之探討與隨機電報雜訊分析 The Study of Device Characteristics and the Random Telegraph Noise Analysis in HfO2-based Resistive Random Access Memory 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、隨機電報雜訊、操作、氧離子、RRAM、RTN、Operation、Oxygen atom	碩士	100	2013-08-30	2.08 年
102	二氧化鉿高介電層之N通道金氧半電晶體氧化層缺陷研究 The Investigation of Oxide Traps in Advanced HfO2 Gate Dielectric nMOSFETs 電子工程學系電子研究所二氧化鉿、高介電層、氧化層缺陷、Oxide Traps、HfO2、nMOSFETs	碩士	100	2013-08-30	2.08 年
101	運用隨機電報訊號方法分析三閘極電晶體的多層級氧化層陷阱 The Multi-trap Analysis of Trigate MOSFETs Using the Random Telegraph Noise Measurement 電子工程學系電子研究所隨機電報訊號、三閘極電晶體、靜態隨機記憶體、互補式金氧半電晶體、RTN、TRIGATE、SRAM、CMOS	碩士	99	2012-11-23	2.31 年
101	CMOS製程相容U型多重讀寫氮化矽快閃式記憶體之物理機制與可靠性探討 Investigation of the Mechanism and Reliability of a U-Shaped MTP SONOS Flash Memory Cell by a CMOS Logic Process 電子工程學系電子研究所記憶體、SONOS	碩士	99	2012-11-23	2.31 年
101	二氧化鉿電阻式記憶體多位元操作之隨機電報雜訊分析 The Random Telegraph Noise (RTN) Analysis of Multi-Level Operation Methods in HfO2-based ResistiveRandom Access Memory 電子工程學系電子研究所隨機電報雜訊、電阻式記憶體、多位元、RTN、RRAM、Multi-Level	碩士	99	2012-09-06	2.10 年
101	使用新的量測方法探討三面閘極金氧半電晶體氧化層隨機陷阱造成之擾動效應 The Random Trap Induced Fluctuations of Bulk Tri-gate Devices by a New Trap Profiling Technique 電子工程學系電子研究所三面閘極金氧半電晶體、氧化層隨機陷阱、電性擾動效應、Tri-gate MOSFET、Random Trap Fluctuation	碩士	99	2012-09-04	2.09 年