李佩雯

Li, Pei-Wen・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.52 年

中位數 2.39 年・30 人

博士平均畢業時長

4.92 年

中位數 4.32 年・4 人

收錄論文

34 篇

106–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

鍺量子點鍺量子點quantum dotgermanium光電晶體Gephototransistorquantum dots光偵測器germanium (Ge)耦合量子點自我對準電極薄膜電晶體photodetectorphotodiode光連結optical interconnect實體定義量子點微型盤共振腔germanium quantum dotsmicrodisk resonatordouble quantum dots鍺光偵測器germanium quantum dotgermanium photodetectorscouple quantum dotself-aligned electrode單電洞電晶體多晶矽Thin-Film TransistorPoly-SiT-Shaped GateQuantum dot (QD)自我對準self-aligned氮化矽緻密化coupled quantum dotsGe quantum dots光電二極體凹陷式源極/汲極recess source/drain矽基電荷量子位元線性陣列鍺量子點結構physically defined quantum dotsSi-based charge qubitslinear array germanium quantum dot structure矽光子光源silicon photonics

想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	超薄矽本體厚度對鍺量子點P-I-N光電二極體的影響 Effect of Ultra-Thin Body Thickness on Ge Quantum Dot P-I-N Photodiode 電子研究所鍺、量子點、光偵測器、光電二極體、凹陷式源極/汲極、Ge、quantum dot、photodetector、photodiode、recess source/drain	碩士	111	2026-02-02	3.51 年
113	鍺量子點光電晶體應用於光連結與光偵測 Ge Quantum Dot Phototransistors for Optical Interconnects and Photon Detection 電子研究所鍺、量子點、光電晶體、光連結、光偵測器、germanium (Ge)、quantum dot、phototransistor、optical interconnect、photodetector	博士	107	2025-06-09	6.86 年
113	線性鏈鍺雙量子點元件製程開發 Linear Chain Ge Double Quantum Dots for Quantum Electronic Devices 電子研究所鍺、實體定義量子點、矽基電荷量子位元、線性陣列鍺量子點結構、germanium、physically defined quantum dots、Si-based charge qubits、linear array germanium quantum dot structure	碩士	111	2025-03-30	2.66 年
113	鍺量子點/矽/二氧化矽微型盤共振腔之設計實作與特性分析 Design and Characterization of Ge Quantum Dot/Si/SiO₂ Microdisk Resonators 電子研究所鍺量子點、微型盤共振腔、矽光子、光源、光連結、germanium quantum dots、microdisk resonator、silicon photonics、optical interconnect、light source	碩士	110	2025-03-17	3.62 年
113	垂直堆疊式成對鍺雙量子點結構的關鍵製程 Design and Fabrication of Vertically-Stacking Germanium Paired Double Quantum Dot Structure 電子研究所鍺、量子點、雙量子點對、垂直堆疊、氫氟酸蒸氣蝕刻、germanium、quantum dots、double quantum dots、vertically stacking、HF vapor	碩士	110	2025-02-25	3.57 年
113	在超薄矽本體絕緣層平台上之氮化矽波導耦合鍺量子點P-I-N光二極體佐以提昇P+/N+ 電極 Si3N4 waveguide coupled Ge-QD pin photodiodes with raised P+/N+ electrodes on ultra-thin body SOI platform 電子研究所鍺、量子點、氮化矽、光波導、光偵測器、germanium、quantum dots、Si3N4、waveguide、photodiode	碩士	111	2025-02-13	2.54 年
113	鍺耦合雙量子點元件之硬壁位障工程設計與穿隧電流特性 Hardwall Barrier Engineering in Self-Assembled Ge Double Quantum Dots Devices and Tunneling Current Spectroscopy 電子研究所鍺、實體定義量子點、矽基電荷量子點、中度耦合位障、硬壁位障、germanium、physically defined double quantum dots、moderate inter-QD coupling energy、hardwall barrier、Si-based charge qubit	碩士	111	2025-01-23	2.48 年
112	鐵電穿隧接面記憶體陣列的實現 The Implementation of a Ferroelectric Tunneling Junction Memory Array 電子研究所・共同指導：莊紹勳鐵電穿隧接面記憶體、內嵌式記憶體、異質整合、多組態操作、可靠度、Ferroelectric Tunneling Junction (FTJ)、Embedded Memory、Heterogeneous Integration、Multilevel、Reliability	碩士	110	2024-07-09	2.94 年
112	可重組鍺量子點陣列建置以及鍺雙量子點電荷量子位元可行性驗證評估 Reconfigurable Germanium Quantum-dot/Si-based Barriers Array and Functional Double Quantum-dots Charge Qubit 電子研究所鍺、量子點、矽基量子位元、電荷量子位元、量子計算、germanium (Ge)、quantum dot、Si-based qubit、charge qubit、quantum computing	博士	108	2023-12-03	4.34 年
112	具自我對準源極/汲極之平面式鍺雙量子點元件製程設計及整合 Process Design and Integration of Planar Ge Double Quantum Dots Devices with Self-aligned Source/Drain Electrodes 電子研究所鍺、量子點、鍺雙量子點元件、高蝕刻選擇比、germanium、quantum dot、double quantum dots、high etch selectivity	碩士	110	2023-10-16	2.21 年
111	單石整合鍺量子點/二氧化矽/氮化矽微型盤共振腔與 P-I-N 鍺量子點光二極體之設計實作與特性分析 Monolithic Integration of Germanium Quantum Dot/SiO2/Si3N4 Microdisk Resonators and P-I-N Germanium Quantum Dot Photodiodes via Si3N4 Top Waveguides 電子研究所鍺量子點、微型盤共振腔、鍺光偵測器、單石整合、germanium quantum dot、microdisk resonator、germanium photodetectors、monolithic integration	碩士	109	2022-12-21	2.39 年
111	具有自組式耦合能障與自我對準源極/汲極之鍺雙量子點量子元件製程開發 Ge Double Quantum Dots with Self-organized Coupling Barriers and Self-aligned Source/Drain Electrodes for Quantum Electronic Devices 電子研究所鍺、量子點、耦合量子點、自我對準電極、germanium、quantum dot、couple quantum dot、self-aligned electrode	碩士	109	2022-11-28	2.32 年
110	P-I-N 鍺量子點光二極體與鍺量子點/二氧化矽/矽鍺通道光電晶體之研製與特性 Fabrication and Characterization of Germanium Quantum Dot P-I-N Photodiodes and Germanium Quantum Dot/SiO2/SiGe PhotoMOSFETs 電子研究所鍺量子點、鍺光偵測器、光電晶體、鍺、量子點、germanium quantum dot、germanium photodetectors、photoMOSFETs、germanium、quantum dot	碩士	108	2021-12-20	2.39 年
110	自我對準鍺雙量子點元件之閘/源/汲極關鍵製程開發 Key Process Module Design for Germanium Double Quantum Dots Devices with Individual Plunger Gates and Self-aligned Source/Drain Electrodes 電子研究所鍺、量子點、耦合量子點、自我對準電極、germanium、quantum dot、couple quantum dot、self-aligned electrode	碩士	108	2021-11-10	2.28 年
110	自我對準閘極與源/汲極鍺量子點單電洞電晶體之關鍵製程技術開發 Key Process Modules Design for Germanium Quantum Dot Single Hole Transistors with Self-aligned Gate and Source/Drain Electrodes 電子研究所鍺、量子點、單電洞電晶體、自我對準閘極、矽化鎳、germanium、quantum dot、single hole transistor、self-aligned gate、nickel silicide	碩士	108	2021-11-10	2.28 年
110	T 型閘極多晶矽薄膜電晶體之關閉狀態漏電流機制與特性研究 Study on the Mechanisms of Off-state Current of T-gate Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors 電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜電晶體、多晶矽、T 型閘極、場效傳導機制、場效傳導活化能、Thin-Film Transistor、Poly-Si、T-Shaped Gate、off-state conduction mechanism、activation energy	碩士	108	2021-10-20	2.22 年
110	平面式鍺量子點單電洞電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Electrical Characterization of Planar Germanium Quantum Dot Single Hole Transistor 電子研究所・共同指導：蔡嘉明鍺、量子點、單電洞電晶體、庫倫震盪、庫倫階梯、Germanium (Ge)、Quantum dot (QD)、Single hole transistor (SHT)、Coulomb oscillation、Coulomb staircase	碩士	108	2021-10-13	2.20 年
109	適用於 More-than-Moore 世代之薄膜電晶體技術研究 Study of Poly-Si and IGZO Thin-Film Transistors for More-than-Moore Applications 電子研究所・共同指導：林鴻志 T型閘、多晶矽、射頻元件、薄膜電晶體、選擇性蝕刻、自我對準矽化、空氣邊襯、過渡金屬氧化物半導體、銦鉫鋅氧化物、T-shaped gate、poly-Si、radio frequency device、thin-film transistor、selective etching、SALICIDE、air-spacer、transition metal oxide semiconductor、IGZO	博士	105	2020-11-24	4.31 年
109	以電子顯微鏡技術解析鍺量子點/矽基薄層與輔助奈米電極製作 Electron microscopy technology analysis of germanium quantum dots/Si-containing layers and assistance in nanoelectrode fabrication 電子研究所電子穿透顯微鏡、奈米探針、電路修補、廣角 X 光繞射、電子能量損失譜、能量色散 X射線譜、掃描試電子穿透顯微鏡、鍺量子點、電子束球面像差修正器、TEM/STEM、Nano-probe system、Circuit-editor、WARD、EELS、EDXS、Ge quantum dot、Cs-corrector	博士	105	2020-09-28	4.16 年
109	自我對準閘與提昇型源/汲極鍺量子點電晶體之製作與特性分析 Fabrication and Electrical Characterization of Ge-Quantum Dot Transistors with Self-aligned Gate in Combination with Raised Source/Drain Electrodes 電子研究所鍺、量子點、自我對準、提昇型源/汲極、單電子、Ge、quantum dot (QD)、self-aligned、raised source/drain、single-electron	碩士	107	2020-09-21	2.14 年
109	鍺量子點/二氧化矽/矽鍺通道PIN光電晶體之研製與光電特性分析 Fabrication and Characterization of Germanium Quantum Dot/SiO2/SiGe P-I-N photoMOSFET 國際半導體產業學院・共同指導：管延城鍺、量子點、光電晶體、Germanium、Quantum Dot、Phototransistor	碩士	107	2020-09-21	2.14 年
108	具有自我對準閘與提昇型源汲電極鍺單電子電晶體之關鍵製程製作 Key Process Modules Design for Ge-Quantum Dot Single-Electron Transistors with Self-aligned Gate in combination with Raised Source/Drain Electrodes 電子研究所單電子電晶體、鍺量子點、自我對準、Single-electron transistor、Gemanium、Quantum dot、Self-aligned	碩士	106	2020-02-16	2.54 年
108	於中溫區段形成一體成型的鍺量子點/二氧化矽/矽鍺殼層異質結構 Formation of Ge QD/SiO2/SiGe Shell heterostructure formed at medium temperatures 電子研究所鍺量子點、氮化矽緻密化、Ge QD、nitride densification	碩士	106	2019-12-11	2.36 年
108	以單一熱氧化製程步驟量身設計的SiGe側壁結構可同時形成成對的Ge量子點 Simultaneous formation of paired Ge quantum dots by thermal oxidation of designer poly-SiGe spacer 電子研究所鍺、量子點、氮化矽緻密化、積體電路製程、耦合量子點、Ge、quantum dots、silicon nitride densification、coupled quantum dots	碩士	106	2019-11-26	2.32 年
108	優化鍺雙量子點元件結構設計及自我對準電極之製作 Optimized design for fabrication of paired Ge double quantum dots with self-aligned electrodes 電子研究所鍺、量子點、量子點耦合元件、自我對準電極、Ge、Quantum dots、Coupled quantum dots、Self-aligned electrodes	碩士	106	2019-11-26	2.32 年
108	可調控量子尺寸與矩陣應力效應對鍺量子點內嵌於二氧化矽/氮化矽結構與光學特性影響 Tunable quantum-size and matrix-strain effects on structural and optical properties of Ge quantum dots embedded within SiO2/Si3N4 matrices 電子研究所鍺量子點、量子尺寸效應、矩陣應力效應、光激發螢光、Ge quantum dots、quantum-size effects、matrix-strain effects、photoluminescence	碩士	106	2019-11-20	2.30 年
107	50奈米鍺量子點/矽鍺殼 N-型金氧半光電晶體之研製與分析 Fabrication and Characterization of 50 nm Ge-QD/SiGe Shell NMOS Phototransistor 電子研究所鍺量子點、光電晶體、Germanium Quantum Dots、Phototransistor	碩士	105	2019-05-25	2.81 年
107	矽鍺材料於鍺奈米球/二氧化矽/矽鍺奈米片異質結構中之應力及鍺含量探討 Structural Insight on Strain and Ge Content within SiGe Nanosheet Created by Proximal Ge Nanospheres 電子研究所・共同指導：林鴻志矽鍺、奈米片、應力工程、通道工程、SiGe nanosheet、channel engineering、strain engineering、TEM	碩士	105	2019-03-05	2.59 年
107	鍺間隙子之動態分佈與量子電腦之鍺雙量子點系統設計 Dynamic distribution of Ge interstitial and Formation of Double Quantum Dots System for Quantum Computer 電子研究所・共同指導：林鴻志鍺間隙子、量子電腦、量子點、Ge interstitial、Quantum Computer、Quantum Dot	碩士	105	2019-01-28	2.49 年
107	薄膜輪廓工法之鐵電材料氧化鋯鉿負電容薄膜電晶體之製作與特性研究 Negative Capacitance and Ferroelectric Effects of FPE HZO TFTs 電子研究所・共同指導：林鴻志薄膜輪廓工法、鐵電材料、負電容、薄膜電晶體、Film-profile engineering、Ferroelectric material、Negative capacitance、Thin film transistor	碩士	105	2019-01-17	2.46 年
107	矩陣效應對於高溫氧化矽鍺合金形成鍺奈米晶粒之結構與發光特性影響 Matrix Effects on structural properties and luminescence of Ge nanocrystals formed by condensation of SiGe via high-temperature oxidation 電子研究所鍺量子點、矩陣應力、發光特性、濃縮矽鍺、Ge quantum dots、Matrix strain、Light emission characteristics、Condensed SiGe	碩士	105	2018-10-08	2.18 年
106	矽鍺通道之垂直通心粉電晶體製程的可行性評估 Feasibility Assessment on Vertical SiGe Macaroni Transistors 電子研究所通心粉電晶體、矽鍺層、鍺量子點、macaroni transistor、SiGe、Ge QDs	碩士	104	2018-02-09	2.53 年
106	矽間隙子對於鍺量子點/二氧化矽/矽鍺殼層異質結構之成型影響與其發光/光偵測之特性探討研究 Study of Si Interstitials Effect on Formation and Light Emitting/Detection Characteristics of Ge-QD/SiO2/SiGe Shell Heterostructure 電子研究所鍺量子點、矽間隙子、發光/光偵測特性、Ge-QD、Si interstitials、Light emitting/detection characteristics	碩士	104	2018-02-09	2.53 年
106	氮化矽波導整合鍺量子點光電晶體之研製及分析 Fabrication and Characterization of Waveguided Ge Quantum Dots Phototransistor 電子研究所光電晶體、氮化矽波導、鍺量子點、Phototransistor、waveguide-coupled、Gemanium Quantum Dots	碩士	104	2017-11-05	2.26 年