汪大暉

Wang, Ta-Hui・電機學院・電子研究所

碩士平均畢業時長

2.20 年

中位數 2.08 年・34 人

博士平均畢業時長

7.35 年

中位數 7.45 年・7 人

收錄論文

43 篇

100–111 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

電阻式記憶體RRAM資料儲存模式隨機電報雜訊SONOS讀取干擾read-disturbcharge trap flash memoryVt retention lossRTN電荷擷取式快閃記憶體data patterntrap generation氮化矽快閃記憶體解析模型analytical model三維TCAD模擬3D TCAD simulation數值模擬循環操作多階電荷擷取式快閃記憶體Multi-Level Charge Trap Flash Memorycycling stress電導變化conductance changeResistive switching memorydegradationSET-disturb failure time蒙地卡羅模擬NBTI電荷橫向遷移charge lateral migration晶粒邊界缺陷缺陷位置Grain boundary trapVTH distributionTrap position環繞式閘極三維NAND保留狀態的臨界電壓損失微縮多階電荷快閃記憶體gate all around (GAA)scaling循環操作相依Cycling dependenceNumerical modeling非揮發性記憶體資料儲存時間Non-volatile memory

想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
111	電阻式記憶體之讀取干擾模型與電荷擷取式快閃記憶體中儲存電子與電洞傳輸之二維模擬 RRAM Read-Disturb Modeling and 2-D Simulation of Nitride Electron and Hole Transport in Charge Trap Flash Memory 電子研究所電阻式記憶體、讀取干擾、解析模型、循環操作效應、類神經電路、推論劣化、電荷擷取式快閃記憶體、電荷橫向遷移、電荷垂直流失、模擬、保留狀態之臨界電壓變化、RRAM、read-disturb、analytical model、cycling effect、neuromorphic circuit、inference degradation、charge trap flash memory、charge lateral migration、charge vertical loss、simulation、Vt retention loss	博士	102	2023-07-27	9.98 年
111	利用三維TCAD模擬研究閘極環繞式NAND快閃記憶體串之多晶矽缺陷對元件電流不穩定性之影響 3D TCAD Simulation of Grain Boundary Trap Effect on Cell Current Instability in a Gate All Around NAND Flash Memory String 電子研究所三維環繞式閘極NAND、電荷擷取式快閃記憶體、晶粒邊界缺陷、多晶矽通道、臨界電壓分布、暫態電流、缺陷位置、三維TCAD模擬、3D GAA NAND、Charge trap flash memory、Grain boundary trap、Poly-Si channel、VTH distribution、Transient current、Trap position、3D TCAD simulation	碩士	110	2023-07-26	1.98 年
111	環繞式閘極多階電荷擷取式NAND快閃記憶體串中資料儲存模式對臨界電壓變化之三維TCAD模擬 3D TCAD Simulation of Data Pattern Effects on Vt Retention Loss in a Gate All Around Multilevel Charge Trap NAND Flash Memory String 電子研究所環繞式閘極、三維NAND、資料儲存模式、保留狀態的臨界電壓損失、微縮、多階電荷快閃記憶體、三維TCAD模擬、gate all around (GAA)、3D NAND、data pattern、Vt retention loss、scaling、multilevel flash memory、3D TCAD simulation	碩士	110	2023-07-25	1.98 年
111	利用三維TCAD模擬研究閘極環繞式NAND快閃記憶體串之結構和通道閘極電壓對寫入特性之影響 3D TCAD Simulation of Structure and Pass Gate Voltage Effects on Program Characteristics in a Gate All Around NAND Flash Memory String 電子研究所環繞式閘極、三維NAND、微縮、通道閘極電壓、寫入、干擾效應、三維TCAD模擬、gate all around (GAA)、3-D NAND、scaling、pass gate voltage、program、disturb effect、3D TCAD simulation	碩士	109	2023-01-30	2.50 年
110	電荷擷取式快閃記憶體中不同資料儲存模式下保留狀態臨界電壓變化及氮化矽中電荷傳輸之準二維模擬 Quasi-2D Simulation of Data Pattern Effects on Vt Retention Loss and Charge Transport in Silicon Nitride in a Charge Trap Flash Memory 電子研究所擷取式電荷快閃記憶體、資料儲存模式、循環操作相依、保留狀態臨界電壓損失、數值模擬、Charge trap flash memory、Data pattern、Cycling dependence、Vt retention loss、Numerical modeling	碩士	109	2022-09-25	2.15 年
110	利用溫度加速測試方法研究電阻式記憶體在低阻態下的資料儲存時間 Investigation of Temperature Accelerated Low-Resistance-State Retention Failure in a Resistive Switching Memory 電子研究所電阻式記憶體、非揮發性記憶體、低電阻狀態、資料儲存時間、溫度加速測試方法、RRAM、Non-volatile memory、Low-resistance-state、Retention Failure Time、Temperature accelerated method	碩士	109	2022-08-31	2.08 年
110	嵌入式磁性隨機存取記憶體設計空間分析及其於極低溫金氧半電路之最佳化設計 Design Space Analysis for Embedded Magnetic Random-Access Memory and Its Optimization for Cryogenic CMOS Circuit 電子研究所磁性隨機存取記憶體、磁性穿隧接面、嵌入式記憶體、極低溫操作、先進金氧半技術、功率-效能-面積分析、magnetic random-access memory (MRAM)、magnetic tunnel junction (MTJ)、embedded memory、cryogenic operation、advanced CMOS technology、power-performance-area (PPA) analysis	博士	101	2022-02-08	9.52 年
110	基於電阻式記憶體的類神經網路中循環操作對讀取引致推論準確度退化影響之模擬 Simulation of Cycling Effect on Read-Induced Inference Accuracy Degradation in an RRAM-Based Neuromorphic Circuit 電子研究所類神經計算、循環操作、讀取干擾、電阻式記憶體、推論準確度、neuromorphic computing、cycling、read-disturb、RRAM、inference robustness	碩士	108	2021-10-17	2.21 年
110	循環操作後之多階電荷擷取式快閃記憶體中不同資料儲存模式下保留狀態臨界電壓變化之類二維數值模擬 Quasi 2D Numerical Simulation of Data Pattern Effects on Vt Retention Loss in a Post Cycling Multi Level Charge Trap Flash Memory 電子研究所資料儲存模式、保留狀態的臨界電壓損失、數值模擬、多階電荷快閃記憶體、循環操作相依、Data pattern、Vt retention loss、Numerical modeling、multi-level flash memory、cycling dependence	碩士	107	2021-10-14	3.20 年
109	三維電荷擷取式NAND快閃記憶體中單一電子效應及臨界電壓分佈之研究 Investigation of Single Charge Phenomena and Threshold Voltage Distributions in 3D Charge Trap NAND Flash Memory 電子研究所三維垂直式NAND、電荷擷取式快閃記憶體、隨機電報雜訊、缺陷位置、通過電壓、晶粒邊界缺陷、臨界電壓分佈、三維模擬、單一寫入電荷、氮化矽快閃式記憶元件、滲透效應、資料保持特性、3D vertical NAND、Charge trap flash memory、Random telegraph noise、Trap position、Pass voltage、Grain boundary trap、Vth distribution、3D simulation、Single program charge、SONOS、Percolation effect、Retention loss	博士	105	2021-03-23	4.64 年
109	多階電荷擷取式快閃記憶體中不同資料儲存模式下保留狀態臨界電壓變化之數值模擬 Numerical Simulation of Data Pattern Effects on Vt Retention Loss in a Multi-Level Charge Trap Flash Memory 電子研究所電荷擷取式快閃記憶體、資料儲存模式、電洞橫向傳輸、Charge Trap Flash Memory、Data Pattern、Hole lateral transport	碩士	107	2021-01-15	2.46 年
109	多階電荷擷取式快閃記憶體在循環操作後對電荷橫向移動與臨界電壓變化之影響 Program/Erase Cycling Stress Effect on Trap Charge Lateral Migration and Vth Retention Loss in a Multi-Level Charge Trap Flash Memory 電子研究所多階電荷擷取式快閃記憶體、電荷橫向傳輸、臨界電壓變化、循環操作、資料儲存模式、Multi-Level Charge Trap Flash Memory、SONOS、Lateral Migration、P/E Cycling Stress、Data Pattern Effect	碩士	107	2020-11-25	2.32 年
109	電阻式記憶體中循環操作電壓條件之影響與讀取干擾錯誤時間劣化之研究 Dependence of Endurance Characteristic on SET/RESET Operation Voltage Condition and Modeling of Read-Disturb Failure Time in RRAM 電子研究所電阻式記憶體、耐受性、循環操作應力、讀取干擾、裂化缺陷產生、RRAM、Endurance characteristic、cycling stress、read-disturb、trap generation	碩士	107	2020-11-25	2.32 年
109	基於電阻式記憶體的類神經網路應用經讀取操作後導致性能退化之模擬 Simulation of Read Operation Induced Performance Degradation in RRAM-based Neuromorphic Circuit 電子研究所電阻式記憶體、類神經網路應用、讀取操作、電導變化、RRAM、neural network、read operation、conductance change	碩士	107	2020-08-26	2.07 年
108	負電容場效電晶體中開關速率特性之數值模擬 Numerical Simulation of Switching Rate Characteristics in Negative Capacitance FET 電子研究所負電容場效電晶體、鐵電電容、放大率、次臨界斜率、NCFET、ferroelectric capacitor、internal voltage amplification、subthreshold slope	碩士	106	2020-02-18	2.55 年
108	電阻式記憶體中讀取與循環操作引致性能劣化物理機制及其解析模型之研究 Mechanisms and Analytical Modeling of Read and SET/RESET Cycling Induced Performance Degradation in a Resistive Switching Memory 電子研究所非揮發性記憶體、電阻式記憶體、交叉式陣列、讀取干擾、操作循環應力、劣化、缺陷生成、讀取失敗、低阻態讀取電流、解析模型、電導變化、Non-volatile memory、RRAM、Resistive switching memory、metal-oxide RRAM、crossbar array、1S1R、read-disturb、cycling stress、degradation、trap generation、read failure、SET-state current level、analytical modeling、conductance change	博士	101	2020-01-14	7.45 年
108	電荷擷取式快閃記憶體中氮化矽儲存電荷橫向傳輸機制及其對資料儲存時間影響之研究 Trapped Charge Lateral Transport Mechanisms in Silicon Nitride and Data Pattern Effects on Vt Retention Loss in a Charge Trap Flash Memory 電子研究所電荷橫向遷移、資料儲存模式效應、多階電荷擷取式快閃記憶體、隨機電報雜訊、熱助穿隧、臨界電壓之變化、Charge lateral migration、Data pattern effect、Multi-level charge trap flash memory、Random telegraph signal、SONOS、Thermally assisted tunneling、Vt retention loss	博士	100	2019-11-20	8.30 年
108	電阻式記憶體循環操作後導致低阻態資料儲存時間退化與電壓加速測試方法 Modeling of SET-State Retention Failure Time and Its Voltage Accelerating Qualification Method in a Post-Cycling Resistive Switching Memory 電子研究所電阻式記憶體、資料儲存時間、電壓加速測試方法、循環操作、Resistive Switching Memory、Retention Failure Time、Voltage Accelerating Qualification Method、Cycling	碩士	106	2019-08-25	2.06 年
108	電阻式元件於類神經網路應用中經讀取操作引起之電導變化解析模型 Modeling of Read Operation Induced Conductance Change in Resistive Switching Devices for Neuromorphic Applications 電子研究所電阻式元件、讀取操作、解析模型、類神經網路應用、電導變化、resistive switching devices、RRAM、read operation、analytical model、neural network、conductance change	碩士	106	2019-08-21	2.05 年
108	多階電荷擷取式快閃記憶體中電子與電洞橫向傳輸及資料儲存模式對臨界電壓變化影響之探討 Investigation of Nitride Electron and Hole Lateral Migration and Data Pattern Effects on Vth Retention Loss in a Multi-Level Charge Trap Flash Memory 電子研究所多階電荷擷取式快閃記憶體、電荷橫向傳輸、資料儲存模式、臨界電壓變化、Data Pattern Effects、Multi-Level Charge Trap Flash Memory、SONOS、Lateral Migration	碩士	106	2019-08-20	2.05 年
107	以電阻式記憶體探討讀取干擾引起的低阻態電流劣化與錯誤時間之特性量測與模擬 Characterization and Modeling of Read-Disturb Induced SET-State Current Degradation and Read-Disturb Failure Time in a Resistive Switching Memory 電子研究所電阻式記憶體、讀取干擾、分析式模型、冪定律關係、RRAM、read-disturb、analytical model、power-law dependence	碩士	105	2018-08-20	2.05 年
106	利用數值模擬方法探討氮化矽快閃記憶體儲存電荷之橫向傳輸機制 Investigation of Trapped Charge Lateral Transport of Silicon Nitride-Based Charge Trap Flash Memory by Numerical Simulation 電子研究所氮化矽快閃記憶體、儲存電荷之橫向傳輸機制、Silicon nitride-based charge trap flash memory、Trapped charge lateral transport mechanism	碩士	104	2018-05-27	2.82 年
106	氮化矽快閃記憶體中資料儲存模式對內部電荷橫向傳輸之影響 Data Pattern Effects on Trapped Charge Lateral Transport in Nitride Trap Storage Flash Memory 電子研究所氮化矽快閃記憶體、資料儲存模式、內部電荷橫向傳輸、隨機電報雜訊、熱助穿隧、Nitride Trap Storage Flash Memory、Data Pattern Effects、Trapped Charge Lateral Transport、random telegraph noise、thermally assisted trap-to-band tunneling	碩士	104	2017-08-29	2.08 年
106	負電容場效電晶體之操作速度及可靠度探討 Operational Speed and Reliability Considerations in Negative Capacitance FET 電子研究所負電容場效電晶體、鐵電電容、放大率、次臨界斜率、NCFET、ferroelectric capacitor、internal voltage amplification、subthreshold slope	碩士	104	2017-08-29	2.08 年
106	電阻式記憶體循環操作後導致讀取干擾錯誤時間劣化之研究 SET/RESET Cycling Induced Read-Disturb Failure Time Degradation in a Resistive Switching Memory 電子研究所電阻式記憶體、讀取干擾錯誤時間、Resistive Switching Memory、Read Disturb Failure Time Degradation	碩士	104	2017-08-24	2.06 年
105	以氧化鎢電阻式記憶體探討影響寫入干擾錯誤時間變因之研究 Investigation of Factors Affecting SET-Disturb Failure Time in WOX RRAM 電子研究所電阻式記憶體、氧化鎢、寫入干擾錯誤時間、變因、RRAM、WOX、SET-disturb failure time、factors	碩士	103	2016-08-30	2.08 年
105	氮化矽快閃記憶體的橫向電場引致內部儲存電荷傳輸之數值模擬 Numerical Simulation of Lateral Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Movement in SONOS 電子研究所・共同指導：陳旻政數值模擬、氮化矽快閃記憶體、橫向電場、Numerical Simulation、SONOS、Lateral Electric Field	碩士	103	2016-08-30	2.08 年
105	氮化矽快閃記憶體的橫向電場引致內部儲存電荷傳輸之特性量測 Characterization of Lateral Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Movement in SONOS 電子研究所載子橫向移動、閘極引致汲極漏電、隨機電報雜訊、熱能協助缺陷至導帶穿隧效應、charge lateral movement、GIDL、RTN、thermally-assisted trap-to-band tunneling	碩士	103	2016-08-29	2.08 年
105	三維NAND快閃記憶體隨機電報雜訊之特性探討 Characterization of Fresh State RTN Amplitude in a 3D Vertical NAND Flash Cell String 電子工程學系電子研究所快閃記憶體、隨機電報雜訊、反及串列式、flash memory、RTN、NAND string	碩士	95	2016-08-11	無法計算
104	電阻式記憶體及SONOS快閃式記憶體中介電層缺陷造成之可靠度效應研究 Traps Induced Reliability Issues in Resistive Random Access Memory and SONOS Flash Memory 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、設定干擾失敗時間、衰退、過度設定、缺陷生成、重設失敗、蒙地卡羅模擬、操作循環施壓、阻值視窗、設定干擾電壓、穿隧效應、臨界電壓維持分布、數值模型、RRAM、SET-disturb failure time、degradation、over-SET、trap generation、RESET failure、Monte-Carlo simulation、cycling stress、resistance window、SET-disturb voltage、SONOS、percolation、Vt retention distribution、numerical model	博士	99	2016-07-20	5.97 年
104	高介電層金屬閘極CMOS電晶體功函數與臨界電壓變異之關聯性探討 New Understandings on the Correlation Between Work-function Fluctuation and Vth Variation in HKMG CMOS Devices 電子工程學系電子研究所・共同指導：莊紹勳高介電氧化層、介面偶極、功函數變異、氧化層缺陷、偏壓溫度不穩定性、互補式電晶體、high-k dielectric、interfacial dipole、work function variation、oxide trap、bias temperature instability、CMOS	碩士	102	2015-09-09	2.11 年
104	雙介電層低功耗電阻式記憶體之設計與最佳化 The Design and Optimization of a Low Power Bi-layer Resistance RAM 電子工程學系電子研究所・共同指導：莊紹勳電阻式記憶體、低功耗、雙介電層、三氧化二鋁、二氧化鉿、RRAM、low power、bi-layer、Al2O3、HO2	碩士	102	2015-09-09	2.11 年
104	零時和時間依賴引致臨界電壓改變量分布在奈米線結構無接面電晶體 Time-zero and Time-dependent Vth Variability in Junctionless Nanowire Transistors 電子工程學系電子研究所臨界電壓、無接面電晶體、離散摻雜、缺陷、奈米線、Threshold voltage、junctionless、discrete dopant、defect、interface trap、nanowire	碩士	101	2015-09-07	3.10 年
104	電阻式記憶體操作後導致缺陷產生與寫入干擾錯誤時間劣化之研究 Characterization of Cycling Stress Induced Trap Creation and Write Disturb Failure Time Degradation in RRAM 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、可靠度、缺陷產生、寫入干擾錯誤、RRAM、reliability、trap generation、SET-disturb failure time、degradation	碩士	102	2015-09-07	2.10 年
104	不同介電質的平面式及閘極環繞式氮化矽快閃記憶體之寫入/抹除/保存模擬 Numerical Simulation of Program/Erase/Retention in Planar and GAA SONOS with Different Dielectrics 電子工程學系電子研究所氮化矽快閃記憶體、元件模擬、模型、SONOS memory、device simulation、model	碩士	102	2015-09-06	2.10 年
103	氮化矽快閃記憶體的電荷傳輸模擬及其對抹除操作下之暫態行為的影響 Nitride Charge Transport and Its Role in Erase Transient Simulation in SONOS 電子工程學系電子研究所氮化矽快閃記憶體模擬、Erase Transient Simulation、SONOS	碩士	101	2014-10-21	2.22 年
103	電阻式記憶體中寫入/讀取造成阻態改變錯誤之新機制 A New Failure Mode with Respect to Write/Read Disturb in Resistive Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：鄭旻政氧化鎢電阻式記憶體、可靠度、寫入/讀取錯誤、WOx RRAM、reliability、Write/Read Failure	碩士	101	2014-08-11	2.03 年
101	氧化鉿電阻式記憶體之操作方法與隨機電報雜訊研究 Study of Operation Method and Random Telegraph Noise in HfOx-based RRAM 電子工程學系電子研究所・共同指導：陳旻政電阻式記憶體、隨機電報雜訊、氧化鉿、RRAM、RTN、HfOx	碩士	100	2013-07-11	1.94 年
101	高介電係數閘極電晶體之負偏壓溫度不穩定性引致臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式 Statistical Characterization and Modeling of NBTI Induced ∆Vt Distribution in High-k Gate Dielectric pMOSFETs 電子工程學系電子研究所負偏壓溫度不穩定性、應力、高介電係數金屬閘極、單一電荷效應、缺陷產生時間、臨界電壓分佈、蒙地卡羅模擬、NBTI、Stress、High-k Metal Gate、Sigle Charge Effect、Trap creation time、∆Vt distribution、Monte Carlo Simulation	碩士	100	2013-07-11	1.94 年
101	先進互補式金氧半電晶體及快閃式記憶元件中單一電荷效應之統計性研究 Statistical Study of Single Charge Phenomena in Advanced CMOS and Flash Memory 電子工程學系電子研究所溫壓引致不穩定性、隨機電報訊號、蒙地卡羅模擬、快閃式記憶元件、統計性研究、NBTI、RTN、Monte Carlo simulation、Flash Memory、Statistical Study	博士	96	2013-02-28	5.58 年
101	氧化鉿電阻式記憶體之隨機電報雜訊分析與蒙地卡羅模擬 Random Telegraph Noise (RTN) Analysis and Monte Carlo Simulation in HfOx-based Resistive Random Access Memory 電子工程學系電子研究所電阻式記憶體、隨機電報雜訊、RRAM、RTN	碩士	100	—	無法計算
100	在負偏壓溫度不穩定回復時臨界電壓改變量分佈之統計特性和模式及其時間演繹 Statistical Characterization and Modeling of ΔVth Distribution in NBTI Recovery and Its Time Evolution 電子工程學系電子研究所負偏壓溫度不穩定性、回復、高介電係數金屬閘極、單一電荷效應、散逸、NBTI、Recovery、High-k Metal Gate、Sigle Charge Effect、De-trapping	碩士	99	2012-07-24	1.98 年
100	高介電係數金屬閘極平面式浮置閘極快閃記憶體特性及其微縮模擬 Numerical Simulation of High-k/Metal Gate Floating Gate Flash Memory Characteristics and Device Scaling 電子工程學系電子研究所平面式、邊緣場效應、planar、edge fringing field effect	碩士	99	2012-07-24	1.98 年