鄭旻政
Chen, Min-Cheng・電機學院・電子工程學系 電子研究所
碩士平均畢業時長
2.03 年
中位數 2.03 年・1 人
收錄論文
1 篇
103–103 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氧化鎢電阻式記憶體可靠度寫入/讀取錯誤WOx RRAMreliabilityWrite/Read Failure
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 103 | A New Failure Mode with Respect to Write/Read Disturb in Resistive Memory 電子工程學系 電子研究所・共同指導：汪大暉 氧化鎢電阻式記憶體、可靠度、寫入/讀取錯誤、WOx RRAM、reliability、Write/Read Failure | 碩士 | 101 | 2014-08-11 | 2.03 年 |