陳旻政
Chen, Min-Cheng・電機學院・電子研究所
碩士平均畢業時長
2.01 年
中位數 2.01 年・2 人
收錄論文
2 篇
101–105 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
數值模擬氮化矽快閃記憶體橫向電場Numerical SimulationSONOSLateral Electric Field電阻式記憶體隨機電報雜訊氧化鉿RRAMRTNHfOx
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 105 | Numerical Simulation of Lateral Electric Field Induced Nitride Trapped Charge Movement in SONOS 電子研究所・共同指導：汪大暉 數值模擬、氮化矽快閃記憶體、橫向電場、Numerical Simulation、SONOS、Lateral Electric Field | 碩士 | 103 | 2016-08-30 | 2.08 年 |
| 101 | Study of Operation Method and Random Telegraph Noise in HfOx-based RRAM 電子工程學系 電子研究所・共同指導：汪大暉 電阻式記憶體、隨機電報雜訊、氧化鉿、RRAM、RTN、HfOx | 碩士 | 100 | 2013-07-11 | 1.94 年 |