張睿達
Chang, Ruey-Dar・電機學院・電子工程學系 電子研究所
碩士平均畢業時長
2.01 年
中位數 2.01 年・1 人
收錄論文
1 篇
104–104 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
閘極環繞式無接面奈米線電晶體隨機電訊噪音多晶矽GAAjunctionlessnanowire transistorRTNpoly-Si
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 104 | Fabrication and RTN Characteristics of Gate-All-Around Poly-Si Junctionless Nanowire Transistors 電子工程學系 電子研究所・共同指導：林鴻志 閘極環繞式、無接面、奈米線電晶體、隨機電訊噪音、多晶矽、GAA、junctionless、nanowire transistor、RTN、poly-Si | 碩士 | 103 | 2016-08-04 | 2.01 年 |