張立

Chang, Li・工學院・材料科學與工程學系、工學院專班-半導體材料與製程設備學程、材料科學與工程學系所、工學院半導體材料與製程設備學程

碩士平均畢業時長

2.22 年

中位數 2.24 年・30 人

在職專班平均畢業時長

3.91 年

中位數 3.20 年・13 人

博士平均畢業時長

6.06 年

中位數 6.13 年・14 人

收錄論文

61 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

鑽石diamond磊晶氧化鋅ZnOmicrowave plasmaannealingMPCVD氮化鈦退火reactive magnetron sputteringtitanium nitride微波電漿epitaxialEpitaxial growth化學浴CBDchemical vapor deposition反應式磁控濺鍍微波電漿退火ion implantationEpitaxy磊晶成長微波Microwave半極性Semipolar缺陷defect同質磊晶電漿微波電漿化學氣相沉積n型鑽石半導體多重離子佈植n-type diamond semiconductor碳化矽化學氣相沉積碳化鈦TiC反應式濺鍍Reactive sputteringTiN氮化鋁氮化鎵Mist-CVDnitridationGaN直流磁控濺鍍DC Magnetron Sputtering磷

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	以碳化硼靶材進行反應式濺鍍製備含碳氮化硼薄膜之研究 Deposition of Carbon-containing Boron Nitride Thin Films by Reactive Sputtering using Boron Carbide Target 材料科學與工程學系立方氮化硼、直流磁控濺鍍、高功率脈衝磁控濺鍍、偏壓、碳化硼、靶材、Cubic Boron Nitride、DC Magnetron Sputtering、HiPIMS、Boron Carbide、Target	碩士	112	2025-12-26	2.40 年
114	淺層多重磷離子佈植與後續退火於(100)單晶鑽石之研究 Study of Multiple Ion Implantation and Annealing Process for Shallow Phosphorus Doping in (100) Single-Crystal Diamond 材料科學與工程學系鑽石半導體、摻雜、磷、缺陷、淺層多重磷離子佈植、高溫真空退火、diamond semiconductor、doping、phosphorus、defect、shallow multiple ion implantation、high temperature vaccum annealing	碩士	112	2025-12-17	2.38 年
114	以微波電漿化學氣相沉積法探討鎢與鉬摻雜對(001)單晶鑽石晶體品質提升之研究 Quality Enhancement of (001) Single-Crystal Diamond via Tungsten and Molybdenum Incorporation in Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition 材料科學與工程學系鑽石、單晶、同質磊晶、微波化學氣相沉積、電漿、diamond、single crystal、homoepitaxial growth、microwave plasma、chemical vapor deposition	博士	112	2025-12-16	2.38 年
113	氮化硼薄膜濺鍍及其對鑽石沉積影響之研究 Study of Sputtering Deposition of Boron Nitride Thin Films and its Effect on Subsequent Diamond Deposition 材料科學與工程學系奈米科技反應式磁控濺鍍、負偏壓、氮化硼、鑽石、微波電漿化學氣相沉積、reactive magnetron sputtering、negative bias、boron nitride、diamond、microwave plasma chemical vapor deposition	碩士	111	2025-01-22	2.48 年
113	多重離子佈植摻雜磷於單晶鑽石及覆蓋SiO2擴散阻障層對後續退火鑽石性質影響之研究 Effects of Phosphorus Doping in Single-Crystal Diamond by Multiple Ion Implantation and Annealing with SiO2 Diffusion Barrier Layer on the Properties of Diamond 材料科學與工程學系 n型鑽石半導體、多重離子佈植、反應式磁控濺鍍、SiO2擴散阻障層、微波電漿退火、n-type diamond semiconductor、doping、ion implantation、reactive magnetron sputtering、SiO2、diffusion barrier、microwave plasma、annealing	碩士	111	2024-09-30	2.17 年
113	磷離子佈植之(100)單晶鑽石上之SiN薄膜覆層對退火的影響 Effects of SiN Capping Layer on Annealing of Phosphorus-Ion Implanted (100) Single Crystal Diamond 工學院專班-半導體材料與製程設備學程 SiN、n型鑽石半導體、多重離子佈植、微波電漿退火、晶格損傷、n-Type Diamond Semiconductor、Multiple Ion Implantation、Microwave Plasma Annealing、Lattice Damage	碩士在職專班	110	2024-09-25	3.15 年
112	氮離子源製作及其應用於鈦金屬氮化之研究 Fabrication of nitrogen ion sources and their applications on nitrding of titanium metal 工學院專班-半導體材料與製程設備學程陽極層離子源、氮化鈦、電漿、法拉第杯、離子氮化、Anode layer ion source、titanium nitride、plasma、Faraday cup、Ion nitriding	碩士在職專班	104	2024-08-27	9.07 年
112	微波電漿內鑽石沉積於直立式單晶基板之研究 Study of Diamond Deposition on Vertically Aligned Single-Crystal Substrates in Microwave Plasma 材料科學與工程學系微波電漿、化學氣相沉積法、鑽石成核、單晶基板、矽、碳化矽、microwave plasma、chemical vapor deposition、diamond nucleation、single-crystal substrate、Si、SiC	碩士	110	2024-08-26	3.07 年
112	晶片測試探針材料製程與特性關係之研究- Pd-Cu-Ag及Cu-Ag合金 The relationship of material processing with properties for wafer test probe - Pd-Cu-Ag and Cu-Ag alloys 工學院專班-半導體材料與製程設備學程晶片測試探針、硬度分析、電性分析、拉伸測試、XRD分析、SEM分析、沖壓成型、飛秒雷射成型、Pd-Cu-Ag、Cu-Ag、probe、electrical resistivity、tensile strength、hardness、XRD analyses、SEM analyses	碩士在職專班	108	2024-04-19	4.72 年
112	多重離子佈植摻雜磷於單晶鑽石之製程及後續退火製程 Phosphorus doping in single-crystal diamond through multiple ion implantation and annealing processes 材料科學與工程學系 n型鑽石半導體、多重離子佈植、缺陷、晶格損傷、微波電漿退火、n-type diamond semiconductor、multiple implantation、defect、lattice damage、microwave plasma anneal、diffusion barrier	碩士	110	2023-11-02	2.25 年
112	以離子佈植共摻雜硼與氮在(100)矽晶片及退火對鑽石成核之影響 Effects of Ion Implantation of Boron and Nitrogen Co-doping in Si(100) and its Annealing on Diamond Nucleation 材料科學與工程學系矽晶片、離子佈植、氮化硼、鑽石、微波電漿化學氣相沉積法、Silicon、Ion implantation、Boron nitride、Diamond、MPCVD	碩士	110	2023-11-02	2.25 年
111	異質磊晶氧化物薄膜中反鐵電性與反鐵磁性之研究 Characteristic Research of Antiferroelectricity and Antiferromagnetism in Heteroepitaxial Oxide Thin Films 材料科學與工程學系所・共同指導：朱英豪反鐵磁性、反鐵電性、氧化鉻、錫酸鉛、antiferromagnetic、antiferroelectric、chromium oxide、lead stannate	博士	105	2023-03-08	6.60 年
111	(100)單晶鑽石之磷離子佈植與退火 Phosphorus doping of (100) diamond by ion implantation and annealing 材料科學與工程學系所鑽石、磷、離子佈值、退火、缺陷、擴散、diamond、phosphorus、ion implantation、annealing、defect、diffusion	博士	109	2023-02-01	2.50 年
111	四十五度砷化鎵銦鰭式場效電晶體對高頻應用之研究 Forty-Five Degree InGaAs FinFET for RF Application 材料科學與工程學系所・共同指導：張翼砷化鎵銦、鰭式場效電晶體、高頻率原件、截止頻率、45度砷化鎵銦、InGa0.53As0.47、FinFETs、RF device、cut-off frequency、45-degree InGaAs	碩士	109	2023-01-08	2.44 年
111	偏壓輔助成核法於 n 型 4H-SiC(0001)基板上之高方向性 (111)鑽石膜成核及成長 Bias-enhanced nucleation and growth of highly-orienteddiamond films on n-type 4H-SiC (0001) substrate 工學院半導體材料與製程設備學程碳化矽、化學氣相沉積、鑽石、silicon carbide、chemical vapor deposition、diamond、nucleation、orientation	碩士在職專班	108	2022-12-27	3.41 年
111	反應濺鍍 (111) TiC磊晶薄膜於(0001) 4H-SiC晶片之製備及其應用於方向性鑽石膜成長之研究 Reactive Sputtering Deposition of Epitaxial TiC (111) Buffer Layer on 4H-SiC (0001) and its Application for Oriented Diamond Growth 材料科學與工程學系所鑽石、碳化鈦、碳化矽、磊晶、微波電漿化學氣相沉積、反應式磁控濺鍍、Diamond、TiC、SiC、Epitaxy、Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition (MPCVD)、Reactive Magnetron Sputtering	碩士	109	2022-12-05	2.34 年
111	濺鍍及氮化TiC磊晶薄膜緩衝層於(100)Si晶片之製備及其應用於鑽石薄膜成長之研究 Sputtering Deposition and Nitridation of Epitaxial TiC Buffer Layer on Si (100) and its Application for Diamond Growth 材料科學與工程學系所碳化鈦、磊晶、反應式濺鍍、電漿氮化、微波電漿化學氣相沉積法、鑽石、TiC、Epitaxy、Reactive sputtering、Plasma nitridation、MPCVD、Diamond	碩士	109	2022-12-05	2.34 年
110	濺鍍於單晶鑽石之TiC薄膜性質研究 Properties of sputtered TiC thin film on single crystal diamond 材料科學與工程學系所鑽石元件、TiC薄膜、退火、diamond device、TiC thin film、annealing	碩士	108	2022-01-05	2.43 年
110	磷離子佈植於(100)單晶鑽石及微波電漿退火對結構性質之影響 Structural properties of phosphorus-doped diamond (100) after ion implantation and microwave plasma annealing 材料科學與工程學系所鑽石、離子佈植、微波電漿退火、diamond、ion implantation、microwave plasma annealing	碩士	108	2021-12-20	2.39 年
110	鑽石於微波電漿球內部成核之研究 Study of diamond nucleation within a microwave plasma ball 工學院半導體材料與製程設備學程鑽石成核、微波化學氣相沉積法、電漿球內部、矽基板、diamond nucleation、microwave plasma ball、MPCVD、Si substrates	碩士在職專班	107	2021-12-12	3.36 年
110	反應濺鍍磊晶ZrC薄膜緩衝層於(100)矽晶片之製備及其應用於鑽石成核之研究 Reactive Sputtering Deposition of Epitaxial ZrC Buffer Layer on Si (100) and its Application for Diamond Nucleation 材料科學與工程學系所碳化鋯、磊晶、反應式濺鍍、鑽石、微波電漿沉積法、ZrC、Epitaxy、Reactive Sputtering、Diamond、MPCVD	碩士	108	2021-12-05	2.35 年
110	全異質磊晶氧化物高穩定性可撓深紫外光感測器 High stability flexible deep UV detector based on all-oxide heteroepitaxial junction 材料科學與工程學系所・共同指導：朱英豪深紫外光感測器、光電二極體、透明、可撓性、氧化物、deep UV detector、photodiode、transparent、flexible、oxides	碩士	109	2021-08-22	1.06 年
109	TiN與 Si異質磊晶界面之掃描式穿透電子顯微鏡分析 Scanning Transmission Electron Microscopy on the Interface between Heteroepitaxial TiN and Si 工學院半導體材料與製程設備學程掃描式穿透式電子顯微鏡、球面像差校正、TEM、STEM、TiN、Cs	碩士在職專班	107	2021-02-04	2.51 年
109	以微波輔助化學浴沉積法快速合成氧化鋅磊晶膜之研究 Rapid Synthesis of ZnO Epitaxial Film by Microwave- Assisted Chemical Bath Deposition 材料科學與工程學系所氧化鋅、微波輔助化學浴沉積法、ZnO、epitaxial、film	碩士	107	2020-10-26	2.24 年
109	反應濺鍍磊晶TiN薄膜緩衝層於(100)矽晶片之製備及其應用於高方向性鑽石膜成長之研究 Reactive Sputtering Deposition of Epitaxial TiN Buffer Layer on Si (100) and its Application for Highly Oriented Diamond Film Growth 材料科學與工程學系所鑽石膜、反應式濺鍍、高方向性、磊晶、緩衝層、TiN、Reactive Sputtering、MPCVD、Buffer layer、Highly oriented、epitaxial	碩士	107	2020-10-06	2.18 年
109	反應濺鍍磊晶氮化鉿及碳化鈦薄膜於矽基板之研究 Reactive Sputtering Deposition of Epitaxial HfN and TiC Films on Si (100) Substrate 材料科學與工程學系所磊晶成長、氮化鉿、碳化鈦、晶域匹配磊晶、反應磁控濺鍍、矽化鉿、Epitaxial growth、HfN、TiC、Domain matching epitaxy、Reactive magnetron sputtering、HfSi2	博士	105	2020-09-11	4.11 年
109	直流反應濺鍍氮化鈦於單晶鑽石(100)之異質磊晶成長 Heteroepitaxial Growth of Titanium Nitride on Single Crystalline Diamond (100) by DC Reactive Sputtering 工學院半導體材料與製程設備學程磊晶成長、氮化鈦、鑽石、濺鍍、Heteroepitaxial Growth、Titanium Nitride、Diamond、DC Reactive Sputtering	碩士在職專班	106	2020-09-11	3.11 年
108	矽基氮化鎵結構之磊晶工程及其於射頻損耗之影響 Epitaxy engineering of GaN-on-Si structure and its effect on radio frequency loss 材料科學與工程學系所氮化鋁、氮化鎵、射頻損耗、有機金屬化學氣相沈積、矽基氮化鎵、AlN nucleation layer、coplanar waveguides、GaN on Si、RF loss、high frequency、metalorganic chemical vapor deposition	博士	103	2020-06-16	5.88 年
108	直流反應濺鍍TiHfN於Si (001)之異質磊晶成長與退火 Heteroepitaxial Growth and Annealing of DC Reactive Sputtered Titanium Hafnium Nitride on Si (001) 材料科學與工程學系所氮化鈦鉿、反應式磁控濺鍍、退火、電漿、磊晶成長、Titanium Hafnium Nitride、Reactive Magnetron Sputtering、Annealing、Plasma、Epitaxial Growth	碩士	106	2019-11-12	2.28 年
108	Ag奈米複合多層膜及阻障層之設計與製備 Fabrication of Ag nano-composite multilayer and the barrier layer design 工學院半導體材料與製程設備學程金屬銀膜、阻障層、離子輔助鍍膜系統、介電膜、金屬膜、Ag film、Ag barrier layer、ion-assisted deposition、dielectric film、metal film	碩士在職專班	105	2019-10-13	3.20 年
108	連續式微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅磊晶膜於c面藍寶石基板之研究 Growth of Epitaxial ZnO Films on c-Sapphire by Continuous Microwave-Assisted Chemical Bath Deposition 材料科學與工程學系所氧化鋅、磊晶、霧化化學氣相沉積、微波、化學浴、ZnO、Epitaxial Growth、Mist-CVD、Microwave、CBD	碩士	106	2019-09-28	2.16 年
108	反應濺鍍氮化鋯於 (100)矽晶片之異質磊晶成長與退火之研究 The study of heteroepitaxial ZrN film on Si (100) substrate by reactive sputtering deposition and annealing 材料科學與工程學系所氮化鋯、磊晶、反應濺鍍、退火、ZrN、epitaxial、sputter、annealing	碩士	106	2019-09-02	2.09 年
108	直流反應濺鍍TiZrN於Si (100)之異質磊晶成長與退火 Heteroepitaxial Growth and Annealing of DC Reactive Sputtered Titanium Zirconium Nitride on Si (100) 材料科學與工程學系所磊晶、濺鍍、氮化鈦鋯、退火、epitaxy、sputter、TiZrN、annealing	碩士	106	—	無法計算
108	高深寬比矽蝕刻均勻度之改善研究 Study of Improving Etching Uniformity in High Aspect Ratio Silicon Etching Process 工學院半導體材料與製程設備學程・共同指導：張翼矽蝕刻、均勻度改善、Silicon Etching、Uniformity Improvement	碩士在職專班	102	—	無法計算
108	微波輔助化學浴沉積法成長氧化亞錫薄膜之研究 Growth of SnO Films by Microwave-Assisted Chemical Bath Deposition 工學院半導體材料與製程設備學程氧化亞錫、化學浴、微波、SnO、CBD、Microwave	碩士在職專班	104	—	無法計算
107	反應濺鍍TiN於Si (100)之異質磊晶成長與退火 Heteroepitaxial Growth and Annealing of Reactively Sputtered Titanium Nitride on Si (100) 工學院半導體材料與製程設備學程磊晶氮化鈦、直流磁控濺鍍、微波電漿、退火、氮化鈦、Titanium Nitride、DC magnetron sputtering、annealing、Microwave Plasma、epitaxial Titanium Nitride	碩士在職專班	105	2019-07-29	2.99 年
106	以微波輔助化學浴沉積法快速合成半極性磊晶氧化鋅奈米柱陣列於m面藍寶石基板之研究 Rapid Synthesis of Semipolar Epitaxial ZnO Nanorod Arrays on M-Sapphire by Microwave-AssistedChemical Bath Deposition 材料科學與工程學系所氧化鋅奈米柱、半極性、磊晶、霧化化學氣相沉積、微波、化學浴、ZnO Nanorod、Semipolar、Epitaxial Growth、Mist-CVD、Microwave、CBD	碩士	105	2018-08-09	2.02 年
106	氮化經離子佈植之(100)矽晶片形成方向性氮化矽結晶之研究 The study of oriented silicon nitride crystals formed by nitridation of ion-implanted silicon (100) wafers 工學院半導體材料與製程設備學程氮化矽、微波電漿、Silicon nitride、Microwave Plasma	碩士在職專班	102	2018-08-01	5.00 年
106	原子級掃描穿透式電子顯微鏡技術應用於氮化鈦/氧化鎂界面結構之分析 Atomically resolved scanning transmission electron microscopy on structure of TiN/MgO interface 材料科學與工程學系所掃描穿透式電子顯微鏡、界面結構、氮化鈦、Scanning transmission electron microscopy、interface structure、TiN	博士	100	2018-02-11	6.53 年
106	以微波輔助化學浴沉積法成長氧化鋅磊晶之研究 Epitaxial growth of ZnO by microwave-assisted chemical bath deposition 材料科學與工程學系所氧化鋅、磊晶、微波、化學浴、ZnO、Epitaxial、microwave、CBD	碩士	104	2017-11-13	2.29 年
106	矽晶片上氮化ZrO2製備ZrN磊晶薄膜與雙金剛烷輔助鑽石成核於ZrN之研究 The study of epitaxial ZrN film on Si substrate by microwave plasma nitridation of ZrO2 and diamantane-assisted diamond nucleation on ZrN 材料科學與工程學系所磊晶、氧化鋯、氮化鋯、微波電漿氮化、雙金剛烷、鑽石、epitaxial、ZrO2、ZrN、MPCVD、nitridation、diamantane、diamond	碩士	104	2017-09-05	2.10 年
105	微波電漿氮化二氧化鈦轉化成磊晶氮化鈦之研究 Transformation of Titanium Dioxide to Epitaxial Titanium Nitride by Microwave Plasma Nitriding 材料科學與工程學系所氮化、磊晶機制、微波電漿、單晶二氧化鈦、非晶二氧化鈦、氮化鈦、Nitridation、Epitaxial Mechanism、Microwave Plasma、Single crystal Titanium Dioxide、Amorphous Titanium Dioxide、Titanium Nitride	碩士	104	—	無法計算
104	霧化化學氣相沉積法成長非極性m面和半極性(1013)面氧化鋅磊晶於m面藍寶石基板之研究 Epitaxial growth of nonpolar m-plane and semipolar (1013) ZnO films on m-plane sapphire substrate by mist chemical vapor deposition 材料科學與工程學系所氧化鋅、霧化法、半極性、非極性、ZnO、mist-CVD、nonpolar、semipolar	碩士	103	2016-08-10	2.03 年
104	氮化m面藍寶石基板與鑽石沉積於m面AlN氮化層之研究 The study of nitridation of m-plane sapphire substrate and diamond deposition on nitrided layer of m-plane AlN 材料科學與工程學系所氮化、鑽石、氮化鋁、藍寶石基板、微波電漿、Nitridation、Diamond、AlN、Sapphire、Microwave plasma	碩士	103	2016-08-02	2.00 年
104	(100)Si基板上之TiO2薄膜氮化為TiN磊晶並作為緩衝層在其上成長鑽石薄膜之研究 The study of diamond growth on Si substrate using an epitaxial TiN buffer layer formed by plasma nitriding of TiO2 film 材料科學與工程學系所氮化鈦、二氧化鈦、矽、鑽石、偏壓輔助成核法、氮化法、Titanium dioxide、Titanium nitride、plasma nitridation、bias enhanced nucleation、atomic layer deposition、silicon	碩士	102	2015-10-21	2.22 年
103	新穎性氮化鋁與氮化銦鋁三族氮化物半導體磊晶成長之研究 Study of novel III-nitride semiconductor epitaxial growth of AlN and AlInN 材料科學與工程學系所氮化鋁與氮化銦鋁之三族氮化物、有機金屬化學氣相沉積、磊晶薄膜成長、穿透式電子顯微鏡及球面像差修正掃描穿透式電子顯微鏡分析、III-nitride of AlN and AlInN、Metal-organic chemical vapor deposition、MOCVD、Epitaxial thin film growth、TEM/STEM analysis	博士	98	2015-09-02	6.09 年
103	金屬有機氣相沉積成長技術在氮化鎵基高電子遷移電晶體之應用 MOCVD Growth Technologies for GaN-based High Electron Mobility Transistors 材料科學與工程學系所金屬有機氣相沉積(MOCVD)、GaN、高電子遷移率電晶體(HEMTs)、磊晶成長、AlGaN、MOCVD、HEMTs、Epitaxial Growth	博士	95	2015-07-05	8.93 年
103	鑽石包覆矽量子點之研究 The study of silicon quantum dots in diamond 工學院半導體材料與製程設備學程矽量子點、鑽石、silicon quantum dots、diamond	碩士在職專班	101	2015-04-08	2.68 年
103	鍍鎳(111)單晶鑽石基板上之同質磊晶鑽石薄膜成長與結構分析 Growth and Structural Characterization of Homoepitaxial Diamond Films on Ni-coated (111) Single Crystal Diamond Substrate 材料科學與工程學系所同質磊晶、鑽石、鎳、化學氣相沉積、Homoepitaxial growth、Diamond、Ni、CVD	博士	95	2015-03-28	8.65 年
103	氧化鋅於半極性氮化鎵模板成長之微結構研究 Microstructural study of ZnO grown on semipolar GaN templates 材料科學與工程學系所氧化鋅、氮化鎵、半極性、ZnO、GaN、semipolar	博士	95	2015-01-27	8.49 年
103	異質基板塗覆金剛烷及鑽石沉積之研究 Study of Adamantane Coating and Diamond Deposition on Heterosubstrates 材料科學與工程學系所金剛烷、鑽石、adamantane、diamond	博士	97	2015-01-21	6.47 年
103	霧化化學氣相沉積氧化鋅薄膜於藍寶石單晶 Mist Chemical Vapor Deposition of ZnO Thin Film on Sapphire 材料科學與工程學系所氧化鋅、霧化、化學氣相沉積、藍寶石、ZnO、Zinc oxide、Mist、CVD、chemical vapor deposition、Sapphire	碩士	101	2014-10-20	2.22 年
103	氮化矽層抑制氮化鎵成長於(111)矽基板之回熔蝕刻現象研究 The study of the effect of silicon nitride layer on inhibiting meltback etching phenomenon for growth of GaN on Si(111) 材料科學與工程學系所氮化矽、氮化鎵、矽基板、回熔蝕刻、Silicon nitride、GaN、Si(111)、meltback etching	碩士	101	2014-10-14	2.20 年
103	以化學浴法在圖案化基板上側向成長非極性氧化鋅 Lateral growth of nonpolar ZnO on patterned substrate by chemical bath deposition 工學院半導體材料與製程設備學程氧化鋅、化學浴、非極性、側向成長、圖案化基板、zno、CBD、nonpolar、lateral growth、patterned substrate	碩士在職專班	100	2014-09-02	3.09 年
102	矽磊晶製程表面微粒污染減量之研究 Research on the surface of silicon epitaxial process of particle pollution reduction 工學院半導體材料與製程設備學程矽磊晶製程表面微粒污染減量之研究	碩士在職專班	98	2014-01-22	4.48 年
102	鑲埋矽基量子點之鑽石(111)同質磊晶成長 Homoepitaxial growth of (111) diamond with embedded silicon-based quantum dots 材料科學與工程學系所同質磊晶、鑽石、矽基量子點、Homoepitaxial、diamond、Si-based quantum dots	碩士	100	2013-10-28	2.24 年
102	成長於氧化鎂基板上之氮氧化鈦與碳氧化鈦磊晶薄膜結構與特性研究 Structure and properties of epitaxial titanium oxynitride and titanium oxycarbide films on MgO substrate 材料科學與工程學系所氮氧化鈦、碳氧化鈦、奈米壓痕、磊晶薄膜、titanium oxynitride、titanium oxycarbide、nanoindentation、epitaxial films	博士	96	2013-10-04	6.18 年
102	鋁酸鑭上之半極性氧化鋅磊晶薄膜-成長與結構分析 Growth and structural characterization of epitaxial semipolar ZnO thin films on LaAlO3 材料科學與工程學系所氧化鋅、微結構、界面、半極性、表面形貌、ZnO、microstructure、interface、semipolar、surface morphology	博士	96	2013-08-30	6.08 年
102	以水熱法在異質基板上成長氧化鋅之研究 Study of Hydrothermal Growth of ZnO on Heterogeneous Substrates 材料科學與工程學系所水熱法、氧化鋅、hydrothermal、zinc oxide	碩士	100	2013-08-22	2.06 年
101	有機金屬分子束磊晶成長極性/半極性氮化銦磊晶薄膜之研究 Growth and characterization of polar/semipolar InN epilayers by metal-organic molecular beam epitaxy 材料科學與工程學系所氮化銦、有機金屬分子束磊晶、極性/半極性、五三流量比、Indium nitride、MOMBE、Polar/Semipolar、V/III flow ratio	博士	96	2013-08-02	6.00 年
100	於氮化鋁/矽基板上沉積鑽石之研究 The study of diamond growth on AlN/Si substrate 材料科學與工程學系所鑽石、氮化鋁、微波電漿化學氣相沉積、Diamond、AlN、MPCVD	碩士	99	2012-08-23	2.06 年