拉金德拉·辛格
Singh, Rajendra・國際半導體產業學院・國際半導體產業學院
博士平均畢業時長
3.99 年
中位數 3.99 年・1 人
收錄論文
1 篇
114–114 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
GaN-on-Si MIS-HEMTs低溫特性伽瑪射線照射低頻雜訊射頻特性可靠度耐輻射電子系統量子運算Cryogenic CharacterizationGamma IrradiationLow-Frequency NoiseRF CharacterizationReliabilityRadiation-Hardened ElectronicsQuantum Computing
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | Development and Reliability Study of sub-micron GaN-on-Si HEMTs for Quantum Computing and Space Applications GaN-on-Si MIS-HEMTs、低溫特性、伽瑪射線照射、低頻雜訊、射頻特性、可靠度、耐輻射電子系統、量子運算、Cryogenic Characterization、Gamma Irradiation、Low-Frequency Noise、RF Characterization、Reliability、Radiation-Hardened Electronics、Quantum Computing | 博士 | 111 | 2026-07-28 | 3.99 年 |