李敏鴻
Lee, Min-Hung・電機學院・電子研究所
博士平均畢業時長
5.56 年
中位數 5.56 年・1 人
收錄論文
1 篇
113–113 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
(反)鐵電隨機存取記憶體(反)鐵電電容(反)鐵電穿隧式記憶體極化疲勞極化恢復(Anti)-Ferroelectric Random-Access Memory ((A)FeRAM)(Anti)-Ferroelectric Capacitor ((A)FeCap)(Anti)-Ferroelectric Tunneling Junction ((A)FTJ)FatigueRecovery
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 113 | Comprehensive Investigation of Readout Current in (Anti)ferroelectric Capacitors for Memory Applications and Formulation of Endurance Fatigue Recovery Strategies 電子研究所・共同指導：侯拓宏 (反)鐵電隨機存取記憶體、(反)鐵電電容、(反)鐵電穿隧式記憶體、極化疲勞、極化恢復、(Anti)-Ferroelectric Random-Access Memory ((A)FeRAM)、(Anti)-Ferroelectric Capacitor ((A)FeCap)、(Anti)-Ferroelectric Tunneling Junction ((A)FTJ)、Fatigue、Recovery | 博士 | 108 | 2025-02-19 | 5.56 年 |