李連忠

Li, Lain-Jong・工學院・材料科學與工程學系

碩士平均畢業時長

2.25 年

中位數 2.25 年・2 人

博士平均畢業時長

5.71 年

中位數 5.71 年・2 人

收錄論文

4 篇

101–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

MoS2二硫化鉬過渡金屬二硫屬化物化學氣相沉積二硒化鎢區域選擇性生長缺陷抑制單晶外延晶圓級合成Transition Metal DichalcogenidesChemical Vapor DepositionTungsten DiselenideArea-selective GrowthDefect SuppressionSingle-crystal EpitaxyWafer-scale Synthesis利用二維材料做為無標記之DNA感測器之研究: 石墨烯和二硫化鉬DNA detectionGraphenelabel-free形變位能應力壓電材料光激螢光光譜拉曼光譜偏振拉曼光譜Deformation potentialStrainMolybdenum DisulfidePMNPTPhotoluminescence spectroscopyRaman spectroscopyPolarization Raman spectroscopy化學氣相沉積法電晶體CVDTransistor

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	二維鎢二硫族化合物之精準成長工程 Precision Growth Engineering of Two-Dimensional Tungsten Dichalcogenides 材料科學與工程學系・共同指導：韋光華過渡金屬二硫屬化物、化學氣相沉積、二硒化鎢、區域選擇性生長、缺陷抑制、單晶外延、晶圓級合成、Transition Metal Dichalcogenides、Chemical Vapor Deposition、Tungsten Diselenide、Area-selective Growth、Defect Suppression、Single-crystal Epitaxy、Wafer-scale Synthesis	博士	108	2026-03-06	6.60 年
102	利用二維材料做為無標記之DNA感測器之研究: 石墨烯和二硫化鉬 Label – Free Detection of Deoxyribonucleic Acids (DNA) Hybridisation on 2D materials : Graphene and MoS2 材料科學與工程學系所・共同指導：韋光華利用二維材料做為無標記之DNA感測器之研究: 石墨烯和二硫化鉬、DNA detection、Graphene、MoS2、label-free	博士	98	2014-05-27	4.82 年
102	藉由外加應力探討單層二硫化鉬的形變位能 Determination of deformation potentials by applied strain in monolayer Molybdenum Disulfide 電子物理系所・共同指導：張文豪、陳煜璋、鄭舜仁形變位能、應力、二硫化鉬、壓電材料、光激螢光光譜、拉曼光譜、偏振拉曼光譜、Deformation potential、Strain、Molybdenum Disulfide、PMNPT、Photoluminescence spectroscopy、Raman spectroscopy、Polarization Raman spectroscopy	碩士	100	2014-02-27	2.58 年
101	大面積單層二硫化鉬合成與鑑定 Synthesis and Characterizations of Large-Area MoS2 Monolayers 光電工程研究所二硫化鉬、化學氣相沉積法、電晶體、MoS2、CVD、Transistor	碩士	100	2013-07-01	1.92 年