張文豪

Chang, Wen-Hao・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

2.34 年

中位數 2.05 年・69 人

在職專班平均畢業時長

2.88 年

中位數 2.88 年・1 人

博士平均畢業時長

7.05 年

中位數 7.00 年・11 人

收錄論文

81 篇

100–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二維材料二硫化鉬2D materialsTransition metal dichalcogenides二硒化鎢two-dimensional materials過渡金屬二硫族化物MoS22D materialmolybdenum disulfidephotoluminescenceWSe2tungsten diselenide接觸電阻contact resistancechemical vapor depositiontwo-dimensional material過渡金屬二硫化物hysteresisField-effect Transistor化學氣相沉積Surface plasmon表面電漿遲滯熱退火thermal annealing過度金屬二硫族化物場效電晶體六方氮化硼異質雙層strong coupling二硒化鉑Transition metal dichalcogenideSecond harmonic generationInterlayer coupling奈米鑽石共振器超導材料品質因子ResonatorSuperconducting materialsQuality factor超導量子位元Josephson junction雙層二硫化鉬p型電晶體p-type transistor二維半導體材料層數工程置換性摻雜

想看最新的研究方向與計畫經費，也可以查政府研究計畫（GRB）。

指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	後處理對單晶鉭超導薄膜微波共振器的影響 Effects of Post-Treatments on Microwave Resonators Based on Single-Crystal Tantalum Films 電子物理學系量子位元、共振器、超導材料、品質因子、渦旋損耗、Quantum qubit、Resonator、Superconducting materials、Quality factor、Vortex loss	碩士	113	2026-08-19	2.05 年
115	超導量子位元之約瑟夫接面製程優化與偏壓調控 Process Optimization and Bias Tuning of Josephson Junctions for Superconducting Qubit 電子物理學系超導量子位元、約瑟夫森接面、偏壓調控、常態電阻、穿隧障壁、superconducting qubit、Josephson junction、bias tuning、normal-state resistance、tunnel barrier	碩士	113	2026-08-19	2.05 年
115	大面積相稱堆疊的雙層二硫化鉬 Large-area Bilayer MoS2 with Commensurate Stacking 電子物理學系雙層二硫化鉬、直接鍵合、富硫退火、相稱堆疊、滑移鐵電性、Bilayer MoS2、direct bonding、sulfur-rich annealing、commensurate stacking、sliding ferroelectricity	碩士	113	2026-08-10	2.02 年
115	以後處理與界面工程改善二硒化鎢P型電晶體性能 Improved P-type Performance of WSe2 Transistors by Post-treatment and Interfacial Engineering 電子物理學系二維材料、二硒化鎢、p型電晶體、氧化鎢、紫外光臭氧處理、界面工程、遲滯、two-dimensional materials、tungsten diselenide、p-type transistor、tungsten oxide、ultraviolet-ozone treatment、interfacial engineering、hysteresis	碩士	113	2026-08-10	2.02 年
115	二硫化鉬上磊晶衍生晶體氧化鋁之電晶體應用 Epitaxially-derived Crystalline Al2O3 on MoS2 for Transistor Application 電子物理學系二維半導體材料、二硫化鉬、結晶性氧化鋁、磊晶生長、two-dimensional、MoS2、crystalline Al2O3、epitaxial growth	碩士	113	2026-08-10	2.02 年
115	二硫化鉬中選擇性區域層數工程與摻雜 Selected-area Layer Engineering and Doping in MoS2 電子物理學系二維材料、二硫化鉬、層數工程、共濺渡系統、熱退火、置換性摻雜、接觸電阻、2D materials、MoS2、layer engineering、co-sputtering system、thermal annealing、substitutional doping、contact resistance	碩士	113	2026-08-10	2.02 年
114	高品質共振器之鉭超導薄膜的優化磊晶成長研究 Optimized Epitaxial Growth of Tantalum Films for High-Quality Resonator 電子物理學系量子電腦、共振器、超導材料、品質因子、Quantum computing、Resonator、Superconducting materials、Quality factor	碩士	112	2026-08-20	3.05 年
114	不含聚合物製程之二維材料轉移之技術 Polymer-free process for 2D material transfer 電子物理學系二維材料、材料轉印技術、金屬轉印法、堆疊轉印法、異質結構、2D materials、Material Transfer Technology、Metal Transfer Method、Stacking Transfer Method、Heterostructure	碩士	108	2026-02-08	6.52 年
114	二氧化鉿閘極介電層厚度微縮對二硫化鉬電晶體影響 Impacts of HfO₂ Gate Dielectrics Scaling on MoS₂ FETs 電子物理學系二維半導體材料、二硫化鉬、二氧化鉿、EOT微縮、2D material、MoS2、HfO2、EOT scaling	碩士	112	2025-09-09	2.11 年
114	化學氣相沉積晶圓級單層二硒化鎢薄膜及P型電晶體應用 Chemical Vapor Deposition of Wafer-Scale Monolayer WSe2 for P-type Transistor Applications 電子物理學系二維材料、二硒化鎢、晶圓級生長、氧氣輔助化學氣相沉積、p型電晶體、遲滯效應、鈍化層、2D materials、Tungsten diselenide、Wafer-scale growth、Oxygen-assisted chemical vapor deposition、P-type transistor、Hysteresis、Passivation	碩士	112	2025-08-21	2.06 年
114	真空鍵合無氣泡堆疊雙層二硫化鉬於電晶體應用 Bubble-Free Stacked Bilayer MoS₂ by Vacuum Bonding for Transistor Applications 電子物理學系雙層二硫化鉬、氣泡生成機制、應變控制、真空鍵合、二維材料電晶體、Bilayer MoS₂、Bubble formation mechanism、Strain control、Vacuum bonding、2D material transistors	碩士	112	2025-08-20	2.05 年
114	以共濺鍍系統探討雙層二硫化鉬之摻雜策略 Exploring the doping strategy of bi-layer MoS2 by co-sputtering system 電子物理學系二維材料、二硫化鉬、共濺鍍系統、摻雜技術、熱退火、置換性摻雜、two-dimensional materials、MoS2、co-sputtering system、doping technique、thermal annealing、substitutional doping	碩士	112	2025-08-18	2.05 年
114	碳奈米管陣列的液-液界面組裝與直徑調控於低功耗電晶體之應用 Engineering Liquid-Liquid Interface Assembly and Diameter Tailoring of Carbon Nanotube Arrays for Low-Power Transistors 電子物理學系・共同指導：黃漢森碳奈米管、碳奈米管場效電晶體、介面組裝、穿隧漏電、束化、Carbon nanotube、Bundling、CNTFET、Liquid-Liquid interface Assembly、Tunneling leakage	博士	108	2025-07-24	5.98 年
113	通訊波段發射單光子量子點的可定位轉印方法 Pick-and-Place Positioning of Quantum Dots for Single-Photon Emissions at Telecom Band 前瞻半導體研究所量子點、單光子源、濕蝕刻、轉印、螢光激發光譜、通訊波段、漢伯里-布朗-特維斯實驗、量子通訊、Quantum dots、Single-photon source、Wet etching、Pick-and-place transfer、Photoluminescence excitation、Telecom band、Hanbury-Brown-Twiss experiment、Quantum communication	碩士	112	2025-08-20	2.05 年
113	於藍寶石基板上製作用於量子電路的約瑟夫接面 Fabrication of Josephson Junction on Sapphire for Quantum Circuits 電子物理學系超導量子位元、約瑟夫節、鋁、藍寶石基板、超高真空電子束蒸鍍機、Qubit、Josephson junction、aluminum、sapphire、UHV e-beam evaporation	碩士	112	2025-08-16	2.04 年
113	以磊晶氧化層介面工程實現高跨導之二硫化鉬頂部閘極場效電晶體 Epitaxial interfacial oxide engineering enables high-transconductance MoS2 top-gate transistors 電子物理學系二維材料、磊晶介面層工程、等效氧化層厚度微縮、頂部閘極工程、2D Material、Epitaxial interfacial layer engineering、EOT scaling、Top-gate engineering	碩士	110	2025-07-20	3.97 年
113	以掃描穿隧顯微術研究金屬基板上過渡金屬二硫族化物之電子結構與缺陷態 Scanning Tunneling Microscopy Study of Electronic Structure and Defect States in Transition Metal Dichalcogenides on Metallic Substrates 電子物理學系過度金屬二硫族化物、金屬誘發間隙態、介面偶級子、無氧生長、缺陷工程、掃描穿隧顯微鏡、Transition metal dichalcogenides、metal-induced gap states、interface dipole、oxygen-free growth、defect engineering、scanning tunneling microscopy	博士	106	2025-07-17	7.96 年
113	快速熱退火改善二硫化鉬電晶體表現 Improving the performance of MoS2 transistors through rapid thermal annealing 理學院碩士在職專班-應用科技組二硫化鉬、快速熱退火、聚合物殘留、硫空位、場效電晶體、MoS₂、Rapid Thermal Annealing、Polymer Residue、Sulfur Vacancies、Field-effect Transistor	碩士在職專班	111	2025-06-17	2.88 年
113	以高介電常數局部底閘結構和六方氮化硼界面層提升二硫化鉬電晶體性能 Improved electrical properties of MoS₂ field-effect transistor via high-κ local bottom-gate and hBN interfacial layer 電子物理學系二硫化鉬、單層六方氮化硼、局部底閘結構、高介電常數介電層、場效電晶體、載子遷移率、化學氣相沉積、molybdenum disulfide、monolayer hexagonal boron nitrid、local bottom-gate structures、high-k material dielectric、field-effect transistor、carrier mobility、chemical vapor deposition	碩士	111	2025-05-28	2.82 年
113	以金屬有機化學氣相沉積法進行成核控制的單層二硫化鎢合成 Nucleation-controlled synthesis of monolayer tungsten disulfide by metal-organic chemical vapor deposition 電子物理學系二維材料、晶圓級單層二硫化鎢、硫化氫、金屬有機化學氣相沉積、成核控制、2D material、wafer-scale monolayer WS2、H2S、MOCVD、nucleation-controlled	碩士	111	2025-05-13	2.78 年
113	雙層二硫化鉬堆疊結構的熱致相變 Thermally induced phase transition in stacking configuration of bilayer MoS2 電子物理學系二維材料、過渡金屬二硫族化物、二硫化鉬、堆疊結構、相變、相稱結構、Two-dimensional materials、Transition metal dichalcogenides、molybdenum disulfide、stacking configuration、phase transition、commensurate structure	碩士	111	2024-09-16	2.13 年
113	晶圓級金屬有機化學氣相沉積二硫化鎢磊晶生長研究 Approaching wafer-scale MOCVD WS2 epitaxial growth 電子物理學系二維材料、二硫化鎢、有機化學氣相沉積、奧斯瓦爾德熟化、光致螢光、拉曼位移、Two-dimensional materials、tungsten disulfide、MOCVD、Ostwald ripening、photoluminescence、Raman shift	碩士	111	2024-08-19	2.05 年
113	以堆疊單層單晶二硫化鉬製作場效電晶體 Field effect transistors based on layer-by-layer stacking of single crystal monolayer MoS2 電子物理學系二維材料、單晶雙層二硫化鉬、真空轉印技術、接觸電阻、蕭特基能障、2D material、single crystal bilayer MoS2、vacuum transfer、contact resistance、Schottky barrier	碩士	111	2024-08-19	2.05 年
112	平坦化雙層過渡金屬二硫化物莫列特性和層間作用研究 Investigation of Moiré Properties and Interlayer Interactions in Flattened Bilayer Transition-Metal Dichalcogenides 電子物理學系二維材料、雙層、莫列、表面重構、鐵電、2D materials、bilayer、moiré、surface reconstruction、ferroelectric	碩士	111	2024-08-15	2.04 年
112	透過生長工程改善二硒化鎢之材料品質 Improving the Material Quality of Monolayer WSe₂ via Growth Engineering 電子物理學系二維材料、二硒化鎢、化學氣相沉積、硒空缺、抗氧化性、遲滯、氧氣不心缺陷、光致發光、p 型、two-dimensional material、Tungsten diselenide、chemical vapor deposition、selenium vacancy、antioxidation、hysteresis、WSe2、CVD-grown、p-type、photoluminescence、Se vacancy、oxygen-related defect	碩士	111	2024-08-15	2.04 年
112	探討二硫化鉬在不同轉印方法中的元件特性 Explore the performance of MoS₂ devices with different transfer techniques 電子物理學系二維材料、二硫化鉬、乾式轉印、熱退火、載子遷移率、2D materials、MoS2 (MoS₂)、dry transfer、thermal annealing、carrier mobility	碩士	107	2024-08-15	6.04 年
112	化學氣相沉積生長六方氮化硼薄膜中產生之單光子發射器 Single Photon Emitters Created in Hexagonal Boron Nitride Films Grown by Chemical Vapor Deposition 電子物理學系六方氮化硼、常壓化學氣相沉積、高溫退火、紫外光臭氧清潔、單光子發射器、二階相關性函數量測、激發功率量測、偏振關係量測、變溫測量、hexagonal boron nitride (hBN)、atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD)、high temperature annealing、UV ozone cleaning、single photon emissions (SPEs)、second-order correlation function measurements、excitation power measurements、polarization dependence measurements、variable temperature measurements	碩士	110	2023-10-26	2.23 年
112	透過界面工程改善二硒化鎢電晶體之遲滯與p型性能 Hysteresis and p-type performance of WSe2 transistors improved by interfacial engineering 電子物理學系二維材料、二硒化鎢、遲滯、界面層、場效電晶體、2D materials、WSe2、hysteresis、interfacial layer、field-effect transistor	碩士	110	2023-09-07	2.10 年
112	堆疊之雙層二硫化鉬場效電晶體 Field effect transistors based on stacked MoS2 bilayers 電子物理學系二維材料、二硫化鉬、堆疊雙層二硫化鉬、遷移率、接觸電阻、蕭特基勢壘高度、2D material、MoS2、stacked bilayer MoS2、mobility、contact resistance、Schottky barrier height	碩士	110	2023-09-06	2.10 年
112	以六方氮化硼介面層提升二硫化鉬電晶體性能 Improved MoS2 transistor performance by hexagonal boron nitride interfacial layer 電子物理學系二維材料、六方氮化硼、二硫化鉬場效電晶體、介面層、載流子散射、電荷轉移摻雜、2D materials、hexagonal boron nitride、molybdenum disulfide field-effect transistor、interfacial layer、carrier scattering、charge transfer doping	碩士	110	2023-09-05	2.09 年
111	在金 111 面上合成高品質二硒化鉬 High Quality MoSe2 synthesized on Au(111) 電子物理系所過渡金屬二硫族化物、二硒化鉬、化學氣相沉積、transition-metal dichacoginides、molybdenum diselenide、chemical vapor deposition	碩士	108	2022-11-15	3.29 年
110	異質雙層過渡金屬二硫化物層間激子之傳輸特性 Transport properties of interlayer exciton in heterobilayers of transition metal dichalcogenides 電子物理系所異質雙層、二維材料、過渡金屬二硫化物、層間激子、激子動力學、heterobilayer、two-dimensional material、transition metal dichalcogenides、interlayer exciton、exciton dynamics	碩士	109	2022-08-22	2.06 年
110	利用硫化氫做為氣相前驅物之二硫化鎢生長研究 WS2 synthesis using H2S as a gaseous precursor 電子物理系所二維過渡金屬硫屬化物(TMD)、化學氣相沉積(CVD)、硫化氫(H2S)、菲克定律、邊界層理論、Transition Metal Dichalcogenide (TMD)、Chemical vapor deposition (CVD)、Hydrogen disulfide (H2S)、Fick’s law、Boundary layer theory	碩士	109	2022-08-11	2.03 年
110	單層二硫化鎢與電漿子奈米結構強耦合之能谷極化子分離 Separating valley polaritons in monolayer WS2 strongly coupled to plasmonic nanostructures 電子物理系所過渡金屬二硫化物、表面電漿子、強耦合、能谷極化子、自旋軌道耦合、transition metal dichalcogenides、surface plasmon polaritons、strong coupling、valley polaritons、spin-orbit coupling	碩士	109	2022-08-08	2.02 年
110	二硒化鉑與二硒化鎢橫向異質結之邊緣接觸電晶體 Edge-contact transistors based on PtSe2–WSe2 lateral heterojunctions 電子物理系所二維材料、二硒化鎢、二硒化鉑、費米能階釘扎、邊緣接觸、2D materials、WSe2、PtSe2、Fermi level pinning、edge contact	碩士	109	2022-07-20	1.97 年
110	二硫化鈮接觸層與二硫化鉬通道之異質結構電晶體 Heterostructures transistors based on monolayer MoS2 channels and NbS2 contact layer 電子物理系所金屬-半導體異質結構、二維材料場效電晶體、二硫化鈮、二硫化鉬、二維材料、半金屬、Metal-Semiconductor Heterostructures、TMDs Field-Effect Transistor、Niobium disulfide NbS2、Molybdenum disulfide MoS2、TMDs materials、Semimetal	碩士	109	2022-07-20	1.97 年
109	二維原子層二硒化鉑材料生長、物性分析及元件應用 Two-dimensional atomic layer PtSe2: Growth, material characterizations and device applications 電子物理系所二硒化鉑、大面積成長、多晶薄膜、單層單晶薄膜、Platinum diselenide、Large area continuous flim、Single-crystal monolayer、Polycrystalline film	博士	102	2021-08-30	8.08 年
109	可控合成高品質二維過渡金屬二硫族化物 Controllable Synthesis of High-Quality Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides 電子物理系所二維材料、高品質過鍍金屬二硫族化物、化學氣相沉積法、Two-dimensional materials、High-quality transition metal dichalcogenides、Chemical vapor deposition	博士	102	2021-08-30	8.08 年
109	單層二硒化鎢與選擇性沉積多層二硒化鉑接觸之場效電晶體 Monolayer WSe2 FET with patterned growth of PtSe2 contact 電子物理系所二維材料、二硒化鎢、二硒化鉑、費米能階釘札效應、接觸電阻、2D materials、WSe2、PtSe2、Fermi level pinning、contact resistance	碩士	108	2021-08-11	2.03 年
109	扭轉異質雙層二硒化鉬/二硫化鉬之載子動力學 Carrier dynamics of twisted MoSe2/MoS2 heterobilayers 電子物理系所載子動力學、異質雙層、二維材料、扭轉角、過渡金屬二硫化物、carrier dynamics、heterobilayers、2D materials、twist angle、TMD	碩士	108	2021-08-01	2.00 年
109	非厄米電磁極化子耦合系統的研究 Study of a non-Hermitian polaritonic coupled system 電子物理系所・共同指導：果尚志非厄米、耦合系統、局域表面電漿共振、二維材料、Non-Hermitian、Coupled system、Localized surface plasmon resonance、2D material	碩士	107	2021-07-26	2.98 年
109	邊緣接觸之單層二硫化鉬場效電晶體 Edge Contact Monolayer MoS2 FET 電子物理系所二維材料、二硫化鉬、邊緣接觸、費米能接釘扎、蕭特基勢壘高度、2D materials、MoS2、Edge contact、Fermi-level pinning、Schottky barrier height	碩士	108	2021-07-20	1.97 年
109	製備單晶金(111)表面應用於生長二維材料 Fabrication of single-crystal Au (111) surface for synthesizing two-dimensional materials 電子物理系所二維材料、新穎半導體材料、晶圓級、單晶金、超高真空、晶粒成長、2-D materials、single-crystal Au (111)、wafer-scale、herringbone	碩士	108	2021-07-08	1.94 年
108	異質雙層二硒化鉬/二硫化鉬之莫列層間激子與層內激子 Moiré Interlayer and Intralayer Excitons in MoSe2/MoS2 Heterobilayers 電子物理系所二維材料、過渡金屬二硫化物、異質雙層、激子、莫列位能、能谷、2D material、Transition metal dichalcogenide、heterobilayer、exciton、moiré potential、valley	碩士	107	2020-09-18	2.13 年
108	大面積與選擇性層數工程於化學氣相沉積成長之二硫化鉬 Scalable and Patternable Layer Engineering of Few-layer MoS2 on CVD-grown MoS2 電子物理系所二維材料、二硫化鉬、層數工程、濺鍍、接觸電阻、2D materials、MoS2、layer engineering、sputter、contact resistance	碩士	107	2020-08-13	2.03 年
108	探討單層二硒化鎢在Tamm結構中的強耦合作用與極化子特性 Explore the strong coupling with WSe2 exciton in Tamm structure and the characteristic of polariton 電子物理系所激子-極化子、Tamm結構、光-物質交互作用、能谷極化、過渡金屬二硫化物、exciton-polariton、Tamm structure、light-matter interaction、valley polarization、transition metal dichalcogenides	碩士	106	2020-01-30	2.50 年
108	以化學氣相沉積技術生長晶圓尺寸單原子層單晶六方氮化硼薄膜於銅(111)/藍寶石基板上 Synthesizing Wafer-scale Single-crystal Monolayer Hexagonal Boron Nitride Thin Film on Cu(111)/Sapphire Substrates by Chemical Vapor Deposition 電子物理系所六方氮化硼、化學氣相沉積、二維材料、hexagonal boron nitride、chemical vapor deposition、two-dimensional material	碩士	106	2020-01-29	2.49 年
107	垂直堆疊二維過渡金屬二硫族化物之對稱性 Symmetry of Vertically Stacked 2D Transition Metal Dichalcogenides 電子物理系所・共同指導：張玉明二維材料、過渡金屬二硫族化物、拉曼、二次諧波、二硒化鈀、異質結構、異向性、Two-dimensional materials、Transition Metal Dichalcogenides、Raman、Second harmonic generation、PdSe2、heterostructure、anisotropy	碩士	106	2019-09-04	2.09 年
107	表面電漿奈米結構中之光與物質交互作用 Light-matter interaction in plasmonic nanostructures 電子物理系所表面電漿奈米結構、電漿雷射、強耦合、二維材料、能谷電子、自旋軌道耦合、Surface plasmon、Plasmonic laser、Tamm plasmon、Strong coupling、2D materials、Valleytronics、Spin-orbit interaction of light	博士	102	2019-07-30	5.99 年
107	單層二硫化鉬與週期性表面電漿奈米結構耦合之激子-電漿子交互作用 Exciton-plasmon interaction in monolayer MoS_2 coupled with periodic surface plasmonic nanostructure 電子物理系所二硫化鉬、週期性表面電漿奈米結構、激子-電漿子交互作用、Molybdenum disulfide、periodic surface plasmonic nanostructure、exciton-plasmon interaction	碩士	103	2018-11-28	4.33 年
107	二維材料與表面電漿Tamm模態的強耦合交互作用 Strong coupling of two-dimensional material with surface plasmonic Tamm mode 電子物理系所二維材料、Tamm模態、強耦合交互作用、two-dimensional material、Tamm mode、strong coupling	碩士	105	2018-10-17	2.21 年
107	掌性電漿子結構誘發二硒化鎢之螢光增益 Chiral Plasmonic Structure Induced Photoluminescence Enhancement of WSe2 電子物理系所過渡金屬二硫族、二硒化鎢、表面電漿子、能谷、螢光、transition metal dichalcogenides、WSe2、surface plasmon、valley、Photoluminescence	碩士	105	2018-10-15	2.20 年
106	增強單層過渡金屬二硫族化物光學強度之寬頻且大面積平台 Broadband and large-area platforms for enhancing optical intensity in monolayer transition metal dichalcogenides 電子物理系所過渡金屬二硫族化物、基板干涉、光激螢光、拉曼、二階諧波產生、頻域分辨光學開關、Transition metal dichalcogenide、Substrate interference、Photoluminescence、Raman、Second-harmonic generation、Frequency resolved optical gating	博士	100	2018-07-30	7.00 年
106	二硫化鎢/二硫化鉬垂直異質接面之層間耦合電子特性 Interlayer Coupling in Electronic Structures of WS2/MoS2 Vertical Heterojunctions 電子物理系所二維層狀材料、過渡金屬二硫族化物、二維異質接面材料、層間耦合效應、動量解析螢光光譜、Two-dimensional layered material、Transition metal dichalcogenides、2-D heterojunction materials、Interlayer coupling、Momentum-resolved spectroscopy	碩士	105	2018-07-23	1.97 年
106	二硫化鉬表面聲波元件對於光感測之研究 Study of monolayer MoS2 optical detector based on surface acoustic wave device 電子物理系所二硫化鉬、表面聲波、聲電效應、光感測器、molybdenum disulfide、surface acoustic wave、acoustoelectric interaction、optical detector	碩士	104	2018-03-14	2.62 年
105	原子力顯微鏡及表面電位顯微鏡於單層二硒化鎢-二硒化鉬異質結構之研究 Studies of monolayer WSe2-MoSe2 heterostructures by atomic force microscopy and scanning kelvin probe microscopy 電子物理系所原子力顯微鏡、表面電位顯微鏡、單層二硒化鎢-二硒化鉬異質結構、空乏區寬度、內建電位、能帶校準、相位量測、Atomic Force Microscopy、Scanning Kelvin Probe Microscopy、monolayer WSe2-MoSe2 heterostructures、depletion region width、built-in potential、Band alignment、Phase measurement	碩士	103	2017-02-19	2.55 年
105	應變導致過渡金屬二硫族化物水平異質結構中之能帶演化 Strain-induced band evolution in lateral transition metal dichalcogenides heterostructures 電子物理系所過渡金屬二硫族化物水平異質結構、應變、二硫化鉬、二硒化鎢、lateral transition metal dichalcogenides heterostructures、strain、molybdenum disulfide、tungsten diselenide	碩士	103	2016-12-22	2.39 年
104	量子點激子能態檢測與操控 Characterizations and manipulations of the exciton states in single quantum dots 電子物理系所量子點、激子、single quantum dots、exciton	博士	97	2016-11-11	8.28 年
104	過渡金屬二硫族化物單層與異質結構之柯爾旋轉光譜 Kerr rotation spectroscopy of transition metal dichalcogenide monolayers and heterostructures 電子物理系所柯爾旋轉光譜、過渡金屬二硫族化物、Kerr rotation spectroscopy、transition metal dichalcogenide	碩士	103	2016-08-12	2.03 年
103	單層二硒化鎢之時間解析克爾旋轉光譜 Time-resolved Kerr rotation spectroscopy in monolayer Tungsten Diselenide 電子物理系所二維材料、過度金屬二硫族化物、克爾效應、克爾旋轉光譜、two-dimensional materials、transition metal dichalcogenides、Kerr effect、Kerr rotation spectroscopy	碩士	102	2015-08-09	2.02 年
103	單層二硒化鎢電晶體：元件製作與變偏壓下之光學特性 Monolayer WSe2 field effect transistor：Device fabrication and bias dependent optical properties 電子物理系所二硒化鎢、電晶體、過渡金屬二硫族化物、二維材料、Tungsten diselenide、field-effect transistor、transition metal dichogenide、two-dimensional material	碩士	102	2015-08-09	2.02 年
103	以表面電漿混和結構增強奈米鑽石內氮-空缺中心的單光子輻射 Enhanced single photon emissions from nitrogen-vacancy centers in nanodiamonds by plasmonic hybrid structures 電子物理系所奈米鑽石、表面電漿、單光子輻射、光激螢光、nanodiamonds、surface plasma、single-photon source、photoluminescence	碩士	102	2015-08-05	2.01 年
103	人工堆疊雙層過渡金屬二硫族化物的層間耦合作用 Interlayer Coupling of Artificially Stacked Transition Metal Dichalcogenides 電子物理系所雙層過渡金屬二硫族化物、層間耦合、Transition Metal Dichalcogenides、Interlayer Coupling	碩士	101	2015-02-23	2.56 年
103	二維過渡金屬二硫族化物之對稱相關光電特性 Symmetry-Dependent Electronic and Optical Properties of Two-Dimensional Transition Metal Dichalcogenides 電子物理系所二維層狀材料、過渡金屬二硫族化物、層間耦合效應、自旋動力學、光激螢光光譜、二次諧波產生、時間解析柯爾旋轉光譜、Two-Dimensional Layered Material、Transition Metal Dichalcogenides、Interlayer Coupling、Spin Dynamics、Photoluminescence、Second Harmonic Generation、Time-Resolved Kerr Rotation	博士	98	2015-01-07	5.43 年
102	以光學探測磁共振及時間解析螢光光譜研究受表面電漿增強的奈米鑽石單光子輻射 Surface-plasmon enhanced single photon emissions from nanodiamonds studied by optically detected magnetic resonance and time-resolved photoluminescence spectroscopy 電子物理系所鑽石、氮空缺缺陷、表面電漿、光學探測磁共振、時間解析螢光光譜、單光子、diamond、Nitrogen-vacancy center、N-V Center、surface-plasmon、optically detected magnetic resonance、ODMR、time-resolved photoluminescence spectroscopy、single photon	碩士	101	2014-08-21	2.05 年
102	利用光柵耦合器達到高效率螢光萃取自奈米鑽石螢光激發之表面電漿極化子 Efficient light extraction from surface plasmon polaritons excited by fluorescent nanodiamonds using grating couplers 電子物理系所表面電漿、光柵、奈米鑽石、surface plasmon、grating、nanodiamond	碩士	101	2014-08-20	2.05 年
102	二硒化鎢之載子與能谷極化動力學 Carrier and Valley Polarization Dynamics in Tungsten Diselenide 電子物理系所二硒化鎢、WSe2	碩士	101	2014-08-19	2.05 年
102	扭轉雙層二硫化鉬之層間耦合的電子及光學特性 Interlayer couplings in electronic and optical properties of twisted bilayer molybdenum disulfide 電子物理系所二維材料、二硫化鉬、二次諧波產生、過度金屬二硫族化物、異質接面材料、two-dimensional materials、molybdenum disulfide、second harmonic generation、transition metal dichalcogenides、heterojunction materials	碩士	101	2014-08-08	2.02 年
102	藉由外加應力探討單層二硫化鉬的形變位能 Determination of deformation potentials by applied strain in monolayer Molybdenum Disulfide 電子物理系所・共同指導：陳煜璋、鄭舜仁、李連忠形變位能、應力、二硫化鉬、壓電材料、光激螢光光譜、拉曼光譜、偏振拉曼光譜、Deformation potential、Strain、Molybdenum Disulfide、PMNPT、Photoluminescence spectroscopy、Raman spectroscopy、Polarization Raman spectroscopy	碩士	100	2014-02-27	2.58 年
102	披覆銻砷化鎵之砷化銦量子點的能帶結構工程及元件應用 Band Structure Engineering and Device Applications of GaAsSb-Capped InAs Quantum Dots 電子物理系所・共同指導：綦振瀛自組裝量子點、第二型量子點、銻砷化鎵、時間解析光激螢光光譜、平面式閘極電晶體、Self-assembled quantum dots、Type-II QDs、GaAsSb、TRPL、in-plane gate transistors	博士	96	2013-10-26	6.24 年
101	利用低溫光激螢光光譜偵測半導體微量雜質濃度 Determination of trace impurity concentration in semiconductor by low-temperature photoluminescence measurements 電子物理系所光激發螢光光譜、參雜濃度、矽晶圓、稀磁半導體、氮化鎵參雜錳、Photoluminescnece、impurity concentration、silicon wafers、dilute magnetic semiconductor、Manganese doped gallium nitride	碩士	100	2013-08-05	2.01 年
101	錳摻雜氮化鎵之載子動力學與自旋交換作用 Spin dynamics and exchange interaction in Mn-doped GaN 電子物理系所氮化鎵、交換作用能、DMS、GaN、exchange energy	碩士	100	2013-08-02	2.00 年
101	以砷化鎵穿隧能障調控披覆銻砷化鎵之砷化銦量子點載子生命期及光學特性研究 Tailoring carrier lifetime and optical properties of GaAsSb-capped InAs quantum dots by inserted GaAs tunneling barrier 電子物理系所砷化銦量子點、InAs quantum dot	碩士	100	2013-08-02	2.00 年
101	奈米鑽石/奈米金膜之室溫高效率單光子光源 Nanodiamond/nano-gold film for room temperature high-efficiency single photon sources 電子物理系所奈米鑽石、單光子源、表面電漿、Nanodiamond、Single Photon Sources、Surface Plasmon	碩士	100	2013-07-31	2.00 年
101	光子晶體雷射之近場光學影像分析 Near-Field Imaging of Optical Emission from Photonic Crystal Microcavity Lasers 電子物理系所近場、光子晶體、near-field、photonic crystal	碩士	100	2013-07-29	1.99 年
101	半導體微共振腔內之耦合行為研究 Investigation of Coupling Behaviors in Semiconductor Microcavities 電子物理系所微碟共振腔、光子分子、應力調變、耦合、microdisk microcavity、photonic molecules、stress tuning、coupling	博士	95	2013-02-18	6.55 年
100	太陽能電池材料之載子動力學 Carrier Dynamics in Materials for Solar Cell Applications 電子物理系所銻砷化鋁鎵、第二型砷化銦量子點、時間解析螢光光譜、銅銦鎵硒太陽能電池、AlGaAsSb、type-II InAs QD、Time-resolved PL spectrum、CIGS solar cell	碩士	99	2012-08-16	2.04 年
100	砷化銦單量子點藉應力以及磁場調變精細結構分裂 Stress and Magnetic Field Tuning of Fine Structure Splitting 電子物理系所單量子點、砷化銦、精細結構分裂、磁場、single quantum dot、InAs、fine structure splitting	碩士	99	2012-08-09	2.02 年
100	利用近場光學顯微術研究光子晶體雷射特性 Lasing characteristics of photonic crystal lasers studied by scanning near-field optical microscopy 電子物理系所近場、光子晶體、雷射、near-field、photonic crystal、laser	碩士	99	2012-07-31	2.00 年
100	應力調變下氮化銦鎵/氮化鎵量子井之光學特性研究 Optical properties of InGaN/GaN quantum wells under an external stress 電子物理系所量子井、應力調變、壓電極化、量子侷限史塔克效應、quantum well、strain tuning、piezoelectric polarization、QCSE	碩士	99	2012-07-31	2.00 年
100	氮化銦鎵奈米結構之結構與光學特性 Structural and Optical Properties of InGaN Nanostructures 電子物理系所・共同指導：李明知氮化銦鎵、拉曼光譜、奈米點、顯微螢光光譜、倒置空間圖、極化場、InGaN、Raman spectroscopy、Nanodots、Microphotoluminescence、Reciprocal space mapping、Polarization field	博士	93	2012-07-30	7.99 年