綦振瀛
Chyi, Jen-Inn・理學院・電子物理系所
博士平均畢業時長
6.24 年
中位數 6.24 年・1 人
收錄論文
1 篇
102–102 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
自組裝量子點第二型量子點銻砷化鎵時間解析光激螢光光譜平面式閘極電晶體Self-assembled quantum dotsType-II QDsGaAsSbTRPLin-plane gate transistors
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 102 | Band Structure Engineering and Device Applications of GaAsSb-Capped InAs Quantum Dots 電子物理系所・共同指導：張文豪 自組裝量子點、第二型量子點、銻砷化鎵、時間解析光激螢光光譜、平面式閘極電晶體、Self-assembled quantum dots、Type-II QDs、GaAsSb、TRPL、in-plane gate transistors | 博士 | 96 | 2013-10-26 | 6.24 年 |