柯文政
Ke, Wen-Cheng・理學院・電子物理系所
博士平均畢業時長
6.12 年
中位數 6.12 年・1 人
收錄論文
1 篇
104–104 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氮化銦鎵發光二極體深寬比具微奈米結構圖案之藍寶石基板光效下降氮氧化銦量子點歐姆接觸InGaN based light-emitting diodeaspect ratiohybrid patterned sapphire substrateefficiency droopInON nanodotsOhmic contact
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 104 | Improvements of the optoelectronic and structural properties of InGaN-based light-emitting diodes by employing nanostructures 電子物理系所・共同指導：陳衛國 氮化銦鎵發光二極體、深寬比、具微奈米結構圖案之藍寶石基板、光效下降、氮氧化銦量子點、歐姆接觸、InGaN based light-emitting diode、aspect ratio、hybrid patterned sapphire substrate、efficiency droop、InON nanodots、Ohmic contact | 博士 | 99 | 2016-09-12 | 6.12 年 |