陳衛國

Chen, W. K.・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

3.05 年

中位數 2.74 年・14 人

博士平均畢業時長

6.58 年

中位數 6.58 年・2 人

收錄論文

17 篇

100–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

MOCVDHall measurement氮化鎵GaN氮化銦鎵InGaNP型氮化鎵霍爾量測有機金屬化學氣相沈積p-type GaN載子遷移率mobilityp-GaNPhotoluminescence有機金屬化學氣相沉積雙加熱系統成長效率growth efficiency三維積體電路先進封裝低溫鈷對鈷接合熱壓接合鈍化層結構3DICAdvanced packagingThermocompression bondingLow temperature Co-Co bondingPassivation structureSIMS量測SIMS measurement電性電子濃度前驅物裂解electron concentrationPL measurementelectrical properties光激螢光光譜雙加熱MOCVD低溫高品質薄膜Two-Heater MOCVDLE HQ film氮化銦鎵發光二極體深寬比具微奈米結構圖案之藍寶石基板光效下降氮氧化銦量子點歐姆接觸InGaN based light-emitting diodeaspect ratiohybrid patterned sapphire substrate

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	可應用於先進封裝與超細間距之具金屬鈍化層輔助低溫鈷對鈷接合技術研究 Investigation of Low-temperature Co-Co Bonding with Metal Passivation for Advanced Packaging and Ultra-Fine Pitch Applications 電子物理學系・共同指導：陳冠能三維積體電路、先進封裝、低溫鈷對鈷接合、熱壓接合、鈍化層結構、3DIC、Advanced packaging、Thermocompression bonding、Low temperature Co-Co bonding、Passivation structure	碩士	112	2025-08-15	2.04 年
107	雙加熱氣相沉積系統製備P型氮化鎵薄膜電性分析 Electrical properties of p type GaN film grown by two-heater MOCVD 電子物理系所 P型氮化鎵、有機金屬化學氣相沈積、霍爾量測、SIMS量測、p-type GaN、MOCVD、Hall measurement、SIMS measurement	碩士	105	2019-01-29	2.49 年
107	雙加熱沉積系統成長氮化鎵薄膜電性研究 Electrical properties of un-GaN film grown by two-heater MOCVD 電子物理系所氮化鎵、電性、載子遷移率、電子濃度、霍爾量測、前驅物裂解、GaN、mobility、electron concentration、Hall measurement、PL measurement、electrical properties	碩士	105	2018-11-21	2.31 年
107	雙加熱有機金屬氣相沉積系統成長p型氮化鎵薄膜之光性研究 Optical Characterizations of Low Temperature p-GaN Thin Films Grown by Two-Heater MOCVD 電子物理系所 p型氮化鎵、光激螢光光譜、p-GaN、Photoluminescence	碩士	105	—	無法計算
105	以雙加熱有機金屬氣相沉積系統製備低溫高品質p型氮化鎵薄膜 Low-Temperature Growth of High-Quality p-Type GaN Thin Films by Two-Heater MOCVD 電子物理系所 p型氮化鎵、雙加熱MOCVD、低溫高品質薄膜、p-GaN、Two-Heater MOCVD、LE HQ film	碩士	103	2017-01-22	2.48 年
104	雙加熱有機金屬氣相沈積系統成長 p 型氮化鎵薄膜電特性之研究 Electrical Characterizations of p-GaN Thin Films Grown by Two-Heater MOCVD 電子物理系所 p型氮化鎵、霍爾量測、有機金屬化學氣相沈積、p-type GaN、Hall measurement、MOCVD	碩士	102	2016-09-13	3.12 年
104	使用奈米結構改善氮化銦鎵發光元件之光電及結構特性研究 Improvements of the optoelectronic and structural properties of InGaN-based light-emitting diodes by employing nanostructures 電子物理系所・共同指導：柯文政氮化銦鎵發光二極體、深寬比、具微奈米結構圖案之藍寶石基板、光效下降、氮氧化銦量子點、歐姆接觸、InGaN based light-emitting diode、aspect ratio、hybrid patterned sapphire substrate、efficiency droop、InON nanodots、Ohmic contact	博士	99	2016-09-12	6.12 年
103	雙加熱氣相沉積系統成長低溫高載子遷移率的氮化鎵薄膜特性研究 High Mobility of Low Temperature GaN Grown by Two Heater MOCVD 電子物理系所氮化鎵、雙加熱氣相沉積系統、載子遷移率、變溫霍爾、MOCVD、GaN、Mobility、Hall measurement	碩士	102	2015-11-15	2.29 年
102	雙加熱MOCVD系統成長氮化銦鎵薄膜之磊晶機制研究 Indium Incorporation Behaviors in InGaN Film Grown by Two-Heater MOCVD Reactor 電子物理系所氮化銦鎵、有機金屬化學氣相沉積、雙加熱系統、成長效率、磊晶機制、InGaN、MOCVD、Two-Heater、growth efficiency	碩士	99	2014-08-16	4.04 年
102	三族氮化物薄膜與奈米點磊晶機制之研究 Growth mechanisms of III-nitride epilayers and nanodots by two-heater MOVPE reactor 電子物理系所氮化銦鎵、金屬有機化學氣相磊晶、成長機制、雙加熱系統、InGaN、MOVPE、growth mechanism、two-heater MOVPE	博士	96	2014-08-12	7.03 年
102	雙加熱金屬氣相沈積系統成長氮化鎵磊晶機制與特性研究 Growths and characterizations of GaN grown by two-heater MOCVD 電子物理系所有機金屬氣相沈積系統、氮化鎵、MOCVD、GaN	碩士	100	2014-07-29	2.99 年
102	利用氮化矽插入層成長低差排密度氮化鎵磊晶層及物理特性之研究 Growth and characterization of low-dislocation GaN epilayers using SiN interlayer 電子物理系所氮化鎵、氮化矽、差排、有機金屬化學氣相沉積系統、聚結、島狀物、GaN、SiN、Dislocaion、MOCVD、Coalescence、Island	碩士	99	2014-03-24	3.64 年
101	利用雙加熱式有機金屬化學氣相磊晶系統成長高銦氮化銦鎵薄膜與其物理特性研究 Growth and characterization of middle-indium composition InGaN epilayers by two-heater MOCVD reactor 電子物理系所高銦組成、氮化銦鎵、有機金屬化學氣相磊晶、In-rich、InGaN、MOCVD	碩士	98	2013-02-04	3.51 年
100	利用雙加熱有機金屬化學氣相沉積系統成長低史托克位移氮化銦鎵薄膜之研究 InGaN Films with Low Stokes Shift Grown by Two-heater MOCVD System 電子物理系所有機金屬化學氣相沉積、氮化銦鎵、史托克位移、組成波動、叢集、Metalorganic Chemical Vapor Deposition、MOCVD、InGaN、Stokes shift、compositional fluctuation、cluster	碩士	99	2012-11-23	2.31 年
100	雙加熱器有機金屬化學氣相沉積系統上、下加熱板溫度對氮化銦鎵薄膜成長之研究 Influences of ceiling and substrate temperatures on growth of InGaN films using two-heater MOCVD reactor 電子物理系所氮化銦鎵、X光繞射、光激螢光、成長效率、能隙、半高寬、InGaN、X-ray diffraction、Photoluminescence、Growth efficiency、Band gap、Linewidth	碩士	98	2012-10-23	3.23 年
100	低溫氮化鎵薄膜磊晶與物理特性之研究 Growth and Characterizations of Low Temperature GaN Epilayers Using Two-Heater MOCVD Reactor 電子物理系所氮化鎵、霍爾量測、有機金屬化學氣相磊晶系統、GaN、Hall measurement、MOCVD	碩士	99	2012-10-22	2.23 年
100	流量調制磊晶技術成長氮化銦的形貌與光性研究 Effect of NH3 flow rate on morphologic and optical properties of InN dots grown by flow-rate modulation epitaxy 電子物理系所氮化銦、流量調制磊晶技術、InN、FME	碩士	95	2012-09-04	6.09 年