潘同明
Pan, Tung-Ming・電機學院・電子研究所
博士平均畢業時長
8.09 年
中位數 8.09 年・1 人
收錄論文
1 篇
106–106 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氧化鉿非晶態銦鎵鋅酸鹼值感測器酸鹼值感測度雙閘極上方閘極HfO2a-InGaZnOIon-sensitive thin-film transistor (ISTFT)pH sensitivityDouble-gate (DG)Top gate (TG)
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 106 | Low-Voltage pH Sensor Fabricated by Low-Temperature a-IGZO and PEALD HfO2 Sensing Membrane 電子研究所・共同指導：侯拓宏 氧化鉿、非晶態銦鎵鋅、酸鹼值感測器、酸鹼值感測度、雙閘極、上方閘極、HfO2、a-InGaZnO、Ion-sensitive thin-film transistor (ISTFT)、pH sensitivity、Double-gate (DG)、Top gate (TG) | 博士 | 99 | 2018-09-03 | 8.09 年 |