碩士平均畢業時長
2.05 年
中位數 2.03 年・20 人
博士平均畢業時長
4.69 年
中位數 4.69 年・1 人
收錄論文
21 篇
109–114 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生;中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
Two-dimensional electron gas二維電子氣記憶窗口memory windowhysteresisSi MOSFET量子霍爾效應Quantum Hall effect量子傳輸quantum transport量子運算矽基量子點庫侖振盪庫侖菱形silicon-based quantum dotsCoulomb oscillationCoulomb diamond鐵電場效電晶體二氧化鋯鉿薄膜遲滯曲線charge trapping矽金氧半場效電晶體安德烈夫反射superconductivityAndreev reflection矽基量子元件二維電子氣體Reflectionless tunneling量子點接觸形成氣體退火一維彈道傳輸quantum computingquantum point contactforming gas annealingone-dimensional ballistic transport低溫鐵電場效電晶體氧化鉿鋯超晶格cryogenic ferroelectric field-effect transistor (FeFET)hafnium zirconium oxide (HZO)superlattice介面缺陷ferroelectric field‑effect transistorHZO thin filmferroelectricity鐵電翻轉效應電荷捕捉效應Ferroelectric field effect transistorFerroelectric switching effectCharge trapping effect
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | One- and Zero-Dimensional Silicon-Metal-Oxide-Semiconductor Quantum Devices 電子物理學系 量子運算、矽基量子點、量子點接觸、庫侖振盪、庫侖菱形、形成氣體退火、一維彈道傳輸、quantum computing、silicon-based quantum dots、quantum point contact、Coulomb oscillation、Coulomb diamond、forming gas annealing、one-dimensional ballistic transport | 碩士 | 113 | 2026-07-21 | 1.97 年 |
| 114 | Characteristics of Cryogenic Ferroelectric Field-Effect Transistor Based on HfO₂-ZrO₂ Superlattice 電子物理學系 低溫鐵電場效電晶體、氧化鉿鋯、超晶格、記憶窗口、cryogenic ferroelectric field-effect transistor (FeFET)、hafnium zirconium oxide (HZO)、superlattice、memory window | 碩士 | 113 | 2026-07-21 | 1.97 年 |
| 114 | Characterization of FeFETs Performance Enhancement with Undoped Silicon Substrates 電子物理學系 鐵電場效電晶體、記憶窗口、介面缺陷、二氧化鋯鉿薄膜、遲滯曲線、ferroelectric field‑effect transistor、memory window、charge trapping、HZO thin film、hysteresis、ferroelectricity | 碩士 | 112 | 2025-08-13 | 2.03 年 |
| 114 | Room and Cryogenic Silicon Ferroelectric Field-Effect Transistors 電子物理學系 鐵電場效電晶體、鐵電翻轉效應、電荷捕捉效應、記憶窗口、Ferroelectric field effect transistor、Ferroelectric switching effect、Charge trapping effect、Memory window | 碩士 | 112 | 2025-08-13 | 2.03 年 |
| 114 | Silicon MOSFET Quantum Dot Devices on Doped and Undoped Substrates 電子物理學系 量子運算、矽基量子點、矽基金氧半場效電晶體、庫侖振盪、庫侖菱形、quantum computation、silicon-based quantum dots、Si MOSFET、Coulomb oscillation、Coulomb diamond | 碩士 | 112 | 2025-08-13 | 2.03 年 |
| 113 | Carrier Transport Modulation in Two-Dimensional Material and HZO Poly-Si Channel Ferroelectric Field Effect Transistors for Logic and Memory Functions 電子物理學系・共同指導:林彥甫 二硫化錫、二碲化鉬、二硒化鈀、凡德瓦異質結構場效電晶體、鐵電電晶體、載子傳輸、MoTe2、SnS2、PdSe2、FeFET、van der Waals heterostructure FET | 博士 | 109 | 2025-04-10 | 4.69 年 |
| 112 | Characterization of All-Silicon Cryogenic MOSFETs 電子物理學系 矽量子點元件、奈米微縮通道、彈道傳輸、全矽場效電晶體、多晶矽閘極空乏效應、位能波動、邊界通道、silicon quantum dot device、nanoconstriction channel、ballistic transport、all-silicon field-effect transistor、polysilicon gate depletion effect、potential fluctuation、edge state | 碩士 | 111 | 2024-07-30 | 2.00 年 |
| 112 | Characterization of Two-Dimensional Electron Gas with and without Functionalized Substrate from Room to Cryogenic Temperature 電子物理學系 異質結構、二維電子氣、霍爾效應、Shubnikov-de Haas震盪、量子霍爾效應、Heterostructure、Two-dimensional electron gas、Hall effect、Shubnikov-de Haas oscillations、Quantum Hall effect | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor-Controlled Aluminum Superconductivity 電子物理學系 超導場效電晶體、量子相干態、矽金氧半場效電晶體、二維電子氣、超導、安德烈夫反射、Superconducting FET、quantum coherence state、Si MOSFET、2DEG、superconductivity、Andreev reflection | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | Characterization of Silicon MOSFETs from Classical to Quantum Regimes 電子物理學系 矽基量子元件、二維電子氣、量子傳輸、量子霍爾效應、Silicon-based MOSFETs、two-dimensional electron gas、quantum transport、quantum hall effect | 碩士 | 111 | 2024-07-29 | 1.99 年 |
| 112 | Quantum Circuit Platform I: Design, Fabrication, and Devices on 6-Inch Silicon Wafers for Future Quantum Technology 電子物理學系 量子點、矽晶圓、金氧半場效電晶體、二維電子氣、遷移率、平均自由徑、quantum dots、silicon wafer、metal-oxide-semiconductor field effect transistor、two-dimensional electron gas、mobility、mean free path | 碩士 | 110 | 2023-08-24 | 2.06 年 |
| 112 | Current-Tuned Magnetoresistance in a Nanoscale TiN Film with Ferromagnetism 電子物理學系 氮化鈦、近藤效應、自旋極化、跳躍傳輸、鐵磁性、Titanium nitride、Kondo effect、Spin polarization、Hopping conduction、Ferromagnetism | 碩士 | 110 | 2023-08-23 | 2.06 年 |
| 112 | Quantum Circuit Platform Ⅰ: Cryogenic Detection of Quantum Oscillation in Undoped and Unpatterned Silicon Wafers 電子物理學系 矽基量子元件、量子傳輸、二維電子氣體、矽金氧半場效電晶體、量子霍爾效應、silicon-based quantum device、quantum transport、two-dimensional electron gas、Si MOSFET、quantum hall effect | 碩士 | 110 | 2023-08-22 | 2.06 年 |
| 112 | Microscopic Origins of Superconducting Phase-Related Resistance Oscillations in Aluminum Nanoscale FETs 電子物理學系 無反射穿隧、Tomasch 振盪、超導相位、量子電腦、閘極調變、約瑟夫森接面、Reflectionless tunneling、Tomasch oscillations、Superconducting phase、Quantum computer、Gate-controlled、Josephson junction | 碩士 | 110 | 2023-08-22 | 2.06 年 |
| 110 | Room-temperature detection of anisotropic charge transport and zero-magnetic-field Hall signals in PdSe2 FETs 電子物理系所 二維二硒化鈀、零磁場霍爾訊號、電荷異向性傳輸、低對稱性二維晶格、場效電晶體、two-dimensional palladium diselenide、zero-magnetic-field Hall signals、anisotropic charge transport、low-symmetry 2D crystals、field-effect transistor | 碩士 | 109 | 2022-08-16 | 2.04 年 |
| 110 | Phase decoherence through aluminum nanoconstriction 電子物理系所 相位干擾、超導特性、鋁製金屬樣品、安德烈夫反射、無反射穿隧現象、phase coherence、superconductivity、aluminum nanofilm、Andreev reflection、reflectionless tunneling | 碩士 | 109 | 2022-08-14 | 2.03 年 |
| 110 | Nanostructured Current Network with Ferroelectricity Using Gate-All-Around Nanosheets 電子物理系所 環繞式閘極電晶體、量子傳輸、鐵電疇、奈米結構的穿隧網路、電荷繞行行為、gate-all-around MOSFET、quantum transport、ferroelectric domain、nanostructured tunneling network、charge percolation | 碩士 | 109 | 2022-08-14 | 2.03 年 |
| 109 | Tunable electric properties of two-dimensional electron gas using ferroelectricity 電子物理系所 鐵電場校電晶體、二氧化鋯鉿薄膜、二維電子氣、遲滯曲線、金屬絕緣體相變區間、Ferroelectric field-effect transistor、HfZrO2 thin film、Two-dimensional electron gas、Hysteresis、Metal-insulator phase transition | 碩士 | 108 | 2021-08-17 | 2.05 年 |
| 109 | Control of Quantum Tunneling in Gate-All-Around Poly-Si FETs 電子物理系所 量子穿隧、單電子電晶體、多重量子化狀態、全環繞式閘極、多晶矽場效電晶體、二維電子氣體、quantum tunneling、single-electron transistor、multiple quantized states、GAA poly-Si FETs、two-dimensional electron gas | 碩士 | 108 | 2021-08-17 | 2.05 年 |
| 109 | Engineering of dissipative and non-dissipative charge transport through aluminum nanostructures 電子物理系所 超導體、超導奈米線、相位滑移、相位滑移缺陷、Superconductor、superconducting nanowire、phase slip、phase-slip defects | 碩士 | 108 | 2021-08-11 | 2.03 年 |
| 109 | Electronic transport in a two-dimensional silicon transistor probed by charge trapping 物理研究所・共同指導:寺西慶哲 無序系統、二維矽電晶體、電荷捕捉、遲滯、鬆弛、Disordered system、Two-dimensional silicon transistor、Charge trapping、Hysteresis、Relaxation | 碩士 | 107 | 2021-02-17 | 2.55 年 |