羅舜聰

Lo, Shun-Tsung・理學院・電子物理學系、電子物理系所

碩士平均畢業時長
2.05 年
中位數 2.03 年・20 人
博士平均畢業時長
4.69 年
中位數 4.69 年・1 人
收錄論文
21 篇
109–114 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

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研究關鍵字

Two-dimensional electron gas二維電子氣記憶窗口memory windowhysteresisSi MOSFET量子霍爾效應Quantum Hall effect量子傳輸quantum transport量子運算矽基量子點庫侖振盪庫侖菱形silicon-based quantum dotsCoulomb oscillationCoulomb diamond鐵電場效電晶體二氧化鋯鉿薄膜遲滯曲線charge trapping矽金氧半場效電晶體安德烈夫反射superconductivityAndreev reflection矽基量子元件二維電子氣體Reflectionless tunneling量子點接觸形成氣體退火一維彈道傳輸quantum computingquantum point contactforming gas annealingone-dimensional ballistic transport低溫鐵電場效電晶體氧化鉿鋯超晶格cryogenic ferroelectric field-effect transistor (FeFET)hafnium zirconium oxide (HZO)superlattice介面缺陷ferroelectric field‑effect transistorHZO thin filmferroelectricity鐵電翻轉效應電荷捕捉效應Ferroelectric field effect transistorFerroelectric switching effectCharge trapping effect

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指導論文

學年度論文學制入學提交日期畢業時長
114
One- and Zero-Dimensional Silicon-Metal-Oxide-Semiconductor Quantum Devices
電子物理學系
量子運算、矽基量子點、量子點接觸、庫侖振盪、庫侖菱形、形成氣體退火、一維彈道傳輸、quantum computing、silicon-based quantum dots、quantum point contact、Coulomb oscillation、Coulomb diamond、forming gas annealing、one-dimensional ballistic transport
碩士1132026-07-211.97 年
114
Characteristics of Cryogenic Ferroelectric Field-Effect Transistor Based on HfO₂-ZrO₂ Superlattice
電子物理學系
低溫鐵電場效電晶體、氧化鉿鋯、超晶格、記憶窗口、cryogenic ferroelectric field-effect transistor (FeFET)、hafnium zirconium oxide (HZO)、superlattice、memory window
碩士1132026-07-211.97 年
114
Characterization of FeFETs Performance Enhancement with Undoped Silicon Substrates
電子物理學系
鐵電場效電晶體、記憶窗口、介面缺陷、二氧化鋯鉿薄膜、遲滯曲線、ferroelectric field‑effect transistor、memory window、charge trapping、HZO thin film、hysteresis、ferroelectricity
碩士1122025-08-132.03 年
114
Room and Cryogenic Silicon Ferroelectric Field-Effect Transistors
電子物理學系
鐵電場效電晶體、鐵電翻轉效應、電荷捕捉效應、記憶窗口、Ferroelectric field effect transistor、Ferroelectric switching effect、Charge trapping effect、Memory window
碩士1122025-08-132.03 年
114
Silicon MOSFET Quantum Dot Devices on Doped and Undoped Substrates
電子物理學系
量子運算、矽基量子點、矽基金氧半場效電晶體、庫侖振盪、庫侖菱形、quantum computation、silicon-based quantum dots、Si MOSFET、Coulomb oscillation、Coulomb diamond
碩士1122025-08-132.03 年
113
Carrier Transport Modulation in Two-Dimensional Material and HZO Poly-Si Channel Ferroelectric Field Effect Transistors for Logic and Memory Functions
電子物理學系・共同指導:林彥甫
二硫化錫、二碲化鉬、二硒化鈀、凡德瓦異質結構場效電晶體、鐵電電晶體、載子傳輸、MoTe2、SnS2、PdSe2、FeFET、van der Waals heterostructure FET
博士1092025-04-104.69 年
112
Characterization of All-Silicon Cryogenic MOSFETs
電子物理學系
矽量子點元件、奈米微縮通道、彈道傳輸、全矽場效電晶體、多晶矽閘極空乏效應、位能波動、邊界通道、silicon quantum dot device、nanoconstriction channel、ballistic transport、all-silicon field-effect transistor、polysilicon gate depletion effect、potential fluctuation、edge state
碩士1112024-07-302.00 年
112
Characterization of Two-Dimensional Electron Gas with and without Functionalized Substrate from Room to Cryogenic Temperature
電子物理學系
異質結構、二維電子氣、霍爾效應、Shubnikov-de Haas震盪、量子霍爾效應、Heterostructure、Two-dimensional electron gas、Hall effect、Shubnikov-de Haas oscillations、Quantum Hall effect
碩士1112024-07-291.99 年
112
Silicon Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor-Controlled Aluminum Superconductivity
電子物理學系
超導場效電晶體、量子相干態、矽金氧半場效電晶體、二維電子氣、超導、安德烈夫反射、Superconducting FET、quantum coherence state、Si MOSFET、2DEG、superconductivity、Andreev reflection
碩士1112024-07-291.99 年
112
Characterization of Silicon MOSFETs from Classical to Quantum Regimes
電子物理學系
矽基量子元件、二維電子氣、量子傳輸、量子霍爾效應、Silicon-based MOSFETs、two-dimensional electron gas、quantum transport、quantum hall effect
碩士1112024-07-291.99 年
112
Quantum Circuit Platform I: Design, Fabrication, and Devices on 6-Inch Silicon Wafers for Future Quantum Technology
電子物理學系
量子點、矽晶圓、金氧半場效電晶體、二維電子氣、遷移率、平均自由徑、quantum dots、silicon wafer、metal-oxide-semiconductor field effect transistor、two-dimensional electron gas、mobility、mean free path
碩士1102023-08-242.06 年
112
Current-Tuned Magnetoresistance in a Nanoscale TiN Film with Ferromagnetism
電子物理學系
氮化鈦、近藤效應、自旋極化、跳躍傳輸、鐵磁性、Titanium nitride、Kondo effect、Spin polarization、Hopping conduction、Ferromagnetism
碩士1102023-08-232.06 年
112
Quantum Circuit Platform Ⅰ: Cryogenic Detection of Quantum Oscillation in Undoped and Unpatterned Silicon Wafers
電子物理學系
矽基量子元件、量子傳輸、二維電子氣體、矽金氧半場效電晶體、量子霍爾效應、silicon-based quantum device、quantum transport、two-dimensional electron gas、Si MOSFET、quantum hall effect
碩士1102023-08-222.06 年
112
Microscopic Origins of Superconducting Phase-Related Resistance Oscillations in Aluminum Nanoscale FETs
電子物理學系
無反射穿隧、Tomasch 振盪、超導相位、量子電腦、閘極調變、約瑟夫森接面、Reflectionless tunneling、Tomasch oscillations、Superconducting phase、Quantum computer、Gate-controlled、Josephson junction
碩士1102023-08-222.06 年
110
Room-temperature detection of anisotropic charge transport and zero-magnetic-field Hall signals in PdSe2 FETs
電子物理系所
二維二硒化鈀、零磁場霍爾訊號、電荷異向性傳輸、低對稱性二維晶格、場效電晶體、two-dimensional palladium diselenide、zero-magnetic-field Hall signals、anisotropic charge transport、low-symmetry 2D crystals、field-effect transistor
碩士1092022-08-162.04 年
110
Phase decoherence through aluminum nanoconstriction
電子物理系所
相位干擾、超導特性、鋁製金屬樣品、安德烈夫反射、無反射穿隧現象、phase coherence、superconductivity、aluminum nanofilm、Andreev reflection、reflectionless tunneling
碩士1092022-08-142.03 年
110
Nanostructured Current Network with Ferroelectricity Using Gate-All-Around Nanosheets
電子物理系所
環繞式閘極電晶體、量子傳輸、鐵電疇、奈米結構的穿隧網路、電荷繞行行為、gate-all-around MOSFET、quantum transport、ferroelectric domain、nanostructured tunneling network、charge percolation
碩士1092022-08-142.03 年
109
Tunable electric properties of two-dimensional electron gas using ferroelectricity
電子物理系所
鐵電場校電晶體、二氧化鋯鉿薄膜、二維電子氣、遲滯曲線、金屬絕緣體相變區間、Ferroelectric field-effect transistor、HfZrO2 thin film、Two-dimensional electron gas、Hysteresis、Metal-insulator phase transition
碩士1082021-08-172.05 年
109
Control of Quantum Tunneling in Gate-All-Around Poly-Si FETs
電子物理系所
量子穿隧、單電子電晶體、多重量子化狀態、全環繞式閘極、多晶矽場效電晶體、二維電子氣體、quantum tunneling、single-electron transistor、multiple quantized states、GAA poly-Si FETs、two-dimensional electron gas
碩士1082021-08-172.05 年
109
Engineering of dissipative and non-dissipative charge transport through aluminum nanostructures
電子物理系所
超導體、超導奈米線、相位滑移、相位滑移缺陷、Superconductor、superconducting nanowire、phase slip、phase-slip defects
碩士1082021-08-112.03 年
109
Electronic transport in a two-dimensional silicon transistor probed by charge trapping
物理研究所・共同指導:寺西慶哲
無序系統、二維矽電晶體、電荷捕捉、遲滯、鬆弛、Disordered system、Two-dimensional silicon transistor、Charge trapping、Hysteresis、Relaxation
碩士1072021-02-172.55 年