林彥甫

Lin, Yen-Fu・工學院・材料科學與工程學系

博士平均畢業時長

4.48 年

中位數 4.69 年・3 人

收錄論文

3 篇

108–113 學年度

全校中位數（供對照）

博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二碲化鉬二維材料雙極性材料凡德瓦異質結構摻雜技術擴散電子束能量非揮發性記憶體可重構場效應電晶體two-dimensional materialsmolybdenum ditelluridebipolar materialsvan der Waals hetero-structuresdoping techniquesDiffusion Electron Beam Energynonvolatile memoryreconfigurable field-effect transistor二硫化錫二硒化鈀凡德瓦異質結構場效電晶體鐵電電晶體載子傳輸MoTe2SnS2PdSe2FeFETvan der Waals heterostructure FET低維度半導體電晶體傳輸特性低頻雜訊記憶體Low-dimensional semiconductorsTransistorsCarrier transport propertiesLow frequency noiseMemory

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	探索凡德瓦材料於下世代電子元件潛力：層狀MoTe2電晶體接點工程與極性控制 Unlocking the potential of van der Waals materials for next-generation electronics: Contact engineering and polarity control in MoTe2 transistors 材料科學與工程學系・共同指導：吳文偉二維材料、二碲化鉬、雙極性材料、凡德瓦異質結構、摻雜技術、擴散電子束能量、非揮發性記憶體、可重構場效應電晶體、two-dimensional materials、molybdenum ditelluride、bipolar materials、van der Waals hetero-structures、doping techniques、Diffusion Electron Beam Energy、nonvolatile memory、reconfigurable field-effect transistor	博士	109	2025-04-24	4.73 年
113	二維材料與氧化鉿鋯多晶矽通道鐵電場效電晶體中的載子傳輸調控及其邏輯與記憶體應用 Carrier Transport Modulation in Two-Dimensional Material and HZO Poly-Si Channel Ferroelectric Field Effect Transistors for Logic and Memory Functions 電子物理學系・共同指導：羅舜聰二硫化錫、二碲化鉬、二硒化鈀、凡德瓦異質結構場效電晶體、鐵電電晶體、載子傳輸、MoTe2、SnS2、PdSe2、FeFET、van der Waals heterostructure FET	博士	109	2025-04-10	4.69 年
108	探索低維度電子元件中的載子數目與遷移率擾動 Explore Carrier Number and Hooge Mobility Fluctuations in Low-Dimensional Electronics 電子物理系所・共同指導：簡紋濱低維度半導體、電晶體、傳輸特性、低頻雜訊、記憶體、Low-dimensional semiconductors、Transistors、Carrier transport properties、Low frequency noise、Memory	博士	104	2019-08-06	4.01 年