詹益仁
Chan, Yi-Jen・電機學院・電子研究所
博士平均畢業時長
6.33 年
中位數 6.33 年・1 人
收錄論文
1 篇
105–105 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
非晶態氧化銦鎵鋅高壓電晶體捲對捲製程amorphousInGaZnOhigh-voltage transistorroll-to-roll
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 105 | High-voltage Transistor and Roll-to-roll Fabrication by Using Low Temperature a-InGaZnO Technology 電子研究所・共同指導：侯拓宏 非晶態、氧化銦鎵鋅、高壓電晶體、捲對捲製程、amorphous、InGaZnO、high-voltage transistor、roll-to-roll | 博士 | 99 | 2016-11-28 | 6.33 年 |