陳逸聰

Chen, Yit-Tsong・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

2.02 年

中位數 2.02 年・2 人

收錄論文

3 篇

113–114 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

二硫化錫 (SnS₂) 奈米薄片二維材料場效電晶體生物感測器德拜屏蔽效應Tin disulfide (SnS₂) nanosheets2D FETBiosensorDebye screening effect低介電常數材料非晶硼碳氮微波放電電漿化學氣相沉積系統超薄薄膜超大型積體電路互連結構low-k materialsa-BCNmicrowave discharge plasma-enhanced CVDultrathin filmsULSI interconnects過渡金屬二硫族化合物二維材料一維光子晶體共振腔高品質因子光致發光TMDs2D materialsone-dimensional photonic crystal nanobeam cavitieshigh-quality-factorphotoluminescence

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
114	以二硫化錫奈米薄片開發生物感測器，以檢測發炎相關細胞激素干擾素-γ Development of a SnS₂ Nanosheets-Based Biosensor for Highly Sensitive Detection of IFN-γ 智慧醫電工程研究所・共同指導：李博仁二硫化錫 (SnS₂) 奈米薄片、二維材料場效電晶體、生物感測器、德拜屏蔽效應、Tin disulfide (SnS₂) nanosheets、2D FET、Biosensor、Debye screening effect	碩士	113	2026-07-21	1.97 年
114	先進微電子應用：高密度非晶態硼碳氮之超低介電常數薄膜製備與研究 High Density Amorphous Boron Carbon Nitride Ultrathin Films with Ultralow Dielectric Constants for Advanced Microelectronics 電子物理學系・共同指導：蘇俊榮低介電常數材料、非晶硼碳氮、微波放電電漿化學氣相沉積系統、超薄薄膜、超大型積體電路互連結構、low-k materials、a-BCN、microwave discharge plasma-enhanced CVD、ultrathin films、ULSI interconnects	碩士	113	—	無法計算
113	二碲化鉬奈米薄片結合一維光子晶體共振腔之光激發奈米雷射製備與研究 Preparation of an Optically Pumped Nanolaser Based on Photonic Crystal Cavities Integrated with MoTe2 Nanosheets 電子物理學系・共同指導：蘇俊榮過渡金屬二硫族化合物、二維材料、一維光子晶體共振腔、高品質因子、光致發光、TMDs、2D materials、one-dimensional photonic crystal nanobeam cavities、high-quality-factor、photoluminescence	碩士	112	2025-08-22	2.06 年