蘇俊榮

Su, Chun-Jung・理學院・電子物理學系

碩士平均畢業時長

2.68 年

中位數 2.57 年・9 人

收錄論文

10 篇

111–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

Hafnium Zirconium Oxide (HZO)鐵電電容氧化鉿鋯可靠度ferroelectric capacitor (FeCap)reliability介面層二維材料TMDs2D materialsMoS2鐵電場效電晶體(FeFET)鉿鋯氧化物(HZO)非對稱雙閘極記憶窗口放大極低溫電漿處理Ferroelectric FET (FeFET)Asymmetric Double-GateMemory Window AmplificationCryogenicPlasma Treatment垂直堆疊互補式電晶體鐵電雙功函數閘極氧化銦雙閘極通道控制Vertically stackedcomplementary field effect transistor (CFET)ferroelectricdual work function gate (DWFG)indium oxidedouble gate (DG)Pbcn 相鐵電—反鐵電相共存鐵電—反鐵電雙層工程氧空缺拘束作用Pbcn phaseFE–AFE phase coexistenceFE–AFE bilayer engineeringoxygen vacancy (VO) confinement氧化鉿鋯薄膜鍺鐵電電容器鍺環繞閘極奈米片氨電漿處理氧空缺HZO thin filmGe MFIS capacitorsGe GAA Nanosheet

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	基於鉿鋯氧化物(Hf0.5Zr0.5O2) 之非對稱雙閘極奈米片鐵電場效電晶體的記憶窗口放大與極低溫特性研究 Investigation of Memory Window Amplification and Cryogenic Performance in Hf0.5Zr0.5O2-Based Asymmetric Double-Gate Nanosheet Ferroelectric FETs 電子物理學系鐵電場效電晶體(FeFET)、鉿鋯氧化物(HZO)、非對稱雙閘極、記憶窗口放大、極低溫、電漿處理、Ferroelectric FET (FeFET)、Hafnium Zirconium Oxide (HZO)、Asymmetric Double-Gate、Memory Window Amplification、Cryogenic、Plasma Treatment	碩士	111	2026-02-23	3.56 年
114	垂直堆疊互補式鐵電電晶體之研究與應用 Investigation and Applications of Vertically Stacked Complementary Ferroelectric FETs 電子物理學系垂直堆疊、互補式電晶體、鐵電、雙功函數閘極、氧化銦、雙閘極通道控制、Vertically stacked、complementary field effect transistor (CFET)、ferroelectric、dual work function gate (DWFG)、indium oxide、double gate (DG)	碩士	112	2026-07-28	2.99 年
114	氧化鉿鋯鐵電—反鐵電雙層結構綜合研究：相穩定與氧空缺拘束作用對鐵電性及可靠度之優化 Comprehensive Study to HfxZr(1-x)O₂ FE–AFE Bilayers: Ferroelectricity and Reliability Optimisation through Phase Stabilisation and Oxygen Vacancy Confinement 電子物理學系鐵電電容、氧化鉿鋯、Pbcn 相、鐵電—反鐵電相共存、鐵電—反鐵電雙層工程、氧空缺拘束作用、可靠度、ferroelectric capacitor (FeCap)、hafnium zirconium oxide (HZO)、Pbcn phase、FE–AFE phase coexistence、FE–AFE bilayer engineering、oxygen vacancy (VO) confinement、reliability	碩士	112	2026-07-28	2.99 年
114	介面優化之鍺鐵電元件研究：從鐵電電容至堆疊式鐵電電晶體 Investigation of Interface Engineering for Ge MFIS and Stacked Ferroelectric FET 前瞻半導體研究所・共同指導：蘇彬氧化鉿鋯薄膜、鍺鐵電電容器、鍺環繞閘極奈米片、氨電漿處理、介面層、氧空缺、可靠度、HZO thin film、Ge MFIS capacitors、Ge GAA Nanosheet、NH3 plasma treatment、Interfacial layer、Oxygen vacancy、Reliability	碩士	112	2026-04-29	2.74 年
114	先進微電子應用：高密度非晶態硼碳氮之超低介電常數薄膜製備與研究 High Density Amorphous Boron Carbon Nitride Ultrathin Films with Ultralow Dielectric Constants for Advanced Microelectronics 電子物理學系・共同指導：陳逸聰低介電常數材料、非晶硼碳氮、微波放電電漿化學氣相沉積系統、超薄薄膜、超大型積體電路互連結構、low-k materials、a-BCN、microwave discharge plasma-enhanced CVD、ultrathin films、ULSI interconnects	碩士	113	—	無法計算
113	二碲化鉬奈米薄片結合一維光子晶體共振腔之光激發奈米雷射製備與研究 Preparation of an Optically Pumped Nanolaser Based on Photonic Crystal Cavities Integrated with MoTe2 Nanosheets 電子物理學系・共同指導：陳逸聰過渡金屬二硫族化合物、二維材料、一維光子晶體共振腔、高品質因子、光致發光、TMDs、2D materials、one-dimensional photonic crystal nanobeam cavities、high-quality-factor、photoluminescence	碩士	112	2025-08-22	2.06 年
113	超薄通道材料於CFET結構之整合 Integration of Ultra-Thin Channel Materials on CFET Device 電子物理學系 MoS2、MOCVD、InOx、CFET、雙功函數閘極CFET、Dual Work Function Gate CFET	碩士	111	2025-02-25	2.57 年
113	透過遠程氧電漿處理技術對二硫化鉬上閘極鐵電場效電晶體之優化工程 Engineering of MoS2 Top-Gate FeFET via Remote Oxygen Plasma Treatment 電子物理學系過渡金屬二硫族化物、鐵電電晶體、二維材料、非揮發性記憶體、原子層沉積技術、TMDs、FeFET、2D materials、NVM、ALD	碩士	111	2025-02-10	2.53 年
113	多元結構中氧化銦通道場效電晶體的鐵電特性優化之方法 Tailoring Ferroelectric Properties in Ultrathin InOx Channel FeFETs with Diverse Device Architectures 電子物理學系介面層、氧化鉿鋯、氧化物半導體、鐵電電容、垂直通道鐵電電晶體、interfacial layer (IL)、HZO、oxide semiconductor (OS)、ferroelectric capacitor (FeCap)、vertical ferroelectric field effect transistor (VFeFET)	碩士	111	2025-02-03	2.51 年
111	利用薄膜輪廓工法製作二硫化鉬電晶體之源/汲極銻接觸效應研究 Effects of Source/Drain Sb Contact on Performance of MoS2 Transistors Fabricated Using Film-Profile Engineering 電子研究所・共同指導：林鴻志二硫化鉬、銻、半金屬、電晶體、接觸電阻、MoS2、Sb (Antimony)、Semimetal、transistor、contact resistance	碩士	109	2022-10-13	2.20 年