碩士平均畢業時長
2.64 年
中位數 2.44 年・42 人
博士平均畢業時長
6.05 年
中位數 5.77 年・10 人
收錄論文
52 篇
100–114 學年度
全校中位數（供對照）
碩士 2.10・博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
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研究關鍵字
FinFET非揮發性記憶體負電容場效電晶體Logic Circuits靜態隨機存取記憶體鐵電場效電晶體VariabilityNegative-Capacitance FETUltra-Thin-Body邏輯電路Ferroelectric FET鐵電電晶體鰭式場效電晶體量子電容Quantum confinementQuantum capacitanceSRAMferroelectricFerroelectric field-effect transistor (FeFET)記憶體內運算Memory WindowDepolarization Field三五族變異度量子侷限寄生效應Parasitic Effects記憶窗memory window (MW)記憶窗口去極化場Non-Volatile memory (NVM)互補式場效電晶體氧化鋯鉿成核限制翻轉模型記憶體窗口反鐵電鐵電變異性量子侷限效應III-V materialsnonvolatile memory負電容電晶體本質變異度Intrinsic Variation二維過渡金屬硫屬化合物材料短通道效應邏輯電路超薄絕緣層2D Transition-Metal-Dichalcogenide
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | Performance Evaluation and Analysis of Ferroelectric Capacitive Memory and Morphotropic Phase Boundary-Based Ferroelectric Memory 前瞻半導體研究所 鐵電材料、鐵電電容性記憶體、記憶體內邏輯運算、形變相邊界、蒙地卡羅方法、ferroelectric、Ferroelectric Capacitive Memory、Logic-in-Memory、morphotropic phase boundary、Monte Carlo method | 碩士 | 112 | 2026-07-31 | 3.00 年 |
| 114 | Investigation of Interface Engineering for Ge MFIS and Stacked Ferroelectric FET 前瞻半導體研究所・共同指導：蘇俊榮 氧化鉿鋯薄膜、鍺鐵電電容器、鍺環繞閘極奈米片、氨電漿處理、介面層、氧空缺、可靠度、HZO thin film、Ge MFIS capacitors、Ge GAA Nanosheet、NH3 plasma treatment、Interfacial layer、Oxygen vacancy、Reliability | 碩士 | 112 | 2026-04-29 | 2.74 年 |
| 114 | Phase-Field Simulation of Polarization Switching in Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxide Capacitors 電子研究所 氧化鉿基鐵電、TDGL-帕松耦合、晶粒變異性、成核與傳播、最小切換電壓、HfO$_2$-based Ferroelectric、TDGL-Poisson Coupling、Grain-to-grain Variability、Nucleation and Propagation、Minimum Switching Voltage | 碩士 | 112 | 2026-03-24 | 2.64 年 |
| 114 | Evaluation of Vertical-Transport Nanosheet FETs Considering Heat Dissipation and Parasitic Effects of Various Metal Contact Configurations 電子研究所 垂直傳輸場效電晶體、散熱、自熱效應、背面接觸、寄生效應、寄生電容、Vertical-Transport Nanosheet Field Effect Transistor (VTFET)、Heat Dissipation、Self-Heating Effect (SHE)、Backside Contact (BSC)、Parasitic Effects、Parasitic Capacitance | 碩士 | 112 | 2026-01-20 | 2.47 年 |
| 114 | Simulation and Analysis of Cylindrical Three-Dimensional Ferroelectric Field-Effect Transistors and Ferroelectric Capacitive Memory 電子研究所 鐵電場效電晶體、圓柱狀三維結構、記憶窗、電容分壓效應、鐵電電容式記憶體、高/低電容狀態比、Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)、cylindrical three-dimensional structures、memory window (MW)、capacitive voltage division effect、ferroelectric capacitive memory (FCM)、high/low capacitance state ratio (C_HCS/C_LCS) | 碩士 | 110 | 2026-01-20 | 4.47 年 |
| 114 | Double-Gate Nanosheet Ferroelectric Field-Effect Transistors: Fabrication, Characterization and Applications 電子研究所 鐵電場效電晶體、獨立雙閘極、記憶窗口、變異度分析、讀取干擾、非揮發性記憶體、記憶體內運算、Ferroelectric FET、Independent Double-Gate、Memory Window、Variability、Read Disturbance、Non-Voltatile Memory、Compute-in-Memory | 碩士 | 111 | 2026-01-07 | 3.44 年 |
| 113 | Design Space Exploration and Analysis of Dual-Port and Ge Ferroelectric Field Effect Transistors for Low Voltage Applications 電子研究所 鐵電場效電晶體、記憶窗口、非揮發性記憶體、低電壓操作、去極化場、Ferroelectric Field Effect Transistor (FeFET)、Memory Window (MW)、Non-Volatile memory (NVM)、Low-Voltage Operation、Depolarization Field | 碩士 | 111 | 2025-06-12 | 2.86 年 |
| 113 | Complementary FET: Performance Evaluation considering Parasitic Effects across Temperatures and Modeling of Parasitic Gate Resistance Effect 電子研究所 互補式場效電晶體、低溫CMOS、寄生效應、寄生閘極電阻、Complementary FET (CFET)、Cold CMOS、Cryo CMOS、parasitic effects、parasitic gate resistance | 碩士 | 111 | 2024-12-05 | 2.35 年 |
| 113 | Evaluation of Antiferroelectric/Ferroelectric Random Access Memory Considering Cold Temperature Operation 電子研究所 氧化鋯鉿、鐵電隨機存取記憶體、反鐵電隨機存取記憶體、SPICE 模擬、限制成核翻轉、Hafnium zirconium oxide (HZO)、ferroelectric random access memory (FeRAM)、antiferroelectric random access memory (AFeRAM)、SPICE simulation、nucleation-limited switching (NLS) | 碩士 | 110 | 2024-09-30 | 3.16 年 |
| 112 | Study of AlGaN/GaN HEMTs for 5G Transceiver System 電子研究所・共同指導：張翼 氮化鎵、高電子遷移率電晶體、第五代行動通訊、收發器系統、功率放大器、低雜訊放大器、GaN、HEMT、5G、Transceiver System、PA、LNA | 博士 | 109 | 2024-03-26 | 3.65 年 |
| 112 | Modeling and Simulation for Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxides considering Domain Propagation Effect 電子研究所 成核限制翻轉模型、鐵電疇壁、奈米級鐵電層、累積效應、NLS model、domain propagation、nanoscale ferroelectric、accumulation effect | 碩士 | 110 | 2023-12-27 | 2.40 年 |
| 112 | Utilization of Complementary Ferroelectric FET for Reconfigurable Logic in Memory and FPGA Applications 電子研究所 鐵電電晶體、非揮發性記憶體、非揮發性邏輯、記憶體內運算、互補式場效電晶體、現場可程式化邏輯閘陣列、Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)、non-volatile memory (NVM)、non-volatile logic、computation-in-memory、CFET、FPGA | 碩士 | 109 | 2023-08-29 | 3.07 年 |
| 112 | Evaluation and Optimization of Stacked-Nanosheet Ferroelectric FETs for Memory and Synapse Applications 電子研究所 堆疊奈米片鐵電電晶體、非揮發性記憶體、類比突觸、隨機鐵電-介電相位分佈、鐵電隨機翻轉、Stacked-Nanosheet Ferroelectric FET、Non-Volatile Memory、analog synapse、random ferroelectric-dielectric phase distribution、ferroelectric stochastic switching | 碩士 | 109 | 2023-08-28 | 3.07 年 |
| 111 | Simulation and Investigation of Gate Stack Variations for Ferroelectric-FET Nonvolatile Memories 電子研究所 鐵電場效電晶體、記憶體窗口、閘極層隨機變異、非揮發性記憶體、ferroelectric-FET、memory window、gate stack variation、NVM | 碩士 | 108 | 2023-07-25 | 3.98 年 |
| 111 | Simulation and Optimization of 2D Ferroelectric FET Synaptic Devices using Nucleation-Limited Switching Model 電子研究所 二維鐵電電晶體、類神經突觸元件、蒙地卡羅成核限制翻轉模型、2D FeFET、Synaptic Devices、Nucleation-Limited Switching Model | 碩士 | 108 | 2022-11-01 | 3.25 年 |
| 111 | Modeling and Characterization of Switching Dynamics for Antiferroelectric/Ferroelectric Hafnium Zirconium Oxides 電子研究所 氧化鋯鉿、反鐵電、鐵電、極化、記憶體、Hafnium Zirconium Oxides、Antiferroelectric、Ferroelectric、Polarization、Memory | 碩士 | 109 | 2022-10-03 | 2.17 年 |
| 110 | Simulation and Design of Ferroelectric FETs Considering Variability and Retention 電子研究所 鐵電電晶體、成核限制翻轉模型、變異性、記憶保持力、去極化場、Ferroelectric FET、nucleation limited switching model、variability、retention、depolarization field | 碩士 | 108 | 2022-06-19 | 2.88 年 |
| 110 | Variability Analysis and Evaluation of Scaled Ferroelectric-FET Nonvolatile Memories 電子研究所 鐵電場效電晶體、記憶體窗口、隨機變異、非揮發性記憶體、二維材料、Ferroelectric field-effect transistor (FeFET)、memory window(MW)、random variation、nonvolatile memory(NVM)、2D material | 博士 | 103 | 2022-01-24 | 7.48 年 |
| 109 | Modeling and Investigation for III-V and Si Negative Capacitance FETs 電子研究所 負電容場效電晶體、鰭式場效電晶體、三五族材料、量子侷限效應、汲極誘導勢壘降低、源極至汲極直接穿隧、量子電容、反鐵電、超薄體電晶體、背閘極、Negative-Capacitance FET、FinFET、III-V materials、Quantum confinement、Drain-induced-barrier-lowering、Source-to-Drain Tunneling、Quantum capacitance、Anti-Ferroelectric、Ultra-Thin-Body、Back-gate Bias、CMOS | 博士 | 102 | 2021-07-27 | 7.99 年 |
| 109 | Ferroelectric Field Effect Transistor Non-volatile Memory: Cell Evaluation Considering Write Disturb and A New Approach For Logic-In-Memory 電子研究所 鐵電場效電晶體、非揮發性記憶體、重構式記憶體內運算、非揮發性記憶體單元設計、Ferroelectric FETs、nonvolatile memory、NVM cell designs、reconfigurable in-memory computing | 碩士 | 107 | 2021-06-22 | 2.89 年 |
| 109 | Variability Analysis of Negative-Capacitance FETs Considering Ferroelectric Polymorphic Phase Distribution and Optimization of Ferroelectric FET Analog Memory 電子研究所 負電容電晶體、鐵電電晶體、類比記憶體、相分布變異、Negative-Capacitance FET、Ferroelectric FET、Analog Memory、Polymorphic Phase Distribution | 碩士 | 107 | 2021-01-22 | 2.48 年 |
| 109 | Evaluation and Analysis of 2D Negative Capacitance FETs for Logic Circuits and Nonvolatile SRAM Applications 電子研究所 負電容場效電晶體、邏輯電路、非揮發性靜態隨機存取記憶體、Negative-Capacitance FET、Logic Circuits、Nonvolatile SRAM | 碩士 | 107 | 2020-09-24 | 2.15 年 |
| 108 | Analysis and Design of Ultra-Thin-Body Ferroelectric Field Effect Transistor Non-volatile Memory Considering the Variability of Ferroelectric 電子研究所 鐵電非揮發性記憶體、超薄基體鐵電場效電晶體、本質變異度、Ferroelectric nonvolatile memory、FeFET、Intrinsic Variation | 碩士 | 106 | 2020-06-16 | 2.87 年 |
| 108 | Evaluation of Logic Performance and Analysis of Short-Channel Effects for 2D Negative Capacitance FETs Considering the Impact of Spacers 電子研究所 二維過渡金屬硫屬化合物材料、負電容場效電晶體、短通道效應、邏輯電路、側壁間隔物、超薄絕緣層、2D Transition-Metal-Dichalcogenide、Negative-Capacitance FET、Short-Channel Effects、Logic Circuits、Spacer、Ultra-Thin-Body | 碩士 | 106 | 2020-05-12 | 2.78 年 |
| 108 | Analysis and Design of Negative-Capacitance FETs for Low-Voltage SRAM Applications 電子研究所 負電容電晶體、靜態隨機存取記憶體、二維電晶體、負電容效應、Negative-Capacitance FETs、SRAM、2D-FET、NC Effect | 碩士 | 106 | 2019-11-24 | 2.31 年 |
| 108 | Modeling and Investigation of Negative Capacitance FETs and Ferroelectric FETs for Logic and Memory Applications 電子研究所 負電容場效電晶體、鐵電電晶體、二維過渡金屬硫屬化合物、鰭式場效電晶體、邏輯電路、非揮發性記憶體、靜態隨機存取記憶體、記憶體內運算、去極化電場、記憶窗、Negative-Capacitance FET、Ferroelectric FET、2D Transition-Metal-Dichalcogenide、FinFET、Logic Circuits、Nonvolatile Memory、SRAM、In-Memory Computation、Depolarization Field、Memory Window | 博士 | 103 | 2019-10-22 | 5.22 年 |
| 107 | Simulation and Analysis of III-V and Si Negative-Capacitance FETs Considering Quantum Capacitance 電子研究所 負電容場效電晶體、三五族、量子電容、閘極全包覆式結構、雙閘極結構、negative-capacitance FET (NCFET)、III-V material、Quantum capacitance、Gate-All-Around、Double-Gate | 碩士 | 104 | 2018-12-18 | 3.38 年 |
| 107 | Analysis and Design of 2D Negative Capacitance FETs 電子研究所 負電容場效電晶體、鐵電、剩餘極化量、接觸阻抗、金屬-鐵電-金屬-絕緣-半導體、金屬-鐵電-絕緣-半導體、Negative-Capacitance FETs、Ferroelectric、Remnant Polarization、Contact Resistance、MFMIS、MFIS、Multi-Domain Interaction | 碩士 | 105 | 2018-10-27 | 2.24 年 |
| 106 | Characterization of FinFETs and Investigation of the Optimum Stacking Number of Stacked Nanowire FETs for Logic Applications 電子研究所 環狀閘極電晶體、鰭狀式電晶體、FinFET、Gate-all-around FET、Nanowire FET | 碩士 | 104 | 2017-12-01 | 2.34 年 |
| 106 | Investigation and Analysis of Non-planar 2-D Transition-Metal-Dichalcogenide (TMD) FETs, Stacked Planar Hybrid Si/TMD Dual-Channel FETs, and Stacked Nanowire FETs for SRAM Applications 電子研究所 二維過渡金屬硫屬化合物、堆疊式奈米線元件、靜態隨機存取記憶體、2-D Transition-Metal-Dichalcogenide、Stacked Nanowire FETs、Stacked Planar Hybrid Si/TMD Dual-Channel FETs | 碩士 | 104 | 2017-09-27 | 2.16 年 |
| 105 | Investigation of Design Space for Ge UTB Negative Capacitance FETs and Fin-LER Induced Variability for Negative Capacitance FinFETs 電子研究所 負電容場效電晶體、本質變異度、鍺通道負電容場效電晶體、NCFET、Intrinsic Variation、Fin-LER | 碩士 | 104 | 2017-07-20 | 1.97 年 |
| 105 | Exploration and Evaluation of TCAM with Hybrid Tunneling FET and FinFET Devices for Ultra-Low-Voltage Applications 電子研究所・共同指導：莊景德 穿隧式場效電晶體、鰭式場效電晶體、三態內容可定址記憶體電路、TCAM、Tunneling FET、FinFET | 碩士 | 103 | 2016-11-30 | 2.33 年 |
| 105 | Modeling and Comparison for the Quantum Capacitance Effects on the Gate Inversion Capacitance of Ultra-Thin-Body, Double-Gate and Gate-All-Around III-V n-MOSFETs 電子研究所 35族、量子電容、III-V materials、quantum capacitance | 碩士 | 103 | 2016-11-22 | 2.31 年 |
| 105 | Quantum Subthreshold Modeling for Ultra-Thin-Body III-V-on-Insulator MOSFETs and Negative Capacitance FETs 電子研究所 量子次臨界模型、超薄絕緣金氧半場效電晶體、超薄絕緣負電容場效電晶體、quantum subthreshold modeling、ultra-thin-body (UTB) MOSFET、ultra-thin-body (UTB) Negative Capacitance FET (NCFET) | 碩士 | 103 | 2016-11-17 | 2.30 年 |
| 105 | Investigation and Analysis of Ultra-Thin-Body Hetero-Channel III-V/Ge MOSFETs and Mono-/Few-Layer 2-D Transition-Metal-Dichalcogenide Based Logic Circuits and SRAM Cells 電子研究所 超薄絕緣層、三五族、鍺、靜電完整性、變異度、後端閘極偏壓、量子侷限、二維過渡金屬硫屬化合物材料、邏輯電路、靜態隨機存取記憶體、單石三維整合、Ultra-Thin-Body、III-V、Ge、Electrostatic Integrity、Variability、Backgate Bias、Quantum Confinement、2-D Transition-Metal-Dichalcogenide Materials、Logic Circuits、SRAM、Monolithic 3-D Integration | 博士 | 100 | 2016-11-06 | 5.27 年 |
| 105 | Simulation and Investigation on Ultra-Thin-Body Negative Capacitance FETs 電子研究所 負電容場效電晶體、NCFET | 碩士 | 103 | 2016-09-19 | 2.14 年 |
| 105 | Theoretical Investigation of Optimized Nanowire Diameter and Short Channel Effects for Gate-All-Around III-V Tunnel FETs 電子研究所 穿隧式電晶體、三五族、短通道效應、III-V Tunnel FETs、Short Channel Effects | 碩士 | 102 | 2016-09-07 | 3.10 年 |
| 104 | Theoretical Investigation of Electrostatic Integrity for Tri-Gate MOSFETs with High Mobility Channel Materials 電子工程學系 電子研究所 高遷移率通道、三閘極電晶體、模型、high mobility channel、tri-gate MOSFET、modeling | 博士 | 98 | 2016-07-19 | 6.97 年 |
| 104 | Impact of Spacer Design on Electrostatic Integrity and Performance of Multi-Gate InGaAs-OI FinFETs 電子工程學系 電子研究所 砷化銦鎵、靜電完整性、效能、鰭狀式場效電晶體、Spacer、InGaAs、electrostatic integrity、performance、FinFET | 碩士 | 102 | 2015-11-22 | 2.31 年 |
| 103 | Analysis of Monolithic 3D Logic Circuits and 6T SRAM using Ultra-Thin-Body InGaAs/Ge MOSFETs considering Interlayer Coupling 電子工程學系 電子研究所 單晶三維、銦鎵砷/鍺、邏輯電路、靜態隨機存取記憶體、層間電耦合、Monolithic 3D、InGaAs/Ge、Logic Circuits、6T SRAM、Interlayer Coupling | 碩士 | 102 | 2015-07-12 | 1.94 年 |
| 103 | Impact of Quantum Capacitance on Intrinsic Inversion Capacitance for Multi-gate III-V n-MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 量子電容、三五族通道材料、多閘極場效電晶體、反轉層電容、能態密度、量子侷限、Quantum capacitance、III-V channel material、multi-gate MOSFET、inversion capacitance、density of state、quantum confinement | 碩士 | 101 | 2015-04-23 | 2.72 年 |
| 103 | Simulation of Thin-Film Solar Cells for Optimization of Light Trapping 電子工程學系 電子研究所・共同指導：林詩淳 太陽能、光捕捉、最佳化、FDTD、RCWA、基因演算法、solar cell、light trapping、optimization、RCA、GA | 碩士 | 100 | 2014-11-25 | 3.32 年 |
| 103 | Design and Analysis of Nanoscale FinFET, Tunnel FET and Hetero-Channel 3D Integrated Ultra-Thin-Body Devices for Ultra-Low-Power SRAM and Logic Circuits 電子工程學系 電子研究所 鰭狀場效電晶體、邏輯電路、單石三維整合、靜態隨機存取記憶體、穿隧場效電晶體、變異度、FinFET、Logic Circuits、Monolithic 3D Integration、SRAM、TFET、Variability | 博士 | 97 | 2014-10-28 | 6.24 年 |
| 103 | Simulation and Investigation of Random Variations for III-V Broken-Gap Heterojunction Tunnel FET 電子工程學系 電子研究所 異質接面穿隧式場效電晶體、隨機變易特性、heterojunction TFET、random variability | 碩士 | 101 | 2014-10-12 | 2.20 年 |
| 102 | Investigation and Comparison of Important Analog Figures of Merit for Tunnel FET and FinFET Considering Random Variations 電子工程學系 電子研究所 穿隧式場效電晶體、鰭式場效電晶體、隨機變異特性、類比特性指標、功函數變異、線邊緣粗糙程度、Tunnel FET、FinFET、Random Variations、Analog Figures of Merit、work function variation、line edge roughness | 碩士 | 100 | 2013-10-17 | 2.21 年 |
| 102 | Simulation and Investigation of Random Grain-Boundary-Induced Variabilities for Stackable NAND Flash Application Using 3D-Voronoi Grain Patterns 電子工程學系 電子研究所 三維NAND快閃記憶體、晶格邊界、變異性、3D NAND flash、grain boundary、variability | 碩士 | 100 | 2013-10-16 | 2.21 年 |
| 101 | Investigation and Comparison of Work Function Variation for FinFET and UTB SOI Devices using Voronoi Approach 電子工程學系 電子研究所 沃爾洛伊圖、鰭狀電晶體、超薄絕緣矽電晶體、功函數變異、Voronoi、FinFET、UTB SOI、Work Function Variation | 碩士 | 99 | 2012-10-30 | 2.25 年 |
| 101 | Investigation and Modeling of Threshold-Voltage Modulation through Substrate Bias for Tri-gate MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 三閘極金氧半場效電晶體、基極偏壓調變臨界電壓、Tri-gate MOSFETs、Threshold-Voltage Modulation through Substrate Bias | 碩士 | 99 | 2012-09-03 | 2.09 年 |
| 100 | Investigation and Analysis of Drain Current Mismatch and Low Frequency Noise for Nanoscale MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 金氧半場效電晶體、單軸應變、汲極電流匹配、低頻雜訊、MOSFET、uniaxial strain、drain current mismatch、low frequency noise | 博士 | 95 | 2011-11-14 | 5.29 年 |
| 100 | Analytical Modeling of Advanced CMOS Device Structures－Quantum Confinement and Sensitivity to Process Variations 電子工程學系 電子研究所 臨界電壓變異、量子侷限效應、超薄層通道元件、多重閘極元件、環閘極元件、高遷移率元件、切換時間、threshold voltage variation、quantum-confinement、Ultra-Thin-Body、Multi-Gate、Gate-All-Around、high mobility channel、switching time | 博士 | 95 | 2011-11-14 | 5.29 年 |
| 100 | Investigation and Analysis of Ultra-Thin-Body Si and Ge-channel Devices, Logic Circuits and SRAM Cells 電子工程學系 電子研究所 超薄層矽通道元件、超薄層鍺通道元件、鰭狀電晶體、變異度、邏輯電路、靜態隨機存取記憶體、Ultra-Thin-Body、Silicon-On-Insulator (SOI)、Germanium-On-Insulator (GeOI)、FinFET、Variability、Logic Circuits、SRAM Cells | 博士 | 93 | 2011-09-13 | 7.12 年 |
| 100 | Theoretical Study of Quantum Confinement Effects on Subthreshold and Backgate-Bias Modulated Threshold-Voltage Characteristics for Ultra-Thin-Body GeOI and InGaAs-OI MOSFETs 電子工程學系 電子研究所 超薄層、絕緣鍺、絕緣砷化銦鎵、量子侷限、次臨界擺幅、後端閘極偏壓、UTB、GeOI、InGaAs-OI、quantum confinement、subthreshold swing、backgate bias | 碩士 | 98 | 2011-08-31 | 2.08 年 |