高泉豪
工學院・材料科學與工程學系所
博士平均畢業時長
6.06 年
中位數 6.06 年・1 人
收錄論文
1 篇
106–106 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
氮化鎵鈦摻雜二氧化錫化氧化錫基板感測薄膜GaN LED'sPatterned Sapphire SubstrateBio-SensingTi-doped SnO2
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 106 | GaN Based LED’s Grown on Patterned Sapphire Substrate and The Comparison of SnO2 and Ti-doped SnO2 Sensing Membrane Applied for EIS Based Bio-Sensing Applications 材料科學與工程學系所・共同指導：吳耀銓 氮化鎵、鈦摻雜二氧化錫、化氧化錫基板、感測薄膜、GaN LED's、Patterned Sapphire Substrate、Bio-Sensing、Ti-doped SnO2 | 博士 | 100 | 2017-08-22 | 6.06 年 |