黃彥霖

Huang, Yen-Lin・工學院・材料科學與工程學系、材料科學與工程學系所

碩士平均畢業時長

2.14 年

中位數 2.02 年・12 人

收錄論文

12 篇

111–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

鈣鈦礦結構鐵電體螢石結構鐵電體自支撐Fluorite-structured ferroelectricsFreestandingCoercive field氧化鉿鋯Hf0.5Zr0.5O2自支撐薄膜反鐵磁鋇鐵氧體磁異向性微型電感Barium ferriteMiniature inductorMagnetic anisotropy過渡金屬二硫屬化物TMDs生長底閘極場效電晶體transition metal dichalcogenidessynthesis of TMDsback-gate field-effect transistors極紫外光微影光罩護膜加速氫電漿劣化穿透率熱穩定性EUV lithographypellicleaccelerated hydrogen plasma torturetransmittancethermal stability晶界鐵電極化翻轉鈦酸鋇漏電流側向同質結構grain boundariesferroelectric switchingBaTiO3leakage currentlateral homo-structure矯頑電場Perovskite-structured ferroelectrics矯頑場Perovskite-structure ferroelectrics過渡金屬氧化物自旋電子學自旋-軌道矩磊晶薄膜

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	透過生長條件控制磊晶鋇鐵氧體薄膜之磁異向性及其在射頻電感之應用 Growth control of magnetic anisotropy of epitaxial barium ferrite thin films for radio frequency inductor 材料科學與工程學系鋇鐵氧體、磁異向性、微型電感、Barium ferrite、Miniature inductor、Magnetic anisotropy	碩士	112	2026-09-29	3.16 年
114	以脈衝雷射沉積 WOx 前驅物進行兩步驟合成磊晶 WS₂ Two-step Synthesis of Epitaxial WS₂ from PLD-deposited WOx Thin Films 材料科學與工程學系過渡金屬二硫屬化物、TMDs生長、底閘極場效電晶體、transition metal dichalcogenides、synthesis of TMDs、back-gate field-effect transistors	碩士	113	2026-02-23	1.56 年
114	加速氫電漿劣化測試之建立與先進 EUV Pellicle 材料之評估研究 Establishment of Accelerated Hydrogen Plasma Degradation Testing and Evaluation of Advanced EUV Pellicle Material 材料科學與工程學系極紫外光微影、光罩護膜、加速氫電漿劣化、穿透率、熱穩定性、EUV lithography、pellicle、accelerated hydrogen plasma torture、transmittance、thermal stability	碩士	112	2025-08-18	2.05 年
113	晶界在鐵電翻轉中扮演的角色 The role grain boundary plays in ferroelectric switching 材料科學與工程學系晶界、鐵電極化翻轉、鈦酸鋇、漏電流、側向同質結構、grain boundaries、ferroelectric switching、BaTiO3、leakage current、lateral homo-structure	碩士	112	2025-07-30	2.00 年
113	透過自支撐技術與鈦酸鋇晶格調控以降低Hf0.5Zr0.5O2中的矯頑電場 Reducing the Coercive Field in Hf0.5Zr0.5O2 via Lattice Engineering of Barium Titanate Memberances and Freestanding Transfer Techniques 材料科學與工程學系鈣鈦礦結構鐵電體、螢石結構鐵電體、自支撐、矯頑電場、Perovskite-structured ferroelectrics、Fluorite-structured ferroelectrics、Freestanding、Coercive field	碩士	112	2025-06-17	1.88 年
113	通過雙鐵電耦合在Hf0.5Zr0.5O2/BaTiO3異質結構中實現低矯頑電壓 Enabling low coercive voltage in Hf0.5Zr0.5O2/BaTiO3 heterostructure via double ferroelectric coupling 材料科學與工程學系氧化鉿鋯、矯頑場、螢石結構鐵電體、鈣鈦礦結構鐵電體、Hf0.5Zr0.5O2、Coercive field、Fluorite-structured ferroelectrics、Perovskite-structure ferroelectrics	碩士	111	2024-08-21	2.06 年
112	透過晶體結構異向性增強自旋軌道偶合效率 Amplifying spin-orbit torque efficiency via a crystallographic approach 材料科學與工程學系・共同指導：楊朝堯過渡金屬氧化物、自旋電子學、自旋-軌道矩、磊晶薄膜、迴圈偏移法、Transition metal oxide、Spintronics、Spin-orbit torque、Epitaxial、Loop-shift method	碩士	111	2024-08-22	2.06 年
112	自支撐二氧化釩薄膜之電性及光學性質探討 The electrical and optical properties of VO2 freestanding thin films 材料科學與工程學系金屬絕緣相轉變、自支撐薄膜、二氧化釩、鋁酸鍶、Metal-Insulator Transition、Freestanding films、VO2、Sr3Al2O6	碩士	111	2024-07-29	1.99 年
112	多鐵性材料在SOT-MRAM中的反鐵磁軸可控性研究 Investigation of Controllable Antiferromagnetic Axis in SOT-MRAM using Multiferroic Materials 材料科學與工程學系微磁學模擬、多鐵性、反鐵磁、SOT-MRAM、BiFeO3、micromagnetic simulation、multiferroicity、antiferromagnetic	碩士	110	2024-07-22	2.97 年
112	自支撐Hf₀.₅Zr₀.₅O₂薄膜之鐵電性質與晶體結構探討 The Ferroelectric Properties and the Crystal Structure of Hf₀.₅Zr₀.₅O₂ Freestanding Membranes 材料科學與工程學系奈米科技 HZO自支撐薄膜、印記效應、疲勞效應、HZO freestanding membranes、Imprint effects、Fatigue effects	碩士	111	2024-07-05	1.93 年
111	自支撐鐵酸鉍薄膜之反鐵磁軸向研究 The Study of Antiferromagnetism in Freestanding BiFeO3 Membranes 材料科學與工程學系所鐵酸鉍、脈衝雷射沈積、反鐵磁、自支撐、Bismuth Ferrite、Pulsed Laser Deposition、Antiferromagnetism、Freestanding	碩士	110	2023-08-25	2.06 年
111	自支撐Hf0.5Zr0.5O2薄膜之極化相與鐵電性質探討 The Polar Phase and Ferroelectric Properties of Hf0.5Zr0.5O2 Freestanding Thin Films 材料科學與工程學系所鐵電材料、氧化鉿鋯、自支撐薄膜、X光繞射分析、壓電力顯微鏡、Ferroelectric material、Hf0.5Zr0.5O2、Freestanding thin films、X-Ray Diffraction、Piezoresponse Force Microscopy	碩士	110	2023-08-01	2.00 年