楊朝堯
Yang, Chao-Yao・工學院・材料科學與工程學系、工學院專班-半導體材料與製程設備學程、材料科學與工程學系所
碩士平均畢業時長
2.73 年
中位數 2.07 年・8 人
在職專班平均畢業時長
2.06 年
中位數 2.09 年・3 人
收錄論文
11 篇
110–114 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10・在職專班 2.08 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生;中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
反鐵磁磁鄰近效應二硫化鉬MoS2能谷極化Valley PolarizationMagnetic Proximity EffectAntiferromagnetism能谷電子學自旋軌道矩Spin-orbit torquevalleytronicSpin orbit torque過渡金屬二硫化物Transition Metal Dichalcogenides磁電耦合二維材料Magnetoelectric couplingTwo-dimensional materials過渡金屬氧化物自旋電子學自旋-軌道矩磊晶薄膜迴圈偏移法Transition metal oxideSpintronicsEpitaxialLoop-shift method外加磁場鑭鍶錳氧釔鐵石榴石magnetic proximityexternal magnetic fieldLanthanum strontium manganiteYttrium iron garnet二硫化鉬 (MoS2)二維過渡金屬硫屬化合物 (TMDs)薄膜生長機制前驅物流量控制溫度差Molybdenum disulfide(MoS2)Two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs)Film growth mechanismControl of precursor flow rateTemperature differences過渡金屬硫族化合物化學氣相沉積法Transition-metal dichalcogenides(TMD)Chemical vapor deposition(CVD)轉角電子學
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | Study of Valley Polarization with Unipolar Tendency in Monolayer MoS₂ Induced by Uncompensated Surface Magnetic Moments of Antiferromagnetic NiO Thin Films 材料科學與工程學系奈米科技 過渡金屬二硫化物、能谷極化、磁鄰近效應、反鐵磁、Transition Metal Dichalcogenides、Valley Polarization、Magnetic Proximity Effect、Antiferromagnetism | 碩士 | 113 | 2026-07-20 | 1.97 年 |
| 113 | Valley Polarization in Monolayer MoS2 induced by Field dependent Antiferromagnetic Proximity Effect of SmFeO3 材料科學與工程學系 能谷極化、磁電耦合、二維材料、磁鄰近效應、反鐵磁、Valley polarization、Magnetoelectric coupling、Two-dimensional materials、Magnetic proximity effect、Antiferromagnetism | 碩士 | 112 | 2025-03-20 | 1.63 年 |
| 112 | Amplifying spin-orbit torque efficiency via a crystallographic approach 材料科學與工程學系・共同指導:黃彥霖 過渡金屬氧化物、自旋電子學、自旋-軌道矩、磊晶薄膜、迴圈偏移法、Transition metal oxide、Spintronics、Spin-orbit torque、Epitaxial、Loop-shift method | 碩士 | 111 | 2024-08-22 | 2.06 年 |
| 112 | Modulation of magnetic proximity effect via external magnetic field direction to control the photoluminescence behavior in MoS2/magnetic substrate heterostructure 材料科學與工程學系 二硫化鉬、能谷電子學、磁鄰近效應、外加磁場、鑭鍶錳氧、釔鐵石榴石、MoS2、valleytronic、magnetic proximity、external magnetic field、Lanthanum strontium manganite、Yttrium iron garnet | 碩士 | 111 | 2024-08-19 | 2.05 年 |
| 112 | Investigating the growth mechanism of thin films by controlling the precursor flow rate using thermal convection 工學院專班-半導體材料與製程設備學程 二硫化鉬 (MoS2)、二維過渡金屬硫屬化合物 (TMDs)、薄膜生長機制、前驅物流量控制、溫度差、Molybdenum disulfide(MoS2)、Two-dimensional transition metal dichalcogenides (TMDs)、Film growth mechanism、Control of precursor flow rate、Temperature differences | 碩士在職專班 | 110 | 2023-09-04 | 2.09 年 |
| 112 | Research on size control of single-layer MoS2 grown by chemical vapor deposition method 工學院專班-半導體材料與製程設備學程 過渡金屬硫族化合物、二硫化鉬、化學氣相沉積法、Transition-metal dichalcogenides(TMD)、MoS2、Chemical vapor deposition(CVD) | 碩士在職專班 | 110 | 2023-09-04 | 2.09 年 |
| 112 | Effect of aging and stacking coherency on A exciton of monolayer MoS2 on an Al2O3 (0001) substrate 材料科學與工程學系 二硫化鉬、能谷電子學、轉角電子學、摩爾波紋、時效、MoS2、valleytronics、interfacial coherency、Moiré pattern、aging | 碩士 | 110 | 2023-09-04 | 2.09 年 |
| 112 | Studying effects of spin transport in antiferromagnetic insulator by measuring the spin-orbit torque efficiency qualitatively in Pt/NiO/CoFeB devices 材料科學與工程學系 自旋軌道矩、轉換效率、反鐵磁、序化度、自旋混亂、磁子、spin-orbit torque、conversion efficiency、antiferromagnet、ordering、spin fluctuation、magnon | 碩士 | 110 | 2023-09-01 | 2.08 年 |
| 111 | Exploring the Effects of In-plane Field on the Application of Physically Unclonable Functionality in a Z-type Spin-orbit Torque Device 工學院半導體材料與製程設備學程・共同指導:張翼 自旋軌道矩、隨機性、憶阻性、中間態、物理不可複製函數、Spin orbit torque、Stochasticity、Memristivity、Intermediate states、PUF | 碩士在職專班 | 110 | 2023-08-01 | 2.00 年 |
| 110 | Effects of an antiferromagnetic order on the strength of Dzyaloshinskii-Moriya interaction in a Pt/Co/IrMn spin orbit torque device 材料科學與工程學系所 自旋軌道矩、Dzyaloshinskii-Moriya交互作用、交換偏壓、反鐵磁、自旋霍爾效應、Spin orbit torque、Dzyaloshinskii-Moriya interaction、Exchange bias、Antiferromagnetism、Spin Hall effect | 碩士 | 106 | 2022-07-24 | 4.98 年 |
| 110 | Inducing valley spin-polarization of MoS2 single-layer via the antiferromagnetic proximity effect 材料科學與工程學系所 二硫化鉬、能谷電子學、磁鄰近效應、能谷極化、反鐵磁、MoS2、Valleytronic、Magnetic Proximity Effect、Valley polarization、Antiferromagnetic | 碩士 | 106 | 2022-07-24 | 4.98 年 |