J.P. Singh
國際半導體產業學院・國際半導體產業學院
博士平均畢業時長
4.04 年
中位數 4.04 年・1 人
收錄論文
1 篇
114–114 學年度
全校中位數（供對照）
博士 6.11 年
畢業時長趨勢
每學年度畢業人數
只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。
研究關鍵字
光檢測器薄膜電晶體鋅鎵氧化物（ZnGa₂O₄）X 光檢測器紫外光檢測器電力裝置PhotodetectorsThin film transistorsZinc Gallium Oxide (ZnGa2O4)X-ray detectorsUV detectorpower devices
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指導論文
| 學年度 | 論文 | 學制 | 入學 | 提交日期 | 畢業時長 |
|---|---|---|---|---|---|
| 114 | METAL OXIDE BASED SEMICONDUCTORS FOR SUSTAINABILITY AND SENSING BASED APPLICATIONS 國際半導體產業學院・共同指導：洪瑞華、Singh, J.P. 光檢測器、薄膜電晶體、鋅鎵氧化物（ZnGa₂O₄）、X 光檢測器、紫外光檢測器、電力裝置、Photodetectors、Thin film transistors、Zinc Gallium Oxide (ZnGa2O4)、X-ray detectors、UV detector、power devices | 博士 | 110 | 2025-08-14 | 4.04 年 |