渡邊浩志

Watanabe, Hiroshi・電機學院・電信工程研究所、電機工程學系

碩士平均畢業時長

2.35 年

中位數 2.06 年・28 人

在職專班平均畢業時長

3.64 年

中位數 3.64 年・1 人

博士平均畢業時長

5.99 年

中位數 6.27 年・4 人

收錄論文

37 篇

101–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

trap元件模擬加密演算法FPGA隨機摻雜擾動Device simulationencryption algorithmsimulation離散摻雜物奈米片場效電晶體Nanosheet FETASICRandom Dopant Fluctuation現場可程式化邏輯閘陣列Encryption蒙地卡羅演算法Monte-Carlo simulation缺陷numerical simulationRTN模擬陷阱Single ElectronTCAD 模擬Discrete impuritiesRandom doping fluctuationsTCAD simulation電磁相容性電磁干擾CISPR 25傳導性發射去耦電容等效串聯電感車用電子模組線路阻抗穩定網路Electromagnetic Compatibility (EMC)Electromagnetic Interference (EMI)Conducted EmissionDecoupling CapacitorEquivalent Series Inductance (ESL)Automo- tive Electronic SystemsLine Impedance Stabilization Network (LISN)SHA-3Keccak-f[1600]後量子密碼學海綿結構SAED 14nm每週期兩輪架構Post-Quantum CryptographySponge Construction

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	IRDS 縮放世代下奈米片電晶體延伸區離散摻雜引發之閾值電壓擾動 Analysis of Discrete-Dopant-Induced Threshold Voltage Fluctuation in S/D Extensions of IRDS-Scaled Nanosheet FETs 電信工程研究所離散摻雜物、隨機摻雜擾動、奈米片場效電晶體、TCAD 模擬、元件模擬、Discrete impurities、Random doping fluctuations、Nanosheet FET、TCAD simulation、Device simulation	碩士	113	2026-07-27	1.98 年
114	汽車電子傳導干擾之電容抑制機制研究 Study on Capacitor-Based Mitigation of Automotive Conducted EMI 電機學院碩士在職專班・共同指導：李育民電磁相容性、電磁干擾、CISPR 25、傳導性發射、去耦電容、等效串聯電感、車用電子模組、線路阻抗穩定網路、Electromagnetic Compatibility (EMC)、Electromagnetic Interference (EMI)、Conducted Emission、Decoupling Capacitor、Equivalent Series Inductance (ESL)、Automo- tive Electronic Systems、Line Impedance Stabilization Network (LISN)	碩士在職專班	111	2026-03-24	3.64 年
114	SHA-3 於後量子密碼學之 ASIC 實現 ASIC Implementation of SHA-3 for Post-Quantum Cryptography 電機資訊國際碩士學位學程 SHA-3、Keccak-f[1600]、後量子密碼學、ASIC、海綿結構、SAED 14nm、每週期兩輪架構、Post-Quantum Cryptography、Sponge Construction、2-rounds-per-cycle	碩士	113	—	無法計算
113	模擬奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區中離散摻雜物造成之隨機摻雜擾動 Simulation of Random Dopant Fluctuation in Nanosheet FET with Discretized Dopants in Source/Drain Extension 電信工程研究所離散摻雜物、隨機摻雜擾動、奈米片場效電晶體、能障降低、TCAD模擬、半導體元件模擬、Discrete Dopants、Random Dopant Fluctuation、Nanosheet FET、Barrier Lowering、TCAD、Semiconductor Device Simulation	碩士	112	2025-06-26	1.90 年
113	以FPGA模擬量子牛頓法 FPGA Simulation of Quantum Newton's Method 電機工程學系量子牛頓法、Quantum Newton's Method	碩士	112	2025-06-25	1.90 年
113	AES 演算法實作於 ASIC 晶片的設計與驗證 Implementation of the AES Algorithm in ASIC Design 電機工程學系加密演算法、特殊應用積體電路、進階加密標準、encryption algorithm、AES、ASIC	碩士	112	2025-06-25	1.90 年
113	Blowfish加密演算法 FPGA及ASIC硬體實踐 FPGA and ASIC Implementation of Blowfish Encryption Algorithm 電信工程研究所加密演算法、Encryption algorithm	碩士	112	2025-06-25	1.90 年
113	具有 94.1% 高效率、低於 1mV 輸出漣波和快速瞬態響應的偽四相降壓轉換器 A Pseudo-4-phase Buck Converter with 94.1% High Efficiency, Sub-1mV Output Ripple and Fast Transient Response 電機工程學系・共同指導：陳科宏降壓轉換器、低地球軌道、6G 通信、低輸出電壓漣波、快速暫態響應、高效率、buck converter、low Earth orbit (LEO)、6G communication、low output voltage ripple、fast transient response、high efficiency	碩士	111	2024-10-21	2.22 年
112	以FPGA模擬量子計數演算法 Demonstration of quantum counting algorithm with FPGA 電信工程研究所量子計數演算法、現場可程式化邏輯閘陣列、振幅放大、布洛赫球、量子閘、Quantum Counting Algorithm、FPGA、Amplitude Amplification、Bloch sphere、Quantum Gates	碩士	111	2024-07-16	1.96 年
112	FPGA模擬實現DES加密演算法 Demonstration of DES Encryption Algorithm with FPGA 電機工程學系加密演算法、DES、Encryption Algorithm	碩士	111	2024-07-16	1.96 年
112	以FPGA實現ElGamal 加密演算法 Implementation of ElGamal algorithm to FPGA 電信工程研究所加密、密碼學、非對稱加密、ElGamal、Encryption、FPGA	碩士	110	2023-09-05	2.09 年
112	用RSA加密演算法在FPGA上實現 Implementation RSA encryption algorithm on FPGA 電機工程學系加密演算法、非對稱性加密、硬體描述語言、RSA加密、Verilog、FPGA、encryption、assymetric encryption、RSA algorithm	碩士	110	2023-08-13	2.03 年
112	以FPGA模擬Grover Search量子演算法 Demonstration of Grover Search Algorithm with FPGA 電信工程研究所 Grover量子搜索演算法、量子電腦、量子比特、現場可程式化邏輯閘陣列、超導體、Quantum computer、FPGA、Qubit、Superconductor、Grover search algorithm	碩士	110	2023-08-04	2.01 年
112	非同步FIFO實現量子傅立葉變換電路設計 ASIC implementation of AFIFO and its application on QFT 電信工程研究所系統單晶片、異步FIFO、量子傅立葉變換、量子計算、system on chip、FIFO、Asynchronous FIFO、QFT、Quantum Computing	碩士	109	2023-08-04	3.01 年
110	在寫入/抹除過程中氫對氧化物劣化的影響 Effect of hydrogen on oxide degradation during program/erase cycling in NAND flash memories 電信工程研究所・共同指導：白田理一郎 NAND 快閃記憶、氧化物、跨導、氫氣、NAND Flash memory、P/E cycling、Transconductance、oxide degradation、hydrogen	碩士	109	2022-06-28	1.91 年
110	晶界陷阱對3D快閃記憶體暫態電流特性的影響 Impact of grain boundary traps on transient current characteristic of 3D NAND flash memory 電信工程研究所 3D快閃記憶體、晶界陷阱、非揮發性記憶體、多晶矽通道、3D NAND flash、grain boundary、grain boundary trap、nonvolatile memory、polycrystalline silicon channel	碩士	109	2022-06-26	1.90 年
110	化學反應監控系統與自有演算法之研究 Chemical Reaction Controlling System & Own Algorithm (AADA) 電機工程學系 ALCHEMA、AADA 演算法、發酵偵測、化學反應監控系統、物聯網、AADA algorithm、fermentation process tracking、chemical reaction controlling system、IoT	碩士	102	2022-05-17	8.79 年
110	隨機離散摻雜在堆疊式奈米片場效電晶體源極/汲極延伸區的變異性模擬 Simulation of Random Dopant Fluctuation on Source/Drain Extensions of Vertically Stacked Nanosheet FETs 電信工程研究所堆疊式奈米片場效電晶體、源極/汲極延伸區、隨機摻雜擾動、Stacked Nanosheet FETs、Source/Drain Extensions、Random Dopant Fluctuation	碩士	108	—	無法計算
110	考慮非完全游離針對隨機參雜之電晶體之電流電壓變異性分析 Impact of Incomplete Ionization for Random Dopant Fluctuation in I-V characteristic of MOSFET 電機工程學系非完全游離、能隙縮減、隨機參雜、Incomplete ionization、Band gap narrowing、Random dopant	碩士	108	—	無法計算
109	高介電多晶介電層在MIM與MIS電容中之介面缺陷物理與現象 Interface Trap Physics and Phenomena in High-K Polycrystalline Dielectric at MIM and MIS Capacitors 電機工程學系高介電材料、介面缺陷、暫態傳輸、電導法、多晶系氧化層、電容、High-K material、Interface traps、Transient transport、Conductance method、Polycrystalline oxide、Capacitor	博士	103	2021-05-24	6.81 年
109	應用蒙地卡羅針對電晶體隨機離散參雜之電流電壓變異性研究 Monte-Carlo Simulation of I-V characteristics of MOSFET with Random Dopant Fluctuation 電機工程學系蒙地卡羅演算法、隨機離散參雜、元件模擬、Monte-Carlo simulation、Discrete Random Dopant ion、Device simulation	碩士	106	2020-08-17	3.04 年
109	探討薛丁格方程式在雙閘極電晶體的精確解以及電容和電壓的特性 Exact solution of Schrodinger equation in SOI DG MOS Capacitors and its CV analysis 電信工程研究所薛丁格方程式、量子效應、雙閘極、quantum mechanics、Schrodinger equation、MOS Capacitors、Double gate	碩士	107	2020-08-16	2.04 年
108	應用蒙地卡羅演算法針對隨機離散摻雜體之電容電壓特性變異性研究 Monte-Carlo simulation of Random Discrete Dopant Fluctuation in Capacitance - Voltage Characteristics 電信工程研究所蒙地卡羅演算法、隨機離散摻雜體、元件模擬、Monte-Carlo Simulation、Random Discrete Dopant、Device Simulation	博士	102	2019-08-29	6.08 年
107	電子生物感測器之模擬與控制方法 Numerical Study of Potentiometric Biosensor and Controlling Method 電機工程學系生物晶片、蒙地卡羅、奈米線、Biosensor、nanowire、Monte-Carlo	博士	103	2019-03-16	4.62 年
107	微機電的揚聲器設計成用於優化聲壓與總諧波失真 MEMS Loudspeaker Design for Optimization of SPL and THD 電機資訊國際學程微電子機械系統、聲壓級、總諧波失真、洛倫茲力、擴音器、微電子機械系統揚聲器、優化、MEMS、Sound Pressure Level、Total Harmonic Distortion、Lorentz Force、Loudspeaker、MEMS Loudspeaker、Optimization	碩士	105	2019-02-14	2.54 年
107	運用三維飄移擴散數值模擬之高介電常數電晶體可靠度分析 Three-dimensional Drift-Diffusion Simulation and its Application to the Study of the Reliability of High-k MOSFETs 電信工程研究所三維飄移擴散模擬、高介電閘極可靠度、隨機電報雜訊、3D drift-diffusion simulation、High-k gate reliability、Random telegraph noise	博士	101	2019-01-18	6.46 年
107	矽奈米線場效電晶體的雜訊研究 Numerical Study of RTN Amplitude in SiNWFETs 電信工程研究所矽奈米線場效電晶體、數值模擬、雜訊、電流波動、缺陷、密度梯度、SiNWFET、numerical simulation、RTN、current fluctuation、trap、density gradient	碩士	105	2018-10-09	2.19 年
107	缺陷能階與位置敏銳度與相關現象數值模擬研究 Numerical Study of Trap-Level and -location Sensitivities in High-K Oxide and Related Phenomena 電信工程研究所缺陷、缺陷能、位置、數值分析、Trap、Trap-level、senstivity、Numerical simulation	碩士	105	2018-09-28	2.16 年
106	室內應用之優化N 型正反發光矽晶圓太陽能電池 Optimization of N-type Heterojunction front and Rear Emitter Silicon Solar Cell for Indoor Light Harvesting Application 電機資訊國際學程填充因子、Fill factor	碩士	105	2018-06-17	1.88 年
106	介電質層缺陷相關現象模擬研究 Simulation Study of Trap Related Phenomena 電信工程研究所介電質層缺陷、模擬、RTN、Trap、simulation	碩士	104	2017-08-22	2.06 年
106	氧化鋅基板-離子場效應電晶體生物感測模擬器 ZnO-based ISFET BioSensor Simulator 電機工程學系半導體模擬器、生物檢測、Simulator、bio-sensor	碩士	104	2017-08-21	2.06 年
103	三維多體陷阱模擬 3D Simulation of Multiple Traps 電信工程研究所元件模擬、陷阱、殘缺分子鍵結、漏電流、Simulation、Trap、Dangling bond、SILC	碩士	101	2014-09-05	2.09 年
103	適用於奈米結構之Adaptive Kicking演算法之研究 Drastic Speed up of Simulation of Nanostructure with Floating Island by Adaptive Kicking Algorithm 電信工程研究所泊松方程式、奈米結構、單電子現象、浮動區域、Poisson's equation、Floating Island、Computation、Nanostructure、Single Electron	碩士	101	2014-08-28	2.07 年
103	氧化層電場對NAND快閃記憶體保存度影響之研究 Effect of E-field on oxide in NAND Flash memory retention 電信工程研究所快閃記憶體、保存度、可靠度、陷阱、Flash memory、retention、reliability、trap	碩士	100	—	無法計算
102	奈米尺度物理模擬器之發展 Development of Nano-Scale Device Simulator 電信工程研究所量子點、模擬、矽點、單電子、單電子電晶體、浮動閘極、共軛電容、演算法、Quantum Dot、Simulation、Silicon Dot、Single Electron、Single Electron Transistor、Floating Gate、Capacitance Coupling、Algorithm	碩士	100	2013-08-26	2.07 年
101	P型SONOS快閃記憶體元件電荷動態分佈之研究 Exploring Trapped Charge Evolution in P-Channel 電信工程研究所記憶體元件、氮化矽、動態寫入機制、SONOS memory device、SiN、dynamic programming	碩士	99	2012-09-10	2.11 年
101	矽奈米元件模擬器之發展 Development of Device Simulator for Future Nano Technology 電控工程研究所奈米元件、計算電子、nano-device、computational electronics	碩士	99	2012-09-08	2.11 年