白田理一郎

Shirota, Riichiro・電機學院・電信工程研究所、電機工程學系

碩士平均畢業時長

2.70 年

中位數 2.07 年・9 人

博士平均畢業時長

6.31 年

中位數 6.31 年・2 人

收錄論文

20 篇

101–110 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

快閃記憶體NAND Flash memory可靠度reliabilityNAND FlashenduranceTransconductanceFlash memoryNAND快閃記憶體NAND 快閃記憶跨導P/E cyclingoxide degradationhydrogentrap寫入溫度eraseintervaltemperatureretention寫入擾動Program disturbance微處理器解碼器引導程式非同步設計可程式化MicrocontrollerDecoderbootloaderNon-synchronizeProgrammable氧化物氫氣氧化層缺陷可靠度分析靜置時間操作電壓氫氣濃度idling timeProgram voltageHydrogen concentration清除program表面能態次臨限擺幅週期區間資料保存interface states

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
110	帶有解碼器邏輯獨立且可程式化的數位微流體系統電路設計之實現 The implementation of decoder logic with a standalone, programmable digital micro-fluidics system circuit design 電信工程研究所・共同指導：楊雅棠微處理器、解碼器、引導程式、非同步設計、可程式化、Microcontroller、Decoder、bootloader、Non-synchronize、Programmable	碩士	107	2022-07-11	3.94 年
110	在寫入/抹除過程中氫對氧化物劣化的影響 Effect of hydrogen on oxide degradation during program/erase cycling in NAND flash memories 電信工程研究所・共同指導：渡邊浩志 NAND 快閃記憶、氧化物、跨導、氫氣、NAND Flash memory、P/E cycling、Transconductance、oxide degradation、hydrogen	碩士	109	2022-06-28	1.91 年
110	寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究 Impact on Oxide degradation of NAND Flash Memory by different voltage and interval during Program/Erase cycle 電機資訊國際學程跨導、NAND 快閃記憶、可靠度、NAND Flash memory、Transconductance、P/E Cycling、oxide degradation	碩士	108	2021-08-08	2.02 年
108	非揮發性記憶體之穿隧氧化層中的缺陷電荷在寫入/抹除循環下之特性分析 Characterization of the Trap State in the Tunneling Oxide of Non-volatile Memory under Program/Erase Cycling 電信工程研究所快閃記憶體、氧化層缺陷、可靠度分析、Flash memory、trap、reliability	博士	100	2019-08-27	8.07 年
108	探討靜置時間對NAND快閃記憶體不同電壓和氫氣濃度之研究 Exploring idling time in NAND Flash Memory – Program Voltage, Hydrogen concentration 電信工程研究所快閃記憶體、靜置時間、操作電壓、氫氣濃度、NAND Flash memory、idling time、Program voltage、Hydrogen concentration	碩士	106	2019-08-26	2.07 年
108	研究快閃記憶體元件中寫入及清除的間隔時間對元件的可靠度影響 Evaluation of the Gm degradation during the idling time period between Program/Erase in NAND Flash Memory 電信工程研究所快閃記憶體、寫入、清除、可靠度、溫度、NAND Flash、program、erase、interval、temperature	碩士	105	2019-08-26	3.07 年
106	探討快閃記憶體元件製程中氫氣濃度對可靠度特性影響分析之研究 The Effect of Hydrogen Concentration on NAND Flash Memory Reliability 電機工程學系可靠度、表面能態、次臨限擺幅、週期區間、資料保存、reliability、interface states、subthreshold swing、interval、retention	碩士	104	2017-08-21	2.06 年
106	NAND快閃記憶體在抹寫週期中轉導分佈之統計研究 Statistical Investigation of Transconductance Distribution in Program/Erase Cycling of NAND Flash 電信工程研究所轉導、快閃記憶體、Transconductance、NAND flash	碩士	105	—	無法計算
106	NAND快閃記憶體在寫入及抹除狀態下的保存特性之探討 Exploring Retention Characteristics of NAND Flash memory under PGM and Erase state 電信工程研究所 NAND快閃記憶體、寫入、抹除、保存、NAND Flash Memory、PGM、Erase、Retention	碩士	104	—	無法計算
106	寫入/抹除偏壓與氧化製程在快閃記憶體之可靠度研究 W/E Bias and Oxidation Process Dependence in Endurance of NAND Flash Reliability 電機工程學系快閃記憶體、可靠度、氧化製程、NAND Flash、endurance、reliability	碩士	104	—	無法計算
105	非揮發性記憶體的儲存電荷分佈及寫入擾動之研究 Investigation of Trapped Charge Distribution and Program disturbance in Non-Volatile Memory Devices 電信工程研究所電荷儲存式記憶體、快閃記憶體、寫入擾動、Charge-trap memory、NAND Flash、Program disturbance	博士	101	2017-02-20	4.56 年
105	NAND 快閃記憶體在少量寫入/抹除操作下異常的次臨界擺幅及轉導回復 Anomalous subthreshold swing and transconductance recovery within early program erase cycling of the NAND flash memory 電機工程學系次臨界擺幅、轉導回復、淺溝槽絕緣、旋轉塗佈玻璃、週期忍耐度、NO氮化製程、sub-threshold swing、gm recovery、STI、spin on glass、fixed charge、interface state density、endurance、NO nitridation	碩士	101	2016-09-04	4.09 年
105	快閃記憶體元件抹寫週期可靠度中續航力與操作電壓及氧化製程之關係 W/E Cycling Bias and Oxidation Process Dependence in Endurance of NAND-Flash Reliability 電信工程研究所快閃記憶體、可靠度、flash memory、reliability	碩士	102	2016-08-31	3.08 年
105	探討快閃記憶體元件製程中退火氫氣濃度對抹寫特性影響分析之研究 Program/Erase Characteristics Affected by Hydrogen Concentration during Annealing in NAND Flash Memory 電信工程研究所快閃記憶體、抹除寫入特性、退火製程、NAND Flash memory array、Hydrogen、annealing、shallow trench isolation、program/erase cycle	碩士	103	—	無法計算
103	快閃記憶體元件抹寫週期可靠度與溫度之關係 W/E Cycling Temperature dependence of NAND-Flash reliability 電機工程學系 NAND快閃記憶體、耐久度、可靠度、溫度、陷阱、NAND Flash memory、endurance、reliability、temperature、trap	碩士	101	—	無法計算
102	Data Pattern對NAND快閃記憶體寫入擾動特性之研究 Analysis of Data Pattern Dependence on Program Disturbance Characteristics in NAND Flash Memory 電子工程學系電子研究所・共同指導：張俊彥 NAND 快閃記憶體、寫入擾動、資料模式、漏電流、NAND Flash Memory、Program Disturbance、Data Pattern、Leakage Current	碩士	100	—	無法計算
102	探討P 型 SONOS 快閃記憶體元件抹寫週期忍耐度之研究 Exploring Endurance Characteristic in P-Channel SONOS Memory Device 電信工程研究所 P 型 SONOS 快閃記憶體、抹寫週期忍耐度、穩定性、P-type SONOS flash memory、Endurance、Reliability	碩士	100	—	無法計算
101	非揮發性快閃記憶體新式寫入序列方法之研究 Development of the new programming sequence for non-volatile Flash memory 電機資訊國際學程快閃記憶體、寫入序列方法、耐久力、可靠性、NAND Flash、Write operation、Endurance、Reliability study	碩士	100	2013-08-19	2.05 年
101	非揮發性快閃記憶體元件電荷分佈與可靠度之探討 Investigation of Trapped Charge Distribution and Reliability Issues in Non-Volatile Flash Memory Devices 電信工程研究所 P型SONOS快閃記憶體、動態寫入機制、電荷分佈、NAND快閃記憶體、隨機電報雜訊、P-channel SONOS Memory、Dynamic Programming Scheme、Trapped Charge Distribution、NAND Flash Memory、Random Telegraph Noise	博士	99	—	無法計算
101	P型SONOS快閃記憶體電荷注入均勻性與效率之研究 Study of Injection Charge Uniformity and Efficiency in P-Channel SONOS Memory 電信工程研究所 SONOS、快閃記憶體、電荷注入均勻性、電荷注入效率、p型、p-type、flash memory、Injection Charge Uniformity、Injection Charge Efficiency	碩士	99	—	無法計算