賴朝松

Lai, Chao-Sung・產學創新研究學院・前瞻半導體研究所

碩士平均畢業時長
2.51 年
中位數 2.51 年・2 人
收錄論文
2 篇
115–115 學年度
全校中位數(供對照)
碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生;中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

超順磁磁性穿隧結微磁學模擬熱擾動交換剛性元件尺寸機率運算Superparamagnetic magnetic tunnel junctionmicromagnetic simulationthermal fluctuationexchange stiffnessdevice sizeprobabilistic computing水體優養化氣體感測器氧化銅揮發性硫化物感測器陣列靈敏度調變EutrophicationGas SensorCupric Oxide (CuO)Volatile Sulfur CompoundsSensor ArraySensitivity Tunability

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指導論文

學年度論文學制入學提交日期畢業時長
115
Experimental Investigation and Micromagnetic Analysis of Stochastic Response in Mo-Inserted Ta-CFL SP-MTJs
前瞻半導體研究所・共同指導:侯拓宏、魏拯華
超順磁磁性穿隧結、微磁學模擬、熱擾動、交換剛性、元件尺寸、機率運算、Superparamagnetic magnetic tunnel junction、micromagnetic simulation、thermal fluctuation、exchange stiffness、device size、probabilistic computing
碩士1132026-09-142.12 年
115
Development and Evaluation of Sensitivity Tunability in CuO Sulfur Gas Sensors
前瞻半導體研究所・共同指導:冉曉雯
水體優養化、氣體感測器、氧化銅、揮發性硫化物、感測器陣列、靈敏度調變、Eutrophication、Gas Sensor、Cupric Oxide (CuO)、Volatile Sulfur Compounds、Sensor Array、Sensitivity Tunability
碩士1122026-06-242.90 年