魏拯華

Wei, Jeng-Hua・產學創新研究學院・前瞻半導體研究所

碩士平均畢業時長

2.45 年

中位數 2.46 年・4 人

收錄論文

4 篇

110–115 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

穿隧磁阻感測器加場鍍膜TMR sensorMPVD超順磁磁性穿隧結微磁學模擬熱擾動交換剛性元件尺寸機率運算Superparamagnetic magnetic tunnel junctionmicromagnetic simulationthermal fluctuationexchange stiffnessdevice sizeprobabilistic computing大磁場範圍垂直磁異向性鈷鐵硼Large magnetic field rangePerpendicular Magnetic Anisotropy (PMA)CoFeB二段退火白金錳線性響應2-steps annealingPtMnlinear response磁阻式記憶體自旋軌道扭矩式磁阻式記憶體硬質罩幕層反應離子蝕刻感應耦合電漿蝕刻離子束蝕刻MRAMSOT-MRAMHard MaskReactive Ion EtchingInductively Coupled PlasmaIon Beam Etching

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
115	鉬插入式鉭複合自由層超順磁磁性穿隧結隨機響應之實驗與微磁學研究 Experimental Investigation and Micromagnetic Analysis of Stochastic Response in Mo-Inserted Ta-CFL SP-MTJs 前瞻半導體研究所・共同指導：賴朝松、侯拓宏超順磁磁性穿隧結、微磁學模擬、熱擾動、交換剛性、元件尺寸、機率運算、Superparamagnetic magnetic tunnel junction、micromagnetic simulation、thermal fluctuation、exchange stiffness、device size、probabilistic computing	碩士	113	2026-09-14	2.12 年
113	大磁場下穿隧磁阻感應器的寬動態範圍實現與自由層改良研究 Wide Dynamic Range Realization and Free Layer Improvement of Tunneling Magnetoresistance Sensors in High Magnetic Fields 前瞻半導體研究所・共同指導：吳樸偉穿隧磁阻感測器、加場鍍膜、大磁場範圍、垂直磁異向性、鈷鐵硼、TMR sensor、MPVD、Large magnetic field range、Perpendicular Magnetic Anisotropy (PMA)、CoFeB	碩士	111	2025-06-18	2.88 年
112	結合正交二段退火與磁控濺鍍對磁穿隧感測結構之優化研究 Structural Optimization of Magnetic Tunneling Junction by a Combined Orthogonal Annealing and Magnetic Sputtering Technique 前瞻半導體研究所・共同指導：吳樸偉二段退火、白金錳、加場鍍膜、線性響應、穿隧磁阻感測器、2-steps annealing、PtMn、MPVD、linear response、TMR sensor	碩士	110	2024-05-22	2.81 年
110	自旋軌道力矩式磁記憶體核心製程優化以及元件表現提升 Enhancement of Device Performance of the Spin-Orbit Torque Memory by Process Optimization 材料科學與工程學系所・共同指導：曾院介磁阻式記憶體、自旋軌道扭矩式磁阻式記憶體、硬質罩幕層、反應離子蝕刻、感應耦合電漿蝕刻、離子束蝕刻、MRAM、SOT-MRAM、Hard Mask、Reactive Ion Etching、Inductively Coupled Plasma、Ion Beam Etching	碩士	109	2022-07-25	1.98 年