鍾錦翰

Chung, Chin-Han・國際半導體產業學院・國際半導體產業學院、越南境外碩士專班

碩士平均畢業時長

2.63 年

中位數 2.51 年・7 人

收錄論文

7 篇

111–113 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

輻射效應radiation effectreliability高功率元件總電離劑量效應氮化鎵Radiation EffectsTotal ionizing dose鐵電體氮化鎵金屬絕緣體半導體高電子遷移率電晶體（GaN MIS-HEMT）初始化過程正偏壓溫度不穩定性可靠性Ferroelectricsinitialization processpositive bias temperature instability電阻式隨機存取式記憶體氧化鉭氧化鎳多級單元儲存硒化鉍多層結構resistive random access memory (RRAM)tantalum oxide (TaOx)nickel oxide (NiO)multi-level cell storage (MLC)bismuth selenide (Bi2Se3)multi-layer structure四元複合物氮化銦鋁鎵金-絕-半高電子遷移率電晶體場板結構電容-電壓量測動態電阻崩潰電壓Quaternary compoundIndium Aluminum Gallium Nitride (InAlGaN)high-power devicesfield plate structuretotal dose (TD) effectcapacitance-voltage (CV) measurementdynamic on-resistance (dynamic RON)breakdown voltageReRAMhBNHfNTi覆蓋層濺射sputtering

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
113	使用混合鐵電荷陷阱閘極疊層 (FEG-HEMT) 功率用氮化鎵 MIS-HEMT 之可靠度研究 The Reliability Study of GaN MIS-HEMTs using Hybrid Ferroelectric Charge Trap Gate Stack (FEG-HEMT) for Power Device Applications 國際半導體產業學院・共同指導：陳俊豪鐵電體、氮化鎵金屬絕緣體半導體高電子遷移率電晶體（GaN MIS-HEMT）、初始化過程、正偏壓溫度不穩定性、可靠性、輻射效應、Ferroelectrics、initialization process、positive bias temperature instability、reliability、radiation effect	碩士	111	2024-07-24	1.98 年
112	基於TaOx/NiO多層電阻式隨機存取記憶體元件之研究 Investigation of TaOx/NiO Multilayer-Based Resistive Random-Access Memory Devices 國際半導體產業學院・共同指導：張翼電阻式隨機存取式記憶體、氧化鉭、氧化鎳、多級單元儲存、硒化鉍、多層結構、輻射效應、resistive random access memory (RRAM)、tantalum oxide (TaOx)、nickel oxide (NiO)、multi-level cell storage (MLC)、bismuth selenide (Bi2Se3)、multi-layer structure、radiation effect	碩士	109	2024-07-08	3.93 年
112	不同場板結構之四元複合物氮化銦鋁鎵金-絕-半高電子遷移率電晶體的輻射效應機制分析 Radiation Effect Mechanisms of Quaternary InAlGaN MIS-HEMT with different field plate structures 國際半導體產業學院四元複合物、氮化銦鋁鎵、高功率元件、金-絕-半高電子遷移率電晶體、場板結構、輻射效應、總電離劑量效應、電容-電壓量測、動態電阻、崩潰電壓、Quaternary compound、Indium Aluminum Gallium Nitride (InAlGaN)、high-power devices、field plate structure、radiation effect、total dose (TD) effect、capacitance-voltage (CV) measurement、dynamic on-resistance (dynamic RON)、breakdown voltage	碩士	110	2023-11-14	2.29 年
112	非揮發性記憶體濺射氮化物材料阻變特性研究 A Study on Resistive Switching Property of Nitride-Based Materials Grown by Sputtering for Nonvolatile Memory 國際半導體越南境外專班 ReRAM、hBN、HfN、Ti、覆蓋層、濺射、sputtering、Ti capping layer	碩士	110	2023-10-02	2.17 年
111	總電離劑量對氮化鎵閘極介電層功率元件的影響 Impact of Total Ionizing Dose on GaN Power MISHEMTs 國際半導體產業學院氮化鎵、高功率元件、可靠度、輻射效應、總電離劑量效應、位移損傷效應、GaN HEMTs、Reliability、Radiation Effects、TID、DD	碩士	109	2023-08-16	3.04 年
111	金絕半氮化鎵功率元件總劑量效應模擬研究 Simulation Study of Total Dose Effects in GaN MIS-HEMT for Power Applications 越南境外碩士專班氮化鎵、介電層材料、輻射影響、輻射劑量、PHITS模擬、GaN MIS-HEMT、Dielectric material、Radiation effects、Total ionizing dose、PHITS simulation	碩士	109	2023-02-03	2.51 年
111	中子於150 nm閘極線寬高頻氮化鎵高電子遷移率電晶體之位移損傷 Investigation of Neutron-Induced Displacement Effects in 150 nm Gate Length GaN HEMT for High Frequency Operation 越南境外碩士專班二維電子氣、負載拉移、范艾倫帶、總游離劑量、位移損傷、閘極線寬、2DEG、Load Pull、James Alfred Van Allen Belts、Total Ionizing Dose、Displacement Damage、Gate Length	碩士	109	2023-02-03	2.51 年