馬哲申

Maa, Jer-Shen・光電學院・光電學院光電科技學程、照明與能源光電研究所、光電系統研究所、影像與生醫光電研究所

碩士平均畢業時長

2.48 年

中位數 2.40 年・43 人

在職專班平均畢業時長

4.44 年

中位數 4.41 年・8 人

博士平均畢業時長

6.70 年

中位數 6.70 年・1 人

收錄論文

69 篇

100–108 學年度

全校中位數（供對照）

碩士 2.10・在職專班 2.08・博士 6.11 年

畢業時長趨勢

每學年度畢業人數

只計入有論文收錄的畢業生；中途休學或更換指導教授的學生不會出現在這裡。

研究關鍵字

氮化鎵GaN高電子遷移率電晶體HEMTInGaAsMOCVD砷化銦鎵Solar cell砷化鎵增強型有機金屬化學氣相沉積power device太陽能電池鰭式場效電晶體High-k dielectricsPassivation EffectGaAsTri-Gate高介電係數閘極介電質氧化物閘極介電質鈍化效應閘極介電質成長後電漿處理歐姆接觸Ohmic contact模擬simulation氧化鑭La2O3氮化鋁AlN功率元件Automatic Optical Inspection三五族半導體高功率元件AlGaNIII-V SemiconductorCompound Semiconductor砷化鎵銦全包覆式閘極場效電晶體GAA-FETs銅製程氮化鎢WNx大訊號模型HEMTs漏電流FInFET多晶矽掘入式閘極Gate Recess電漿增強型原子層化學氣相沉積系統

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指導論文

學年度	論文	學制	入學	提交日期	畢業時長
108	減少PECVD大量生產中的微粒 Reduction of particles in PECVD mass production process 光電學院光電科技學程微粒、後電漿處理、電漿化學輔助氣相沉積、particle、post plasma treatment、PECVD	碩士在職專班	105	2020-03-21	3.64 年
108	具有極薄阻障層且無閘極蝕刻製程之常關型氮化鎵金屬絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 Recess-Free Normally-off GaN MIS-HEMT Fabricated on Ultra-Thin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、增強型元件、功率元件、高電子遷移率電晶體、超薄阻障層、GaN、Enhanced-mode、power device、HEMT、ultra-thin barrier	碩士	105	2019-12-01	3.33 年
108	晶圓氧化物蝕刻後殘餘物之分析 Analysis of Residue After Wafer Oxide Etching 光電學院光電科技學程蝕刻後殘餘物、photoresist residue	碩士在職專班	102	—	無法計算
107	CIGS 硒化製程H2Se廢氣處理三級處理 Selenization process optimization of exhaust gas three stage treatment system 光電學院光電科技學程太陽能電池、薄膜太陽電池、硒化製程、廢氣系統、Solar cell、Thin film solar cell、CIGS、Selenization、Exhaust system	碩士在職專班	101	2019-10-28	7.24 年
107	自動光學檢測在太陽電池瑕疵之改善 Improvement of automatic optical inspection in solar cells 光電學院光電科技學程自動光學檢測、太陽電池瑕疵檢測、顏色分類、色彩不均、Automatic Optical Inspection、Solar Cell Detection、Discoloration	碩士在職專班	104	2019-07-24	3.98 年
107	利用階梯式陽極技術製作高功率氮化鋁鎵/氮化鎵之水平式蕭基二極體 High Performance AlGaN/GaN-On-Si Lateral Schottky Barrier Diodes with Two-Step Gated Anode 光電系統研究所・共同指導：張翼階梯式陽極、蕭基二極體、氮化鋁鎵、氮化鎵、三五族半導體、複合物半導體、高功率元件、低漏電流、高崩潰電壓、低開路電壓、水平式、寬能隙、Two-Step Gated Anode、Schottky Barrier Diodes、AlGaN、GaN、III-V Semiconductor、Compound Semiconductor、High Power、Low Leakage Current、High Breakdown Voltage、Low Turn-on Voltage、Lateral、Wide Bandgap	碩士	105	2019-02-20	2.55 年
107	高效能砷化鎵銦三維金氧半場效電晶體達未來互補式金氧半元件之研究 High Performance In0.53Ga0.47As 3D MOSFETs for Next-Generation CMOS Devices 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼砷化鎵銦、鰭式場效電晶體、全包覆式閘極場效電晶體、遠程電漿處理法、InGaAs、FinFETs、GAA-FETs、High-k dielectrics、Passivation Effect	碩士	105	2018-12-26	2.40 年
107	使用氮化鎢為阻障層之高功率氮化鎵元件銅金屬化導線製程之研究 Study of copper metallization with Ti/WNx/Ti as diffusion barrier for high power AlGaN/GaN HEMTs 光電系統研究所・共同指導：張翼銅製程、氮化鎢、氮化鎵、copper metallization、WNx、GaN	碩士	105	2018-12-09	2.35 年
106	太陽能瑕疵檢測與複合光源應用 Defect Inspection of Silicon Solar Cells By Multiple Beam Source 光電學院光電科技學程太陽能自動光學檢測、瑕疵偵測、Automatic Optical Inspection	碩士在職專班	102	2018-06-04	4.84 年
106	氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立與設計50瓦的功率放大器在3.5GHz Large Signal Modeling of AlGaN/GaN HEMTs and Design of 50W Power Amplifier at 3.5Ghz 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、大訊號模型、功率放大器、GaN、Angelov-GaN model、power amplifer、S band	碩士	104	2018-04-30	2.75 年
106	應用於低雜訊放大器之三閘極砷化銦高電子遷移率電晶體之研究 Study of Tri-Gate InAs HEMTs for Low-Noise Amplifier Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼砷化鎵、高電子遷移率電晶體、三閘極結構、低雜訊放大器、GaAs、HEMTs、Tri-Gate、LNA	碩士	104	2018-03-22	2.64 年
106	矽晶太陽能組件之蝸牛紋現象之探討 Investigation of snail trail problem on silicon solar-cell module 光電學院光電科技學程堝牛紋、太陽能組件、電致發光、隱裂、奈米顆粒、漿料、光伏背版、透水率、交聯率、拉曼、掃描式電子顯微鏡、光學顯微鏡、電流電壓功率測試儀、太陽能電池、層壓、電勢誘導衰減、色差、snail trail、solar module、EL、micro crack、nano particle、paste、back sheet、WVTR、cross-linking rate、Ｒaman、SEM、OM、IV tester、solar cell、Lamination、Potential Induced Degradation、discolor	碩士在職專班	101	2018-01-09	5.44 年
106	利用電漿增強型原子沉積法沉積氮化鋁/氧化鋁介電層來改善二硫化鉬場效電晶體之研究 The Study of Using AlN/Al2O3 Dielectric with Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition to Improve MoS2 MOSFET Performance 光電系統研究所・共同指導：張翼二硫化鉬電晶體、電漿增強型原子沉積、介電層沉積、MoS2 FET、PEALD、dielectric deposition	碩士	104	—	無法計算
106	利用背向矽基板蝕刻改善高功率氮化鎵元件漏電流之製造與特性研究 Fabrication and Characterization of GaN on Si HEMT Devices with Backside Si Local Etching to Reduce Leakage Current for High Power Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼矽基氮化鎵高電子遷移率電晶體、背向矽基板蝕刻、氧化鋁/銅散熱層、漏電流、GaN-on-Si HEMT、Backside Si substrate etching、AlN/Cu heat dissipation layer、Leakage	碩士	104	—	無法計算
106	使用介電質電漿處理法製作高效能砷化銦鎵三維金氧半場效電晶體達未來低耗能高速邏輯元件應用 High Performance In0.53Ga0.47As 3D MOSFETs Using Plasma Treatment for Low Power High Speed Future Logic Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼鰭式場效電晶體、全包覆式閘極場效電晶體、高介電係數閘極介電質氧化物、閘極介電質鈍化效應、閘極介電質成長後電漿處理、InGaAs、FInFET、High-k dielectrics、GAA-FETs、Passivation Effect	碩士	104	—	無法計算
106	超陡峭次臨界擺幅砷化銦鎵負電容金氧半場效電晶體之研究 Study on Negative Capacitance InGaAs MOSFETs for Sub-20 mV/dec Subthreshold Swing 光電系統研究所・共同指導：張翼砷化銦鎵、氧化鉿鋯、鐵電材料、負電容、陡峭次臨界擺幅、InGaAs、Hf0.5Zr0.5O2、ferroelectric material、negative capacitance、steep subthreshold swing	碩士	104	—	無法計算
105	太陽能多晶矽晶錠良率之產能改善 Yield improvement of polysilicon ingot for solar cell production 光電學院光電科技學程多晶矽、Solar cell	碩士在職專班	101	2017-07-13	4.95 年
105	於高頻高功率應用的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體大訊號模型建立 Large-Signal Modeling of AlGaN/GaN HEMTs for RF and High Power Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵、高電子遷移率電晶體、大訊號模型、GaN、HEMT、Large-signal model	碩士	103	2017-05-14	2.78 年
105	藉由插入低溫氮化鋁鎵插入層與高壓氮化鎵孕核層在矽(111)基板上成長厚且具低差排密度的氮化鎵薄膜 Growth of thick GaN film with low dislocation density on Si(111) substrate by inserting LT-AlGaN interlayer and HP-GaN nucleation layer 光電系統研究所・共同指導：張翼低溫氮化鋁鎵、高壓氮化鎵孕核層、氮化鎵、LT-AlGaN、HP-GaN nucleation layer、GaN	碩士	103	2017-04-04	2.67 年
105	利用低損傷中性粒子束蝕刻的方式製作出高起始電壓低磁滯的掘入式閘極增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率高功率電晶體 The Study of Damage-free Gate-recessed Normally-off GaN MISHEMTs by Neutral Beam Etching System 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵、高電子遷移率高功率電晶體、掘入式閘極、增強型、低損傷中性粒子束蝕刻、高起始電壓低磁滯、GaN-based devices、high-power applications、enhancement-mode high electron mobility transistors、high threshold voltage、gate-recessed、Neutral Beam Etching System	碩士	103	2017-01-17	2.46 年
105	利用中性粒子束蝕刻製作掘入式閘極增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體於高頻高功率上的應用 Gate-Recessed Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs with Neutral Beam Etch Technology for High Frequency Power Applications 影像與生醫光電研究所・共同指導：張翼高電子遷移率電晶體、掘入式閘極、中性粒子束蝕刻、HEMT、Gate Recess、Neutral Beam Etch	碩士	103	2017-01-17	2.46 年
105	使用閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦鎵鰭式場效電晶體元件特性之研究 Study on the Passivation of High-k/In0.53Ga0.47As FinFETs Using In Situ Remote-Plasma Gas Treatment 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼鰭式場效電晶體、高介電係數閘極介電質氧化物、閘極介電質鈍化效應、閘極介電質成長後電漿處理、電漿增強型原子層化學氣相沉積系統、InGaAs、FInFET、High-k dielectrics、Passivation Effect、In Situ Post Remote-Plasma treatment	碩士	103	2016-10-05	2.18 年
104	利用三閘極結構改善高功率鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件特性研究 Study of AlGaN/GaN Tri-gate HEMTs for Power Application 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼鋁氮化鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體、三閘極、高功率應用、AlGaN/GaN HEMTs、tri-gate、Power Application	碩士	102	2016-06-21	2.89 年
104	全銅金屬化三五族太陽能電池之研究 Study of Gold-Free Fully Cu-Metallized III-V Solar Cell 照明與能源光電博士學位學程・共同指導：張翼銅、歐姆接觸、三五族太陽能電池、Cu-Metallized、Ohmic contact、III-V Solar Cell	博士	98	2016-04-14	6.70 年
104	半導體先進製程的布林邏輯演算應用 The boolean algorithm of advanced technology in semicondutor 光電學院光電科技學程・共同指導：張翼布林邏輯演算、boolean algorithm	碩士在職專班	102	2016-01-24	2.48 年
104	應用於氮化鎵高頻功率元件之碳化矽基板背向通孔製程 SiC Backside Via Process for GaN RF Power Device Application 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、碳化矽、背向通孔製程、GaN、SiC、Backside Via	碩士	102	2015-12-17	2.38 年
104	三維成長之氮化鎵對氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率場效電晶體在矽基板(111)之高電壓應用 AlGaN/GaN HEMT with 3D Growth Mode GaN Nucleation Layer on Silicon (111) Substrates for High Voltage Applications 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、三五族材料、電晶體、GaN、III-V material、HEMTs	碩士	102	2015-11-08	2.27 年
104	利用二階段成長法成長垂直式砷化銦奈米線在矽基版之研究 Investigation of Vertical InAs Nanowires Grown on Si (111) Substrate by Two-step Growth Technique 光電系統研究所・共同指導：張翼三五族半導體、砷化銦、奈米線、金屬有機化學氣象沉積、III-V semiconductor、InAs、Nanowire、MOCVD	碩士	102	2015-11-08	2.27 年
104	利用電子束微影改變 T 型閘極對於 90 奈米砷化銦高電子遷移率電晶體電性影響之研究 Study of the T-shaped Gate Head Dimension Influence for 90nm InAs HEMTs on InP Substrate Using E-beam Lithography 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼電子束微影、T型閘極、砷化銦高電子遷移率電晶體、T-shaped Gate、InAs HEMT、E-beam Lithography	碩士	102	2015-10-31	2.25 年
104	增強型氮化鋁鎵/氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體之臨界電壓模擬研究 Simulation Study of Threshold Voltage of Normally Off AlGaN/GaN MOS-HEMTs 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼增強型、高介電質氧化物、金屬絕緣體半導體高電子遷移率電晶體、模擬、normally off、high k oxides、MOS-HEMT、simulation	碩士	101	2015-10-18	3.21 年
104	以氧化鑭/二氧化矽堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層之研究 The Study of La2O3/SiO2 GaN MIS-HEMT for High Power Application 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體、氧化鑭、二氧化矽、高功率元件、GaN MIS-HEMT、La2O3、SiO2、Power device	碩士	102	2015-10-03	2.17 年
104	以混合式氧化鑭閘極氧化層改善氮化鎵高電子遷移率電晶體線性度之研究 Improved Linearity in GaN MIS-HEMTs Using La2O3-based stack Gate Dielectric 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵、高電子遷移率電晶體、線性度、GaN、MIS-HEMTs、Linearity	碩士	102	2015-09-23	2.14 年
104	使用氮化鋁及閘極介電質成長後電漿處理法改善三五族砷化銦量子井場效電晶體元件特性之研究 InAs Quantum Well MOSFETs Performance Improvemant by Using pre-AlN Passivation Layer and In-Situ PEALD Post Remote Plasma Treatment 影像與生醫光電研究所・共同指導：張翼量子井場效電晶體、高介電係數閘極介電質氧化物、閘極介電質鈍化效應、氮化鋁介面活性層、閘極介電質成長後電漿處理、電漿增強型原子層化學氣相沉積系統、InAs Quantum well MOSFET、High-k dielectrics/III-V materials、PEALD-AlN Interfacial Passivation Layer、Post Remote-Plasma Treatment	碩士	102	2015-09-22	2.14 年
104	利用低成本液態晶體聚合物基板結合覆晶封裝技術之射頻應用 Flip-Chip-On-Board Packaging of GaAs Device on Low-Cost Liquid Crystalline Polymer Substrate for RF Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼覆晶封裝、聚合物基板、低成本、射頻、flip-chip、packaging、polymer substrate、LCP、RF	碩士	101	2015-08-16	3.04 年
104	利用多層堆疊氧化鉿/氧化鑭為閘極絕緣層以提升增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體起始電壓之穩定性 Improved Threshold Voltage Stability of Enhancement-Mode AlGaN/GaN MISHEMTs with Multilayer HfO2/La2O3 Gate Insulator 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵、氮化鎵鋁、增強型、高電子遷移率電晶體、閘極嵌入、氧化鉿/氧化鑭、GaN、AlGaN、Enhancement-mode、high electron mobility transistor、gate recess、HfO2/La2O3	碩士	102	2015-08-11	2.03 年
104	利用有機金屬化學氣相沉積法探討使用鎵/銻介面處理對於成長銻化鎵薄膜於砷化鎵基板之影響 Effect of the Ga/Sb Treatment on the Growth of GaSb Epitaxy on GaAs Substrate Using Metalorganic Chemical Vapor Deposition 光電系統研究所・共同指導：張翼有機金屬化學氣相沉積、銻化鎵、介面處理、MOCVD、GaSb、Interfacial Treatment	碩士	101	—	無法計算
104	側壁蝕刻與非合金歐姆接觸之增強型砷化銦通道高電子遷移率電晶體應用於高頻與低耗能邏輯元件之特性評估 Evaluation of Enhancement Mode InAs HEMTs for RF and Low-Power Logic Applications Using Non-alloyed Ohmic & Sidewall Etch Process 光電系統研究所・共同指導：張翼化合物半導體、砷化鎵、磷化銦、砷化銦、高頻、非合金歐姆接觸、compound semiconductor、GaAs、InP、InAs、RF、non-alloyed ohmic	碩士	102	—	無法計算
104	網印、噴印及膠印應用於台灣工業級矽太陽電池生產之評估 Evaluation of screen printing，ink-jet printing and offset printing to Taiwan's industrial production for silicon solar cells application 光電學院光電科技學程・共同指導：陳慶盈太陽電池、網版印刷、噴墨印刷、膠版印刷、solar cell、inkjet printing、screen printing、offset printing	碩士在職專班	99	—	無法計算
103	應用於邏輯線路之低耗能三閘極砷化銦鎵變晶性高電子遷移率電晶體之研究 Study of Tri-Gate In0.6Ga0.4As mHEMTs for Low-Power Logic Applications 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼砷化銦鎵、三閘極、邏輯應用、InGaAs、tri-Gate、logic applications	碩士	101	2015-03-21	2.63 年
103	1奈米等效厚度之氧化鑭與氧化鉿複合氧化物材料在砷化銦鎵金氧半元件之研究 Study of 1nm-oxide-equivalent-thickness La2O3 and HfO2 Multilayer Composite Oxides on In0.53Ga0.47As for MOS Capacitor Application 光電系統研究所・共同指導：張翼氧化鑭、氧化鉿、砷化銦鎵、等效厚度、La2O3、HfO2、InGaAs、EOT	碩士	101	—	無法計算
103	利用有機金屬化學氣相沉積成長氮化鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體 The Growth of AlN/GaN Epitaxial Structure for High Electron Mobility Transistor by Metal Organic Chemical Vapor Deposition 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鋁、氮化鎵、有機金屬化學氣相沉積、高電子遷移率電晶體、磊晶、AlN、GaN、HEMT、MOCVD、Epitaxy	碩士	101	—	無法計算
103	利用場效電板改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體高功率元件特性與可靠性之研究 The Study of AlGaN/GaN HEMT Power Device Characteristics and Reliability Improvement Using Field Plate Approach 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鋁鎵/氮化鎵高功率元件、可靠度、場效電板、AlGaN/GaN power device、reliability、field-plate	碩士	101	—	無法計算
103	藉氮化鋁鈍化層與表面處理改善氮化鎵高電子遷移率電晶體直流與高頻特性之研究 Study of DC and RF Characteristic Improvements on GaN HEMTs by AlN Passivation Layer and Surface Treatment 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鋁鈍化層、表面處理、AlN Passivation Layer、Surface Treatment	碩士	101	—	無法計算
103	以氧化鑭/氧化鉿堆疊式氧化層作為高功率氮化鎵高電子遷移率電晶體之閘極氧化層研究 The Study of La2O3/HfO2 GaN MOS-HEMT for High Power Application 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵高電子遷移率電晶體、氧化鉿、氧化鑭、閘極氧化層、GaN MOS-HEMT、HfO2、La2O3、Gate dielectric	碩士	101	—	無法計算
102	多晶矽控制表面絨化以降低黑絲絨 Control of texturing process to reduce black velvet in microcrystalline silicon process 光電學院光電科技學程多晶矽、microcrystalline silicon	碩士在職專班	100	2014-07-23	2.98 年
102	利用漸變氮化矽結合次波長結構應用在三五族三接面太陽能電池上之全波段抗反射層研究 Broadband Anti-reflection Sub-wavelength Structure of InGaP/InGaAs/Ge Triple-junction Solar Cell Based on Graded SiNx by Using Au Nanoparticles as Etching Mask 光電系統研究所・共同指導：張翼三五族太陽能電池、漸變、次波長結構、電漿耦合蝕刻、抗反射層、InGaP/InGaAs/Ge Triple-junction Solar Cell、Graded、Sub-wavelength Strucutre、ICP-RIE、Anti-reflection Layer	碩士	100	2014-03-18	2.63 年
102	利用有機化學氣相沉積法和非線性漸變緩衝層成長砷化銦鎵在砷化鎵基板上以及錯位應變和緩衝平台之研究 Effects of the composition and thickness of the nonlinear metamorphic InxGa1-xAs buffer on the grown quality of the In0.5Ga0.5As film on GaAs substrate by MOCVD 光電系統研究所・共同指導：張翼薄膜磊晶、砷化銦鎵、緩衝層、有機化學氣相沉積法、砷化鎵、應變、InGaAs、MOCVD、buffer layer、surface、quality、MOSCAP	碩士	100	2014-03-17	2.63 年
102	假型高電子遷移率場效電晶體之模擬研究 Simulation study of InAlAs/InGaAs Pseudomorphic High Electron MobilityTransistors 影像與生醫光電研究所・共同指導：張翼模擬、砷化銦鋁/砷化銦鎵、假型高電子遷移率電晶體、優化、扭結效應、衝擊離子化、Simulation、InAlAs/InGaAs、PHEMT、Optimization、Kink effect、impact ionization	碩士	100	2014-01-02	2.42 年
102	磊晶成長高阻值氮化鎵緩衝層在矽(111)基板 Epitaxy Growth of high resistivity GaN-based buffer on Silicon (111) substrates 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵、有機金屬化學氣相沉積、GaN、MOCVD	碩士	100	2013-12-01	2.34 年
102	藉由氮化鋁層間鈍化層之插入改善氮化矽氮化鋁鎵/氮化鎵金屬絕緣半導體高電子遷移率電晶體之漏電流及電流潰散效應 Reducing Leakage Current and Suppressing Current Slump of Si3N4 AlGaN/GaN MISHEMTs by Insertion of AlN Interfacial Passivation Layer 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、氮化鋁、高電子遷移率電晶體、金屬絕緣層半導體高電子遷移率電晶體、崩潰電壓、電流潰散效應、漏電流、氮化鋁鎵/氮化鎵、GaN、AlN、HEMT、MISHEMT、Breakdown voltage、Current Slump、Leakage Current、AlGaN/GaN	碩士	100	2013-11-25	2.32 年
102	磷化銦鎵/砷化銦鎵/鍺三接面聚光型太陽能電池之全銅金屬製程之研究 Study of au free, fully Cu-metallized InGaP/InGaAs/Ge triple-junction solar cell 光電系統研究所・共同指導：張翼銅、歐姆接觸、太陽能電池、Cu、ohmic contact、solar cell	碩士	100	2013-10-08	2.19 年
102	利用複合式奈米球微影術製作對可見光具高穿透結構之研究 A Study of High Transparent Structure in Visible Wavelengths Using Compound Nanosphere Lithography 影像與生醫光電研究所・共同指導：呂志鵬聚苯乙烯球、奈米球微影術、反應式離子蝕刻、高寬比、光穿透比例、polystyrene sphere、nanosphere lithography、reactive ion etching、aspect ratio、light extraction rate	碩士	100	2013-09-02	2.09 年
102	離子束配向及光配向技術在大尺寸TFT-LCD之未來發展性研究 FUTURE DIRECTION OF ION BEAM ALIGNMENT AND PHOTO ALIGNMENT ON LARGE AREA SUBSTRATE OF TFT-LCD 光電學院光電科技學程・共同指導：鄭協昌離子束配向、光配向、Ion Beam Alignment、Photo Alignment	碩士在職專班	100	—	無法計算
102	利用氧化鋁/氧化氮堆疊當介電層的方式製作出可改善起始電壓穩定性的增強型氮化鎵金屬-絕緣體-半導體高電子遷移率電晶體 Improved Threshold Voltage Stability of Enhancement-Mode GaN MISHEMT with Al2O3/AlN Gate Dielectric 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、金氧半高電子遷移率電晶體、增強型、氮化鋁、氧化鋁、起始電壓、GaN、MISHEMT、Enhancement-mode、AlN、Al2O3、Threshold voltage	碩士	100	—	無法計算
102	探討砷化銦鋁/砷化銦/砷化銦鎵系統之磷化銦高電子遷移率電晶體之模擬研究 The Study of Simulation InAlAs/InAs/InGaAs System for InP High Electron Mobility Transistor 影像與生醫光電研究所・共同指導：張翼高電子遷移率電晶體、假型高電子遷移率電晶體、砷化銦鎵、HEMT、pHEMT、InGaAs	碩士	100	—	無法計算
101	在矽基板上成長低溫鍺以及微米圖形以做為高品質砷化鎵薄膜之磊晶模板 Micro-Patterned Low Temperature Ge on Si substrate for High Quality GaAs Growth 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼鍺、超高真空化學氣象磊晶、微溝槽、Germanium、UHVCVD、micro trench	碩士	99	2013-06-22	2.89 年
101	利用有機金屬化學氣相沉積成長高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體結構於藍寶石基板 Growth of AlGaN/GaN HEMT Structure on Sapphire Substrate for High Power Applications by MOCVD 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼有機金屬化學氣相沉積、氮化鋁鎵/氮化鎵、高電子遷移率電晶體、藍寶石基板、MOCVD、AlGaN/GaN、HEMT、Sapphire substrate	碩士	99	2013-04-26	2.74 年
101	以有機金屬化學氣相沉積成長氮化銦鋁/氮化鋁/氮化鎵異質結構之高電子遷移率電晶體的應用 The Growth of InAlN/AlN/GaN Heterostructures by MOCVD for High Electron Mobility Transistor Applications 影像與生醫光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、有機氣體化學氣相沉積、氮化銦鋁、高電子遷移率電晶體、GaN、MOCVD、InAlN、HEMT	碩士	99	2013-04-23	2.73 年
101	成長磷化銦鎵材料於砷化鎵及鍺/矽基板上對三五族太陽能電池應用之研究 The Study of InGaP Material Growth on GaAs and Ge/Si Substrates for III-V Solar Cells Application 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼磷化銦鎵、砷化鎵、鍺/矽基板、有機金屬化學氣相沉積法、InGaP、GaAs、Ge/Si substrate、MOCVD	碩士	99	2013-04-15	2.70 年
101	以傾斜型閘極改善氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之崩潰電壓及可靠性 Improvement of Breakdown Voltage and Device Reliability of AlGaN/GaN HEMTs with Integrated Slant-Gate 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化镓、高電子遷移率電晶體、功率元件、崩潰電壓、傾斜型閘極、模擬、GaN、HEMT、power device、breakdown voltage、slant-gate、simulation	碩士	99	2013-01-16	2.46 年
101	在玻璃基板上製備摻鎵氧化鋅薄膜之表面形貌及光電性質的研究 Morphology, Optical and Electrical Properties of ZnO:Ga Films on Glass Substrates 影像與生醫光電研究所・共同指導：張俊彥大氣電漿、摻鎵氧化鋅、表面形貌、Atmospheric-pressure Plasma、ZnO:Ga、Morphology	碩士	99	2012-11-29	2.33 年
101	探討低溫氮化鋁鎵插入層對成長厚氮化鎵在矽基板上之影響 Effects of LT-AlGaN Interlayers on Properties of Thick GaN Growth on Si 光電系統研究所・共同指導：張翼氮化鎵在矽基板上成長、最佳化低溫氮化鋁鎵插入層成長條件、有機金屬化學氣相沉積法、無裂痕氮化鎵薄膜、GaN on Si、LT-AlGaN optimization、MOCVD、Crack-free GaN	碩士	99	2012-11-23	2.31 年
101	應用於砷化銦鎵金氧半元件之複合式介電質材料之研究 The Study of High-k Composite Dielectric for InGaAs MOS Device Applications 光電系統研究所・共同指導：張翼高介電常數、砷化銦鎵、High-k、InGaAs	碩士	99	2012-11-22	2.31 年
101	氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體無金金屬化製程之研究 The Study of Gold-free Metallization for AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼無金製成、氮化鎵、高電子遷移率電晶體、Au-free metallization、GaN、HEMT	碩士	99	2012-11-22	2.31 年
101	以熱裂解化學沉積法成長碳化矽薄膜之研究 The investigation on the growth of SiC thin film by Thermal Chemical Vapor Deposition 光電系統研究所・共同指導：張翼碳化矽、碳化矽/氮化鋁/藍寶石基板、氮化鎵/碳化矽/藍寶石基板、氮化鎵/碳化矽/氮化鋁/矽、熱裂解化學沉積法、雙相成長、應力、SiC、SiC/ AlN/ sapphire、GaN/ SiC/ sapphire、GaN/ SiC/ AlN/ Si、Thermal Chemical Vapor Deposition、twin domain、stress	碩士	99	2012-11-07	2.27 年
101	雙異質接面假晶磷化銦/砷化鎵銦/磷化銦P通道量子井場效電晶體對三五族互補電路的研究與應用 Study of Double Heterojunction Pseudomorphic InP/InGaAs/InP p-channel QWFET for III-V Complementary Circuit Applications 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼磷化銦、砷化鎵銦、P通道量子井場效電晶體、三五族互補電路的應用、InP、InGaAs、p-channel QWFET、III-V Complementary Circuit Applications	碩士	99	—	無法計算
100	藉由兩階段矽鍺緩衝層以成長鍺磊晶層於矽基板上之研究 The Research of Ge Grown on Si by Using Two-step SixGe1-x Buffer Layers 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼鍺、矽鍺、矽、超高真空化學氣相沉積、Ge、SiGe、Si、UHVCVD	碩士	98	2011-12-26	2.40 年
100	氮化鎵元件之歐姆與蕭基接觸的銅製程材料研究 Ohmic and Schottky Contact Material for Cu-based GaN Device 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵、銅製程、歐姆接觸、GaN、Cu、Ohmic contact	碩士	98	2011-11-18	2.30 年
100	氮化鎵高電子遷移率電晶體之銅金屬化導線製程 Copper-Metallized Interconnects on GaN High Electron Mobility Transistors 照明與能源光電研究所・共同指導：張翼氮化鎵高電子遷移率電晶體、銅金屬化導線(空橋)、擴散阻擋層、鉑、氮化鎢、GaN HEMT、Copper-metallized interconnects(airbridge)、Diffusion barrier layer、Pt、WNx	碩士	98	2011-10-03	2.17 年